【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體領域，尤其涉及一種存儲器結構及存儲器結構的形成方法。
技術介紹
1、nor型閃存(nor?flash)是基于intel公司提出的etox結構發展而來的，是一種非易失性存儲器，即芯片斷電后仍能保持所存數據不丟失。同時nor?flash是一種電壓控制型器件，采用熱電子注入方式寫入數據，基于隧道效應擦除數據，其顯著的一個特點是隨機讀取速度很快。nor?flash作為一種非揮發性存儲器具有非揮發性、高器件密度、低功耗和可電重寫性等特點，被廣泛應用到便攜式電子產品中如手機、數碼相機、智能卡等。
2、然而，現有的nor?flash器件在形成過程中仍存在諸多問題。
技術實現思路
1、本專利技術解決的技術問題是提供一種存儲器結構及存儲器結構的形成方法，以提升器件結構的性能。
2、為解決上述技術問題，本專利技術實施例提供一種存儲器結構，包括：襯底，襯底包括若干第一區、以及位于相鄰第一區之間的第二區，第一區和第二區內具有若干相互分立的有源區，有源區沿第一方向排布，有源區沿第二方向延伸，第一區和第二區沿第二方向排布，且有源區橫跨第一區和第二區，第一方向和第二方向平行于襯底表面，且第一方向與第二方向垂直；位于第二區內的連接部，連接部位于相鄰有源區之間；位于第一區內的存儲柵結構，存儲柵結構與第二區相鄰，且存儲柵結構分別位于第二區兩側；位于第二區的有源區上和連接部上的源線結構。
3、可選的，存儲器結構還包括：位于第一區內的隔離結構，隔離結構位于有源區之間
4、可選的，存儲柵結構包括：位于各有源區上的浮柵結構以及位于浮柵結構表面和隔離結構表面的控制柵結構。
5、可選的，存儲柵結構還包括：位于浮柵結構表面的控制柵介質層。可選的，存儲器結構還包括：位于第二區的有源區內以及連接部內的第一摻雜層。
6、可選的，第一摻雜層內的摻雜離子包括：氧離子和/或氮離子。
7、可選的，存儲柵結構還包括：位于第一區的有源區內的第二摻雜層，第一摻雜層和第二摻雜層分別位于存儲柵結構兩側。
8、本專利技術技術方案還提供一種存儲器結構的形成方法，包括：提供初始襯底，初始襯底包括若干第一區、以及位于相鄰第一區之間的第二區，第一區和第二區沿第二方向排布；對初始襯底進行圖形化，形成襯底，襯底包括若干相互分立的有源區以及若干連接部，有源區沿第一方向排布，有源區平行于第二方向，且有源區橫跨第一區和第二區，連接部位于相鄰有源區之間第二區內，第一方向和第二方向平行于襯底表面，且第一方向與第二方向垂直；在第一區內形成存儲柵結構，存儲柵結構與第二區相鄰，且存儲柵結構分別位于第二區兩側；在第二區的有源區上和連接部上形成源線結構。
9、可選的，存儲器結構的形成方法還包括：在第一區內形成隔離結構，隔離結構位于有源區之間。
10、可選的，對初始襯底進行圖形化的方法包括：在第二區上形成保護層；在第一區上和保護層上形成若干相互分立的第一掩膜，第一掩膜沿第一方向排布，第一掩膜平行于第二方向，且第一掩膜橫跨于第二區上的保護層表面；以保護層和第一掩膜為掩膜刻蝕初始襯底，形成襯底和隔離溝槽；在隔離溝槽內形成初始隔離結構，初始隔離結構表面與保護層齊平。
11、可選的，存儲器結構的形成方法還包括：在形成保護層之前，在第二區內的有源區以及連接部上形成第一摻雜層。
12、可選的，形成第一摻雜層的方法包括：在初始襯底上形成共源掩膜，共源掩膜暴露出第二區表面；對第二區內的有源區以及連接部進行離子注入處理，形成第一摻雜層。
13、可選的，形成保護層的方法包括：在形成第一摻雜層之后，在共源掩膜開口內形成保護層；在形成保護層之后，去除共源掩膜。
14、可選的，形成存儲柵結構的方法包括：在形成初始隔離結構之后，在第一區的有源區上形成浮柵材料層，浮柵材料層暴露出保護層表面和初始隔離結構表面；去除保護層，在浮柵材料層之間形成暴露出第二區的第一開口；去除高于襯底表面的初始隔離結構，在第一區上的浮柵材料層之間形成第二開口，并形成第二開口底部暴露出的隔離結構；在第二區上以及與第二區兩側相鄰的部分第一區上形成控制柵材料層，控制柵材料層位于浮柵材料層表面、第一開口內和第二開口內；在控制柵材料層上形成圖形化層，圖形化層暴露出第二區上的控制柵材料層表面；以圖形化層為掩膜刻蝕部分控制柵材料層以及浮柵材料層，直至暴露出襯底的頂部表面為止，形成存儲柵結構以及位于存儲柵結構之間的源線開口，源線開口暴露出第二區的有源區和連接部，存儲柵結構包括位于第一區有源區上的浮柵以及位于浮柵上和隔離結構上的控制柵。
15、可選的，存儲器結構的形成方法還包括：在形成浮柵材料層之前，在有源區表面形成浮柵介質層；在形成控制柵材料層之前，在浮柵材料層表面形成控制柵介質層。
16、可選的，存儲器結構的形成方法還包括：在形成存儲柵結構之后，在源線開口內形成源線結構。
17、可選的，存儲器結構的形成方法還包括：在存儲柵結構和源線結構兩側的有源區內形成第二摻雜結構。
18、可選的，去除保護層的方法包括：采用濕法刻蝕工藝，去除保護層；濕法刻蝕工藝的刻蝕溶液包括：氫氟酸。
19、與現有技術相比，本專利技術實施例的技術方案具有以下有益效果：
20、本專利技術技術方案的存儲結構中，連接部位于第二區的相鄰有源區之間，源線結構位于第二區的有源區和連接部上，從而使得源線結構可以通過第二區內相鄰有源區之間的連接部連接襯底，可以增大源線結構與襯底的接觸面積，減小了源線結構的接觸電阻，進而提升器件結構的性能。
21、本專利技術技術方案的存儲結構的形成方法中，通過在襯底上直接形成第二區的有源區上和連接部，且在第二區的有源區上和連接部上形成源線結構，實現源線結構與襯底的接觸面積的增大，進而減小了接觸電阻。
22、進一步，本專利技術技術方案通過在第二區的有源區上和連接部上形成保護層，精確定義了浮柵結構，增大了光刻對準的工藝窗口；此外，本專利技術技術方案通過一種圖形化處理，形成存儲柵結構，并在存儲柵結構之間形成源線結構，進一步實現了圖形化處理的精確對準，在沒有增加光罩層數的情況下，減小了存儲柵結構之間的間距，進而實現存儲器結構的面積減小。
23、進一步，本專利技術技術方案通過在浮柵材料層表面形成控制柵介質層，為后續存儲柵結構蝕刻提供了阻擋保護，增大了光刻對準的工藝窗口。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種存儲器結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于第一區內的隔離結構，所述隔離結構位于所述有源區之間。
3.如權利要求2所述的存儲器結構，其特征在于，所述存儲柵結構包括：位于各有源區上的浮柵結構以及位于所述浮柵結構表面和隔離結構表面的控制柵結構。
4.如權利要求3所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于所述浮柵結構表面的控制柵介質層。
5.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于第二區的有源區內以及連接部內的第一摻雜層。
6.如權利要求5所述的存儲器結構，其特征在于，所述第一摻雜層內的摻雜離子包括：氧離子和/或氮離子。
7.如權利要求5所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于第一區的有源區內的第二摻雜層，所述第一摻雜層和第二摻雜層分別位于所述存儲柵結構兩側。
8.一種存儲器結構的形成方法，其特征在于，包括：
9.如權利要求8所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在第一區內形成隔離結構，所述隔離結構位于所述有源區
10.如權利要求9所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，對所述初始襯底進行圖形化的方法包括：在第二區上形成保護層；在第一區上和保護層上形成若干相互分立的第一掩膜，所述第一掩膜沿第一方向排布，所述第一掩膜平行于第二方向，且所述第一掩膜橫跨于所述第二區上的保護層表面；以所述保護層和第一掩膜為掩膜刻蝕初始襯底，形成襯底和隔離溝槽；在隔離溝槽內形成初始隔離結構，所述初始隔離結構表面與保護層齊平。
11.如權利要求10所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成保護層之前，在第二區內的有源區以及連接部上形成第一摻雜層。
12.如權利要求11所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一摻雜層的方法包括：在初始襯底上形成共源掩膜，所述共源掩膜暴露出第二區表面；對第二區內的有源區以及連接部進行離子注入處理，形成第一摻雜層。
13.如權利要求12所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述保護層的方法包括：在形成第一摻雜層之后，在共源掩膜開口內形成保護層；
14.如權利要求10所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述存儲柵結構的方法包括：在形成所述初始隔離結構之后，在第一區的有源區上形成浮柵材料層，所述浮柵材料層暴露出所述保護層表面和初始隔離結構表面；去除保護層，在浮柵材料層之間形成暴露出第二區的第一開口；去除高于襯底表面的初始隔離結構，在第一區上的浮柵材料層之間形成第二開口，并形成所述第二開口底部暴露出的隔離結構；在第二區上以及與第二區兩側相鄰的部分第一區上形成控制柵材料層，所述控制柵材料層位于所述浮柵材料層表面、所述第一開口內和所述第二開口內；在所述控制柵材料層上形成圖形化層，所述圖形化層暴露出第二區上的所述控制柵材料層表面；以所述圖形化層為掩膜刻蝕部分所述控制柵材料層以及所述浮柵材料層，直至暴露出所述襯底的頂部表面為止，形成所述存儲柵結構以及位于存儲柵結構之間的源線開口，所述源線開口暴露出第二區的有源區和連接部，所述存儲柵結構包括位于第一區有源區上的浮柵以及位于浮柵上和隔離結構上的控制柵。
15.如權利要求14所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成浮柵材料層之前，在所述有源區表面形成浮柵介質層；在形成控制柵材料層之前，在所述浮柵材料層表面形成控制柵介質層。
16.如權利要求14所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述存儲柵結構之后，在源線開口內形成源線結構。
17.如權利要求14所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在存儲柵結構和源線結構兩側的有源區內形成第二摻雜結構。
18.如權利要求14所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，去除所述保護層的方法包括：采用濕法刻蝕工藝，去除所述保護層；所述濕法刻蝕工藝的刻蝕溶液包括：氫氟酸。
...【技術特征摘要】
1.一種存儲器結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于第一區內的隔離結構，所述隔離結構位于所述有源區之間。
3.如權利要求2所述的存儲器結構，其特征在于，所述存儲柵結構包括：位于各有源區上的浮柵結構以及位于所述浮柵結構表面和隔離結構表面的控制柵結構。
4.如權利要求3所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于所述浮柵結構表面的控制柵介質層。
5.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于第二區的有源區內以及連接部內的第一摻雜層。
6.如權利要求5所述的存儲器結構，其特征在于，所述第一摻雜層內的摻雜離子包括：氧離子和/或氮離子。
7.如權利要求5所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于第一區的有源區內的第二摻雜層，所述第一摻雜層和第二摻雜層分別位于所述存儲柵結構兩側。
8.一種存儲器結構的形成方法，其特征在于，包括：
9.如權利要求8所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在第一區內形成隔離結構，所述隔離結構位于所述有源區之間。
10.如權利要求9所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，對所述初始襯底進行圖形化的方法包括：在第二區上形成保護層；在第一區上和保護層上形成若干相互分立的第一掩膜，所述第一掩膜沿第一方向排布，所述第一掩膜平行于第二方向，且所述第一掩膜橫跨于所述第二區上的保護層表面；以所述保護層和第一掩膜為掩膜刻蝕初始襯底，形成襯底和隔離溝槽；在隔離溝槽內形成初始隔離結構，所述初始隔離結構表面與保護層齊平。
11.如權利要求10所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成保護層之前，在第二區內的有源區以及連接部上形成第一摻雜層。
12.如權利要求11所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一摻雜層的方法包括：在初始襯底上形成共源掩膜，所述共源掩膜暴露出第二區表面；對第二區內...
【專利技術屬性】
技術研發人員：喬春羽，馬德敬，侯振太，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造北京有限公司，
類型：發明
國別省市：
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