【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及燃料電池，尤其是涉及一種冷貼膜電極邊框的封裝方法及封裝設備。
技術介紹
1、膜電極是燃料電池的核心零部件，包括邊框膜、氣體擴散層和三層膜結構，其中三層膜結構為質子交換膜以及分別通過涂布轉印在質子交換膜的兩側的陽極催化劑層和陰極催化劑層。膜電極的開發技術包括制漿、涂布、轉印、邊框封裝和氣體擴散層封裝。其中邊框封裝包括熱壓封裝和冷貼封裝，冷貼封裝為使用壓敏膠邊框膜材料，通過控制貼合壓力以及貼合速度直接封裝邊框膜。
2、現有的冷貼封裝的步驟包括：沖切機沖切大片邊框膜，得到挖空反應區的小片邊框膜，一片膜電極需要對稱的陰陽極邊框膜共兩片；沖切機將成卷的三層膜結構沖切呈大于邊框反應區的尺寸；將三層膜結構、陰極邊框膜和陽極邊框膜分別放置在貼合設備的左、中和右平臺上；翻轉中間平臺，使陰極邊框帶膠面向下，驅動左平臺移至中間平臺下方并升起，使三層膜結構貼合在陰極邊框反應區后復位；調整三層膜結構的位置，并翻轉中間平臺，驅動右平臺移至中間平臺下方并升起，使陽極邊框從左向右滾壓貼合到中間平臺的陰極邊框上，達到封裝的目的；沖切設備在封裝好的膜電極上沖切水氣孔。
3、在冷貼封裝過程中，三層膜結構在與邊框膜的頂升貼合過程中，三層膜結構貼合到邊框膜時會出現褶皺，褶皺情況嚴重時會導致密封不完全，產生漏氣的問題；或者，陰陽極邊框滾壓貼合的過程中因為受力不均造成反應區面積被擠壓縮小，影響膜電極的性能且增大了封裝氣體擴散層的難度。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種冷貼膜電
2、為了解決上述技術問題，本專利技術提供的技術方案在于：
3、第一方面，本專利技術提供的冷貼膜電極邊框的封裝方法包括：
4、裁切得到挖空反應區的邊框膜；
5、將邊框膜按照第一定位機構的位置固定在第一真空吸附平臺，使用填充層填充邊框膜的反應區；
6、將裁切后的三層膜結構固定在第二真空吸附平臺，揭除第一真空吸附平臺上的邊框膜的保護膜，第一定位機構對位后，第一真空吸附平臺翻轉，第二真空吸附平臺移至第一真空吸附平臺下方并頂升或滾壓。
7、更進一步地，裁切邊框膜，并保留裁切掉的反應區位置邊框膜余料；
8、使用裁切的邊框膜反應區余料揭除保護膜作為填充層填充邊框膜的反應區。
9、更進一步地，裁切得到兩個挖空反應區的邊框膜；
10、將裁切后的一個邊框膜按照第一定位機構的位置固定在第一真空吸附平臺，使用填充層填充邊框膜的反應區；
11、將裁切后的三層膜結構固定在第二真空吸附平臺，揭除第一真空吸附平臺上的邊框膜的保護膜，第一定位機構對位后，第一驅動機構驅動第一真空吸附平臺翻轉，第二驅動機構驅動第二真空吸附平臺移至第一真空吸附平臺下方并頂升或滾壓；
12、第二真空吸附平臺和第一真空吸附平臺復位，揭除三層膜結構的保護膜；
13、第一真空吸附平臺翻轉，將裁切后的另一個邊框膜安裝第三定位機構的位置固定在第三真空吸附平臺，揭除保護膜，第三驅動機構驅動第三真空吸附平臺移至第一真空吸附平臺下方并頂升或滾壓。
14、更進一步地，對封裝后的膜電極進行定型沖切。
15、第二方面，本專利技術提供的封裝設備，用于實現如上述任一項所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，包括第一真空吸附平臺和第一定位機構；
16、所述第一定位機構與所述第一真空吸附平臺相對設置，且所述第一真空吸附平臺與所述第一定位機構相對的表面安裝有填充層；
17、所述第一真空吸附平臺用于固定邊框膜，所述填充層用于填充在所述邊框膜的反應區內，且所述填充層的表面與所述邊框膜的表面平齊。
18、更進一步地，所述第一定位機構設置為相機。
19、更進一步地，所述封裝設備包括第一驅動機構，所述第一驅動機構與所述第一真空吸附平臺傳動連接，以驅動所述第一真空吸附平臺翻轉。
20、更進一步地，所述封裝設備包括第二真空吸附平臺和第三真空吸附平臺；
21、所述第一真空吸附平臺位于所述第二真空吸附平臺和所述第三真空吸附平臺之間。
22、更進一步地，所述封裝設備還包括第二定位機構和第三定位機構；
23、所述第二定位機構與所述第二真空吸附平臺相對設置，所述第三定位機構與所述第三真空吸附平臺相對設置。
24、更進一步地，所述封裝設備還包括第二驅動機構和第三驅動機構；
25、所述第二驅動機構與所述第二真空吸附平臺傳動連接，以驅動所述第二真空吸附平臺向靠近或遠離所述第一真空吸附平臺背離所述第一定位機構的一側的方向移動，且向靠近或遠離所述第一真空吸附平臺的方向移動；
26、所述第三驅動機構與所述第三真空吸附平臺傳動連接，以驅動所述第三真空吸附平臺向靠近或遠離所述第一真空吸附平臺背離所述第一定位機構的一側的方向移動，且向靠近或遠離所述第一真空吸附平臺的方向移動。
27、綜合上述技術方案，本專利技術所能實現的技術效果分析如下：
28、本專利技術提供的冷貼膜電極邊框的封裝方法包括裁切得到挖空反應區的邊框膜；將邊框膜按照第一定位機構的位置固定在第一真空吸附平臺，使用填充層填充邊框膜的反應區；將裁切后的三層膜結構固定在第二真空吸附平臺，揭除第一真空吸附平臺上的邊框膜的保護膜，第一定位機構對位后，第一真空吸附平臺翻轉，第二真空吸附平臺移至第一真空吸附平臺下方并頂升或滾壓。該冷貼膜電極邊框的封裝方法使用第一真空吸附平臺對邊框膜進行固定，并通過在第一真空吸附平臺上與邊框膜反應區的對應位置填充填充層，達到消除邊框膜與三層膜結構在貼合過程中的高度差的目的，使貼合過程中及貼合完畢三層膜結構平整無褶皺，且使邊框膜在貼合的過程中受力均勻，邊框貼合后反應區面積不會發生形變，進而降低了膜電極漏氣風險，且保證了膜電極反應區面積，使膜電極的性能更加穩定。
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1.一種冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，裁切邊框膜，并保留裁切掉的反應區位置邊框膜余料；
3.根據權利要求1所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，裁切得到兩個挖空反應區的邊框膜；
4.根據權利要求3所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，對封裝后的膜電極進行定型沖切。
5.一種封裝設備，用于實現如權利要求1-4任一項所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，包括：
6.根據權利要求5所述的封裝設備，其特征在于，所述第一定位機構設置為相機。
7.根據權利要求5所述的封裝設備，其特征在于，所述封裝設備包括第一驅動機構，所述第一驅動機構與所述第一真空吸附平臺傳動連接，以驅動所述第一真空吸附平臺翻轉。
8.根據權利要求5-7任一項所述的封裝設備，其特征在于，所述封裝設備包括第二真空吸附平臺和第三真空吸附平臺；
9.根據權利要求8所述的封裝設備，其特征在于，所述封裝設備還包括第二定位機構和第三定位機構；>
10.根據權利要求9所述的封裝設備，其特征在于，所述封裝設備還包括第二驅動機構和第三驅動機構；
...【技術特征摘要】
1.一種冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，裁切邊框膜，并保留裁切掉的反應區位置邊框膜余料；
3.根據權利要求1所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，裁切得到兩個挖空反應區的邊框膜；
4.根據權利要求3所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，對封裝后的膜電極進行定型沖切。
5.一種封裝設備，用于實現如權利要求1-4任一項所述的冷貼膜電極邊框的封裝方法，其特征在于，包括：
6.根據權利要求5所述的封裝設備...
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡嘉琪，高臨庚，
申請(專利權)人：未勢能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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