【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及柔性線路板制作領域，具體涉及一種具有高容值的薄型埋容線路板及其制作方法。
技術介紹
1、電容是線路板中常見的電子元器件，其基本結構是由兩個相對放置的具有一定面積的導體以及位于兩個導體之前的絕緣介質組成的。電容最重要的一個指標是容值，而容值與兩個導體相正對的面積、絕緣介質的介電常數成正比，與絕緣介質的厚度成反比。
2、電容在電路中扮演著重要的角色，具有多種作用和用途，包括但不限于儲能、濾波、耦合和調節電壓等。目前，線路板上設置電容的最常見方法有表面貼裝、插裝等安裝方法。這兩種方法都只能在線路板的表面安裝電容。根據線路板中線路和功能的不同，線路板上的電容元器件從1-2個到數百個不等，大量的電容元器件需要占據非常大的面積，增加了線路板的尺寸。
3、為了克服電容元器件導致的線路板面積增加的問題，目前已有一些將電容置于線路板中間(內層)的方法。例如，3m公司開發了一種埋容薄膜材料。該材料由陶瓷填充的環氧絕緣介質和設置在絕緣介質兩邊的銅箔組成，絕緣介質的厚度最小為3μm，絕緣介質的介電常數為22，這款材料的電容密度可以達到6.2nf/cm2。然而，使用這款材料在面積較小的線路板上無法形成具有大容值(例如μf、mf等級別)的電容。另一種方式是直接將電容元器件使用疊層材料填埋在線路板中間，這樣可以在較小面積內獲得較大的電容。然而，由于目前可用于安裝的電容元器件最小厚度仍超過0.15mm，這使得這種填埋的方法無法在厚度非常薄的線路板(尤其是柔性線路板)中采用。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術實施例提供了一種具有高容值的薄型埋容線路板及其制作方法，以解決現有埋容技術無法形成同時具有高容值和低厚度的電容線路板的問題。
2、本專利技術提供了一種具有高容值的薄型埋容線路板的制作方法，所述方法包括：
3、提供柔性基材，在所述柔性基材的第一側制作出第一電極層；
4、采用物理沉積或化學沉積的方法，在所述第一電極層遠離所述第一柔性基材的一側上形成第一絕緣介質層；
5、采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側上形成第二電極層，得到初始埋容線路板；其中，所述第二電極層在所述第一絕緣介質層上的投影與所述第一電極層在所述第一絕緣介質層上的投影存在重疊；
6、對所述初始埋容線路板進行外表面處理，得到目標埋容線路板。
7、可選地，所述采用物理沉積或化學沉積的方法，在所述第一電極層遠離所述第一柔性基材的一側上形成第一絕緣介質層之前，所述方法還包括：
8、按照預設電容設計資料，在所述第一電極層遠離所述第一柔性基材的一側上貼合第一掩板；
9、對應地，采用物理沉積或化學沉積的方法，在所述第一電極層的第一側上形成第一絕緣介質層，具體為：
10、基于所述第一掩板，采用磁控濺射的方法，在所述第一電極層遠離所述第一柔性基材的一側上形成所述第一絕緣介質層；
11、在形成所述第一絕緣介質層后，去除所述第一電極層上貼合的所述第一掩板。
12、可選地，所述第一掩板為金屬蓋板、聚合物薄膜和感光覆蓋膜中的任一種。
13、可選地，所述第一絕緣介質層由鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、鋯鈦酸鉛、鈦酸鈣中的任一種或任幾種的混合物組成。
14、可選地，所述第一絕緣介質層的厚度范圍均為10nm～3μm。
15、可選地，所述第一絕緣介質層的厚度范圍均為300nm～1μm。
16、可選地，所述采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側上形成第二電極層，得到初始埋容線路板，包括：
17、采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側上形成金屬種子層；
18、按照預設電容設計資料，依次采用曝光顯影的制程和蝕刻的制程，在所述第一金屬種子層上進行圖案制作，使得所述第一金屬種子層形成所述第二電極層，得到所述初始埋容線路板。
19、可選地，所述采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側上形成第二電極層，得到初始埋容線路板，包括：
20、按照預設電容設計資料，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側貼合第二掩板；
21、基于所述第二掩板，采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側上形成具有圖案的金屬種子層，使得具有圖案的所述金屬種子層形成所述第二電極層；
22、在形成所述第二電極層后，去除所述第一絕緣介質層上貼合的所述第二掩板，得到所述初始埋容線路板。
23、可選地，當形成的所述金屬種子層的厚度小于或等于預設閾值時，所述方法還包括：
24、采用電鍍或化學鍍的方法，對形成的所述金屬種子層進行增厚。
25、可選地，所述對所述初始埋容線路板進行外表面處理之前，所述方法還包括：
26、將所述第一電極層和所述第二電極層分別進行線路引出。
27、可選地，所述采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側上形成第二電極層之后，所述方法還包括：
28、采用物理沉積或化學沉積的方法，在所述第二電極層遠離所述第一絕緣介質層的一側上形成第二絕緣介質層；
29、采用真空濺射的方法，在所述第二絕緣介質層遠離所述第二電極層的一側上形成第三電極層；其中，所述第三電極層在所述第二絕緣介質層上的投影與所述第二電極層在所述第二絕緣介質層上的投影存在重疊，且所述第三電極層與所述第一電極層之間為電連接狀態。
30、可選地，所述柔性基板為單面板、雙面板或多層板中的任一種。
31、此外，本專利技術還提供一種具有高容值的薄型埋容線路板，采用前述的制作方法制作而成。
32、本專利技術的有益效果：利用柔性基材制作第一電極層，利用真空濺射的方法形成第二電極層，利用物理沉積或化學沉積的方法在第一電極層與第二電極層之間形成第一絕緣層介質層，可以分別形成平鋪面積大、厚度薄的第一電極層、第二電極層和第一絕緣介質層；其中第二電極層在第一絕緣層介質層上的投影與第一電極層在第一絕緣介質層上的投影存在重疊，意味著第一電極層與第二電極層之間完全正對或部分正對，進而基于二者(即第一電極層與第二電極層)之間的第一絕緣介質層，可以形成單位面積容值大、厚度薄的初始埋容線路板，最后通過初始埋容線路板的外表面處理，得到的目標埋容線路板能同時滿足高容值和低厚度的電容產品要求。
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1.一種具有高容值的薄型埋容線路板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用物理沉積或化學沉積的方法，在所述第一電極層遠離所述第一柔性基材的一側上形成第一絕緣介質層之前，所述方法還包括：
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩板為金屬蓋板、聚合物薄膜和感光覆蓋膜中的任一種。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣介質層由鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、鋯鈦酸鉛、鈦酸鈣中的任一種或任幾種的混合物組成。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣介質層的厚度范圍均為10nm～3μm。
6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣介質層的厚度范圍均為300nm～1μm。
7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側上形成第二電極層，得到初始埋容線路板，包括：
8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用真空濺射的
9.根據權利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，當形成的所述金屬種子層的厚度小于或等于預設閾值時，所述方法還包括：
10.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述對所述初始埋容線路板進行外表面處理之前，所述方法還包括：
11.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的一側上形成第二電極層之后，所述方法還包括：
12.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述柔性基板為單面板、雙面板或多層板中的任一種。
13.一種具有高容值的薄型埋容線路板，其特征在于，采用如權利要求1至12任一項所述的制作方法制作而成。
...【技術特征摘要】
1.一種具有高容值的薄型埋容線路板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用物理沉積或化學沉積的方法，在所述第一電極層遠離所述第一柔性基材的一側上形成第一絕緣介質層之前，所述方法還包括：
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩板為金屬蓋板、聚合物薄膜和感光覆蓋膜中的任一種。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣介質層由鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、鋯鈦酸鉛、鈦酸鈣中的任一種或任幾種的混合物組成。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣介質層的厚度范圍均為10nm～3μm。
6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣介質層的厚度范圍均為300nm～1μm。
7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用真空濺射的方法，在所述第一絕緣介質層遠離所述第一電極層的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張杰，曹建誠，胡宗敏，
申請(專利權)人：鹽城維信電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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