【技術實現步驟摘要】
本公開涉及集成電路領域，尤其涉及一種芯片內部電路快速上電裝置及其工作方法。
技術介紹
1、在很多應用中都要求系統能夠快速啟動，系統的快速啟動取決于芯片的內部電路，而功耗又是芯片設計中的重要指標，一般通過降低支路電流降低功耗。電容是電路設計中的常用元器件，被廣泛的應用于濾波、隔離以及噪聲處理等領域。在電路設計中，有時根據功能需求需要用到容值較大的電容，特別是低功耗電路應用越來越廣泛，但較大的電容建立目標電位時間較長，這會影響芯片電路的冷啟動性能。因此，研究通過縮短大電容建立目標電位的時間實現芯片內部電路快速上電的裝置及方法十分必要。
技術實現思路
1、本公開提供了一種芯片內部電路快速上電裝置及其工作方法。
2、根據本公開的第一方面，提供了一種芯片內部電路快速上電裝置。該裝置包括：
3、充電支路和快速上電支路；其中，
4、充電支路包括晶體管pm1、晶體管pm2、電容c1和電阻r1；
5、快速上電支路包括晶體管pm3、晶體管pm4、晶體管pm5、比較器comp1和電阻r2；
6、上電初始，充電支路中，第一電流依次經過晶體管pm1和晶體管pm2后，一部分流向電容c1，給電容c1充電，另一部分流向電阻r1，以便通過電阻r1產生比較器comp1正輸入端口輸入的電壓；
7、快速上電支路中，第二電流依次經過晶體管pm4、晶體管pm5和電阻r2，以便通過電阻r2產生比較器comp1負輸入端口輸入的電壓；當正輸入端口輸入的電壓低于
8、在第一方面的一些可實現方式中，充電支路通過以下方式連接：
9、晶體管pm1的源極連接電源vdd，柵極連接第一控制電位端口vb1，漏極連接晶體管pm2的源極；
10、晶體管pm2的柵極連接第二控制電位端口vb2，漏極分別連接電阻r1的一端和電容c1的一端；
11、電阻r1的另一端和電容c1的另一端分別接地。
12、在第一方面的一些可實現方式中，快速上電支路通過以下方式連接：
13、晶體管pm3和晶體管pm4的源極分別連接電源vdd，晶體管pm3的柵極連接比較器comp1的輸出端口，漏極分別連接電容c1的一端和比較器comp1的正輸入端口；
14、晶體管pm4的柵極連接第一控制電位端口vb1，漏極連接晶體管pm5的源極；
15、晶體管pm5的柵極連接第二控制電位端口vb2，漏極分別連接電阻r2的一端和比較器comp1的負輸入端口；
16、電阻r2的另一端接地。
17、在第一方面的一些可實現方式中，
18、晶體管pm1與所述晶體管pm4的尺寸相同；
19、晶體管pm2和所述晶體管pm5的尺寸相同；
20、電阻r1的阻值大于所述電阻r2的阻值。
21、在第一方面的一些可實現方式中，晶體管pm1、晶體管pm2、晶體管pm3、晶體管pm4、晶體管pm5在柵極輸入的電壓為低電平時導通。
22、根據本公開的第二方面，提供了一種芯片內部電路快速上電的工作方法。該方法包括：
23、將第一控制電位端口vb1與第二控制電位端口vb2的控制電壓均設置為低電平，晶體管pm1、晶體管pm2、晶體管pm4和晶體管pm5導通；
24、第一電流依次經過晶體管pm1和晶體管pm2后，一部分電流為電容c1充電，另一部分電流通過電阻r1產生比較器comp1正輸入端口輸入的電壓；第二電流依次經過晶體管pm4、晶體管pm5和電阻r2，通過電阻r2產生比較器comp1負輸入端口輸入的電壓；
25、上電初始，正輸入端口輸入的電壓低于負輸入端口輸入的電壓，比較器comp1輸出端口輸出的電壓為低電平，晶體管pm3導通，第三電流通過晶體管pm3給電容c1充電；隨著上電時間的推移，正輸入端口輸入的電壓高于負輸入端口輸入的電壓，比較器comp1輸出端口輸出的電壓為高電平，晶體管pm3斷開，快速上電支路停止工作。
26、在第二方面的一些可實現方式中，第一電流、第二電流、第三電流的電流值與對應晶體管的溝道寬長比成正相關；其中，
27、第一電流的電流值等于第二電流的電流值。
28、在本公開中，該裝置包括充電支路和快速上電支路；其中，充電支路包括晶體管pm1、晶體管pm2、電容c1和電阻r1；快速上電支路包括晶體管pm3、晶體管pm4、晶體管pm5、比較器comp1和電阻r2；上電初始，充電支路中，第一電流依次經過晶體管pm1和晶體管pm2后，一部分流向電容c1，給電容c1充電，另一部分流向電阻r1，以便通過電阻r1產生比較器comp1正輸入端口輸入的電壓；快速上電支路中，第二電流依次經過晶體管pm4、晶體管pm5和電阻r2，以便通過電阻r2產生比較器comp1負輸入端口輸入的電壓；當正輸入端口輸入的電壓低于負輸入端口輸入的電壓時，晶體管pm3導通，第三電流通過晶體管pm3流向電容c1，給電容c1充電；當正輸入端口輸入的電壓高于負輸入端口輸入的電壓時，晶體管pm3斷開，快速上電支路停止工作；其中，第一電流、第二電流、第三電流分別由電源vdd提供。以此方式，可以使低功耗電路的芯片內部電路快速上電，并滿足絕大多數系統的上電時間要求。
29、應當理解，
技術實現思路
部分中所描述的內容并非旨在限定本公開的實施例的關鍵或重要特征，亦非用于限制本公開的范圍。本公開的其它特征將通過以下的描述變得容易理解。
【技術保護點】
1.一種芯片內部電路快速上電裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述充電支路通過以下方式連接：
3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述快速上電支路通過以下方式連接：
4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，
6.一種應用于如權利要求1-5中任一項所述的芯片內部電路快速上電裝置的工作方法，其特征在于，所述方法包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種芯片內部電路快速上電裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述充電支路通過以下方式連接：
3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述快速上電支路通過以下方式連接：
4.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：尹鴻杰，劉志哲，王波，劉曉東，李聰，尹鑫，
申請(專利權)人：拓維電子科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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