【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及光電，具體涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、發(fā)光器件是指一類通過載流子的注入和復(fù)合而發(fā)光的器件，包括但不限于是有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode,oled)和量子點(diǎn)發(fā)光二極管(quantum?dotlight?emitting?diodes,qled)。發(fā)光器件具有“三明治”結(jié)構(gòu)，即包括陽極、陰極以及發(fā)光層，其中，陽極與陰極相對設(shè)置，發(fā)光層設(shè)置于陽極與陰極之間。發(fā)光器件的發(fā)光原理是：電子從器件的陰極注入至發(fā)光區(qū)，空穴從器件的陽極注入至發(fā)光區(qū)，電子和空穴在發(fā)光區(qū)復(fù)合形成激子，復(fù)合后的激子通過輻射躍遷的形式釋放光子，從而發(fā)光。
2、發(fā)光器件經(jīng)過多年的發(fā)展，性能指標(biāo)方面取得了巨大的進(jìn)步，也展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用發(fā)展?jié)摿Γ悄壳叭源嬖诓蛔阒帲绨l(fā)光器件的器件壽命有待進(jìn)一步地提升。因此，如何進(jìn)一步地提升發(fā)光器件的器件壽命對發(fā)光器件的應(yīng)用與發(fā)展具有重要意義。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備，以改善發(fā)光器件的器件壽命。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)光器件，包括：
3、相對設(shè)置的陽極和陰極；
4、發(fā)光層，設(shè)置于所述陽極與所述陰極之間；
5、電子功能層，設(shè)置于所述陰極與所述發(fā)光層之間；以及
6、輔助層，設(shè)置于所述電子功能層與所述發(fā)光層之間；
7、其中，所述輔助層包括連接基團(tuán)，所述連接基團(tuán)為下
8、
9、其中，*表示連接鍵；所述連接基團(tuán)分別與所述電子功能層和所述發(fā)光層相連接；
10、r1、r2、r5和r6彼此獨(dú)立地選自氫、氘、氚、取代或未取代的c1～c10的直鏈烴基或支鏈烴基、取代或未取代的c1～c10的直鏈烴氧基或支鏈烴氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為3～30的脂肪族環(huán)烴基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為3～30的脂肪族雜環(huán)烴基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6～30的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～30的雜芳基中的一種或多種的組合；
11、r3、r4、r7和r8彼此獨(dú)立地選自-(ch2)n-或-ch＝ch-，n為1～6的正整數(shù)。
12、可選地，所述取代或未取代的c1～c10的直鏈烴基或支鏈烴基選自c1～c3的直鏈烴基或支鏈烴基；和/或
13、所述取代或未取代的c1～c10的直鏈烴氧基或支鏈烴氧基選自c1～c3的直鏈烴氧基或支鏈烴氧基；和/或
14、所述取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為3～30的脂肪族環(huán)烴基選自環(huán)原子數(shù)為3～10的脂肪族環(huán)烴基；和/或
15、所述取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為3～30的脂肪族雜環(huán)烴基選自環(huán)原子數(shù)為3～10的脂肪族雜環(huán)烴基；和/或
16、所述取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為6～30的芳基選自環(huán)原子數(shù)為6～18的芳基；和/或
17、所述取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～30的雜芳基選自環(huán)原子數(shù)為5～18的雜芳基。
18、可選地，所述連接基團(tuán)選自下述基團(tuán)中的一種或多種：
19、
20、可選地，所述電子功能層的材料包含第一無機(jī)化合物，所述連接基團(tuán)連接所述第一無機(jī)化合物，所述第一無機(jī)化合物包括非摻雜型第一金屬氧化物、摻雜型第二金屬氧化物、ⅱ-ⅵ族半導(dǎo)體材料、ⅲ-ⅴ族半導(dǎo)體材料以及ⅰ-ⅲ-ⅵ族半導(dǎo)體材料中的一種或多種；
21、其中，所述非摻雜型第一金屬氧化物選自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、al2o3以及zro2中的一種或多種；和/或，所述摻雜型第二金屬氧化物為第一摻雜元素?fù)诫s的主體金屬氧化物，所述主體金屬氧化物選自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、al2o3或zro2，所述第一摻雜元素選自mg、ca、zr、w、ga、li、al、ti、y、in以及sn中的一種或多種，和/或所述摻雜型第二金屬氧化物中所述第一摻雜元素的摩爾百分比在50％以下；和/或，所述ⅱ-ⅵ族半導(dǎo)體材料選自zns、znse以及cds中的一種或多種；和/或，所述ⅲ-ⅴ族半導(dǎo)體材料選自inp以及gap中的一種或多種；和/或，所述ⅰ-ⅲ-ⅵ族半導(dǎo)體材料選自cuins以及cugas中的一種或多種；和/或
22、所述發(fā)光層的材料包含量子點(diǎn)，所述連接基團(tuán)連接所述量子點(diǎn)；所述量子點(diǎn)選自單一組分量子點(diǎn)、核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)、有機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)以及有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦量子點(diǎn)的一種或多種；所述單一組分量子點(diǎn)的材料、所述核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的核的材料以及所述核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的殼的材料彼此獨(dú)立地選自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一種，其中，所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的一種或多種，所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas以及inalpsb中的一種或多種，所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的一種或多種，所述i-iii-vi族化合物選自cuins、cuinse以及agins中的一種或多種；和/或，所述無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)通式為amx3，其中a為cs+，m為二價(jià)金屬陽離子，m選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+以及eu2+中的一種或多種，x為鹵素陰離子；和/或，所述有機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)通式為cmx3，c為甲脒基；和/或，所述有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)通式為bmx3，b為有機(jī)胺陽離子。
23、可選地，所述陽極的材料本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述取代或未取代的C1～C10的直鏈烴基或支鏈烴基選自C1～C3的直鏈烴基或支鏈烴基；和/或
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述連接基團(tuán)選自下述基團(tuán)中的一種或多種：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述電子功能層的材料包含第一無機(jī)化合物，所述連接基團(tuán)連接所述第一無機(jī)化合物，所述第一無機(jī)化合物包括非摻雜型第一金屬氧化物、摻雜型第二金屬氧化物、Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料、Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料以及Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料中的一種或多種；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材料和所述陰極的材料彼此獨(dú)立地包含金屬、碳材料以及第三金屬氧化物中的一種或多種；其中，所述金屬選自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Pt、Ca、Ir、Ni以及Mg中的一種或多種，和/或所述碳材料選自石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或多種，和/或所述第三金屬氧化物選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜
6.一種發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述輔助功能材料的質(zhì)量占所述溶液的總質(zhì)量的3％～5％；和/或
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述輔助功能材料選自下面化合物中的一種或多種：
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述發(fā)光器件為正置型結(jié)構(gòu)時(shí)，所述在所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述底電極的一面沉積包含輔助功能材料的溶液的步驟之后，且形成所述電子功能層的步驟之前，所述的制備方法還包括步驟：去除未與所述發(fā)光層相連接的所述輔助功能材料；
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)中所述的發(fā)光器件、或如權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)中所述的制備方法制得的發(fā)光器件。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述取代或未取代的c1～c10的直鏈烴基或支鏈烴基選自c1～c3的直鏈烴基或支鏈烴基；和/或
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述連接基團(tuán)選自下述基團(tuán)中的一種或多種：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述電子功能層的材料包含第一無機(jī)化合物，所述連接基團(tuán)連接所述第一無機(jī)化合物，所述第一無機(jī)化合物包括非摻雜型第一金屬氧化物、摻雜型第二金屬氧化物、ⅱ-ⅵ族半導(dǎo)體材料、ⅲ-ⅴ族半導(dǎo)體材料以及ⅰ-ⅲ-ⅵ族半導(dǎo)體材料中的一種或多種；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材料和所述陰極的材料彼此獨(dú)立地包含金屬、碳材料以及第三金屬氧化物中的一種或多種；其中，所述金屬選自al、ag、cu、mo、au、ba、pt、ca、ir、ni以及mg中的一種或多種，和/或所述碳材料選自石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或多種，和/...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳勁衡，
申請(專利權(quán))人：TCL科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。