【技術實現步驟摘要】
本申請涉及電子器件優化相關領域，尤其涉及用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法及裝置。
技術介紹
1、溝槽肖特基結構的電子器件，因其獨特的結構和優越的性能，在半導體領域得到了廣泛的應用，特別是在高頻、高壓等應用場景中，這類器件表現出了出色的性能。然而，隨著技術的不斷進步和應用需求的提升，對溝槽肖特基結構電子器件的性能要求也越來越高。在現有技術中，對于溝槽肖特基結構電子器件的性能提升，主要采用的方法是對單個部件進行優化，然而，由于器件的性能是由多個部件共同決定的，因此僅僅對單個部件進行優化，往往會導致整體性能的失衡。例如，如果過度追求低正向壓降，可能會犧牲器件的反向擊穿電壓。由于器件內部的復雜性和相互依賴性，對單個部件的優化往往只能帶來有限的性能提升。并且，過度優化某個部件還可能導致其他部件的性能下降，甚至引發新的問題。
2、現階段相關技術中，用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法存在優化方向單一，導致優化效果有限，整體性能難以達到最優狀態的技術問題。
技術實現思路
1、本申請通過提供用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法及裝置，采用根據待優化電子器件的性能狀態信息，構建一個能夠反映整體性能的優化目標函數，對n個溝槽肖特基結構部件進行可優化變量的采集，以初始溝槽參數組合為起點，隨機生成多個候選解，并對這些候選解進行性能模擬，根據預定義的搜索更新規則和性能模擬結果，迭代執行候選解的更新過程，不斷對n個溝槽肖特基結構部件的可優化變量進行調整和優化，獲得整體性能最優解等技
2、本申請提供用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，包括：根據待優化電子器件的性能狀態信息構建性能優化目標函數，其中，所述待優化電子器件包括n個溝槽肖特基結構部件；對所述n個溝槽肖特基結構部件進行可優化變量采集，獲得n個初始溝槽參數組合；以所述n個初始溝槽參數組合為起點進行候選解隨機生成，獲得m個初始候選解，其中，每個候選解包括n個更新溝槽參數組合；對所述m個初始候選解進行性能模擬，并采用所述性能優化目標函數進行性能模擬結果評價，獲得m個初始性能偏差；預定義搜索更新規則，并根據所述搜索更新規則和m個初始性能偏差，迭代執行候選解的更新過程，對所述n個溝槽肖特基結構部件的可優化變量進行持續優化，直至獲得滿足器件期望性能的電子器件結構參數。
3、在可能的實現方式中，根據待優化電子器件的性能狀態信息構建性能優化目標函數，執行以下處理：對待優化電子器件進行性能測試，獲得n個實測性能信息，其中，所述實測性能信息包括實測電流、實測電壓、實測熱量、實測功耗和實測擊穿電壓；交互獲得所述待優化電子器件的器件期望性能，其中，所述器件期望性能包括期望全局信息和n個期望性能信息，其中，所述期望全局信息包括功耗期望和擊穿電壓期望，所述期望性能信息包括電流期望、電壓期望和熱量期望；整合所述器件期望性能和n個實測性能信息，作為所述性能狀態信息；基于所述性能狀態信息計算獲得更新偏差權重集，并根據所述更新偏差權重集定義所述性能優化目標函數。
4、在可能的實現方式中，基于所述性能狀態信息計算獲得更新偏差權重集，并根據所述更新偏差權重集定義所述性能優化目標函數，執行以下處理：基于所述器件期望性能和n個實測性能信息進行性能偏差計算，獲得性能偏差集，其中，所述性能偏差集包括電流分布偏差、電壓分布偏差、熱量分布偏差、功耗偏差和擊穿電壓偏差；預定義性能權重集，其中，所述性能權重集包括電流分布初始權值、電壓分布初始權值、熱量分布初始權值、功耗初始權值和擊穿電壓初始權值；采用所述性能偏差集映射更新所述性能權重集，獲得所述更新偏差權重集，其中，所述更新偏差權重集包括電流分布更新權值、電壓分布更新權值、熱量分布更新權值、功耗更新權值和擊穿電壓更新權值；根據所述性能偏差集和更新偏差權重集構建獲得所述性能優化目標函數。
5、在可能的實現方式中，所述性能優化目標函數如下：其中，為性能偏差量化值，為電流分布更新權值，為電壓分布更新權值，為熱量分布更新權值，為功耗更新權值，為擊穿電壓更新權值，為電流分布偏差，為電壓分布偏差，為熱量分布偏差，為功耗偏差，為擊穿電壓偏差；其中，為優化變量，為溝槽深度候選值，為溝槽寬度候選值，為側壁角度候選值，為優化變量可行范圍。
6、在可能的實現方式中，預定義搜索更新規則，執行以下處理：預設功耗限制和擊穿電壓限制；通過對所述n個初始溝槽參數組合進行指標聚合和極值提取，獲得溝槽深度區間、溝槽寬度區間和側壁角度區間；將所述溝槽深度區間、溝槽寬度區間和側壁角度區間的1/k作為初始變量調節尺度；所述功耗限制、擊穿電壓限制、初始變量調節尺度和優化變量可行范圍構成所述搜索更新規則。
7、在可能的實現方式中，根據所述搜索更新規則和m個初始性能偏差，迭代執行候選解的更新過程，對所述n個溝槽肖特基結構部件的可優化變量進行持續優化，直至獲得滿足器件期望性能的電子器件結構參數，執行以下處理：根據所述搜索更新規則和m個初始性能偏差進行所述m個初始候選解的位置更新，獲得m個第一更新候選解；基于所述性能優化目標函數計算獲得所述m個第一更新候選解的m個第一更新性能偏差；根據所述搜索更新規則和m個第一更新性能偏差進行所述m個第一更新候選解的位置更新，獲得m個第二更新候選解；根據更新性能偏差和所述搜索更新規則，重復執行候選解的更新過程，以對所述n個溝槽肖特基結構部件的可優化變量進行持續優化，直至獲得滿足所述器件期望性能的電子器件結構參數。
8、在可能的實現方式中，根據更新性能偏差和所述搜索更新規則，重復執行候選解的更新過程，以對所述n個溝槽肖特基結構部件的可優化變量進行持續優化，直至獲得滿足所述器件期望性能的電子器件結構參數，執行以下處理：根據所述m個初始性能偏差進行所述初始變量調節尺度的定向更新，獲得m個第一定向調節尺度；以所述優化變量可行范圍為約束，根據所述m個第一定向調節尺度進行所述m個初始候選解的位置更新，獲得所述m個第一更新候選解；構建所述待優化電子器件的虛擬器件模型；將所述m個第一更新候選解導入所述虛擬器件模型進行性能仿真測試，獲得m組模擬性能信息；將所述m組模擬性能信息加載至所述性能優化目標函數，計算獲得m個性能偏差量化值作為所述m個第一更新候選解的m個第一更新性能偏差；根據所述m個第一更新性能偏差進行所述初始變量調節尺度的定向更新，獲得m個第二定向調節尺度；以所述優化變量可行范圍為約束，根據所述m個第二定向調節尺度進行所述m個第一更新候選解的位置更新，獲得所述m個第二更新候選解；根據更新性能偏差和所述搜索更新規則，重復執行候選解的更新過程，以對所述n個溝槽肖特基結構部件的可優化變量進行持續優化，直至所獲性能偏差量化值穩定波動于預設波動尺度，輸出滿足所述器件期望性能的電子器件結構參數。
9、在可能的實現方式中，執行以下處理：判斷所述m組模擬性能信息是否滿足所述功耗限制和擊穿電壓限制；若所述m組模擬性能信息滿足所述功耗限本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，根據待優化電子器件的性能狀態信息構建性能優化目標函數，所述方法包括：
3.如權利要求2所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，基于所述性能狀態信息計算獲得更新偏差權重集，并根據所述更新偏差權重集定義所述性能優化目標函數，所述方法包括：
4.如權利要求3所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，所述性能優化目標函數如下：其中，為性能偏差量化值，為電流分布更新權值，為電壓分布更新權值，為熱量分布更新權值，為功耗更新權值，為擊穿電壓更新權值，為電流分布偏差，為電壓分布偏差，為熱量分布偏差，為功耗偏差，為擊穿電壓偏差；其中，為優化變量，為溝槽深度候選值，為溝槽寬度候選值，為側壁角度候選值，為優化變量可行范圍。
5.如權利要求4所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，預定義搜索更新規則，所述方法包括：
6.如權利要求5所述的用
7.如權利要求6所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，根據更新性能偏差和所述搜索更新規則，重復執行候選解的更新過程，以對所述N個溝槽肖特基結構部件的可優化變量進行持續優化，直至獲得滿足所述器件期望性能的電子器件結構參數，所述方法包括：
8.如權利要求7所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，所述方法包括：
9.用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升裝置，其特征在于，所述裝置用于實施權利要求1-8任一項所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，所述裝置包括：
...【技術特征摘要】
1.用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，根據待優化電子器件的性能狀態信息構建性能優化目標函數，所述方法包括：
3.如權利要求2所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，基于所述性能狀態信息計算獲得更新偏差權重集，并根據所述更新偏差權重集定義所述性能優化目標函數，所述方法包括：
4.如權利要求3所述的用于溝槽肖特基結構的電子器件性能提升方法，其特征在于，所述性能優化目標函數如下：其中，為性能偏差量化值，為電流分布更新權值，為電壓分布更新權值，為熱量分布更新權值，為功耗更新權值，為擊穿電壓更新權值，為電流分布偏差，為電壓分布偏差，為熱量分布偏差，為功耗偏差，為擊穿電壓偏差；其中，為優化變量，為溝槽深度候選值，為溝槽寬度候選值，為側壁角度候選值，為優化變量可行范圍。
5.如權利要求4所述的用于溝槽肖特基結...
【專利技術屬性】
技術研發人員：謝剛，龔妮娜，唐威，
申請(專利權)人：浙江廣芯微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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