【技術實現步驟摘要】
本申請涉及晶圓切割，具體而言，涉及一種晶圓切割方法。
技術介紹
1、在現有的晶圓切割技術流程中，常見的做法首先是將晶圓粘貼到粘性薄膜上。隨后，使用膠帶切割機對晶圓進行精確的切割。在這個過程中，粘性薄膜也會因為與晶圓相連而被部分切割。切割完成后，為了進一步分離粘性薄膜與切割后的單個封裝單元，會采用uv光對晶圓進行照射。最后，經過上述步驟的處理，切割后的單個封裝單元被挑出，為后續的生產或測試環節做好準備。
2、但使用粘性薄膜具有局限性。首先，粘性薄膜的成本非常高。每卷粘性薄膜的價格在2萬至5萬元人民幣之間，而一卷粘性薄膜通常可以生產220個晶圓。這意味著，每個晶圓在粘性薄膜上的成本至少為90.9元。這樣的成本對于大規模生產來說是一個不小的負擔。其次，粘性薄膜在使用后無法被重復利用。這導致了資源的浪費，并且從環保的角度來看，這種一次性使用的特性并不符合當前的可持續發展理念。
技術實現思路
1、為了克服現有技術中的上述不足，本申請提供一種晶圓切割方法，所述方法包括：
2、提供晶圓切割治具，所述晶圓切割治具包括容置槽，所述容置槽內具有晶圓粘附材料；
3、通過所述晶圓切割治具對所述晶圓粘附材料進行第一次加熱，使所述晶圓粘附材料熔化至液態；
4、將待切割晶圓放置于所述容置槽內；
5、停止對所述晶圓粘附材料加熱，使所述晶圓粘附材料冷卻至固態，粘附所述待切割晶圓；
6、對所述待切割晶圓進行切割，得到多個封裝單元；
7
8、將多個所述封裝單元從所述容置槽中取出。
9、在一些可能的實施方式中，所述晶圓粘附材料包括熔點介于50℃和100℃之間的惰性材料。
10、在一些可能的實施方式中，所述晶圓粘附材料包括石蠟。
11、在一些可能的實施方式中，所述通過所述晶圓切割治具對所述晶圓粘附材料進行第一次加熱，使所述晶圓粘附材料熔化至液態的方法包括：
12、將所述晶圓切割治具置于平臺內，所述平臺具有加熱和冷卻功能；
13、通過所述平臺對所述晶圓切割治具進行加熱，使所述容置槽內的所述晶圓粘附材料熔化為液態。
14、在一些可能的實施方式中，所述將待切割晶圓放置于所述容置槽內的方法包括：
15、將所述待切割晶圓放置于所述容置槽內，所述待切割晶圓暴露于所述容置槽內的所述晶圓粘附材料。
16、在一些可能的實施方式中，所述停止對所述晶圓粘附材料加熱，使所述晶圓粘附材料冷卻至固態，粘附所述待切割晶圓的方法包括：
17、通過所述平臺對所述容置槽內的所述晶圓粘附材料進行冷卻，使所述晶圓粘附材料凝固為固態。
18、在一些可能的實施方式中，所述對所述待切割晶圓進行切割，得到多個封裝單元的方法包括：
19、使用帶鋸對所述待切割晶圓進行切割，得到多個所述封裝單元。
20、在一些可能的實施方式中，所述通過所述晶圓切割治具對所述晶圓粘附材料進行第二次加熱，使所述晶圓粘附材料熔化至液態的方法包括：
21、通過所述平臺對所述容置槽中的所述晶圓粘附材料進行第二次加熱。
22、在一些可能的實施方式中，將多個所述封裝單元從所述容置槽中取出后，所述方法還包括：
23、通過所述平臺對多個所述封裝單元進行第三次加熱，使所述晶圓粘附材料從多個所述封裝單元表面熔化或蒸發。
24、在一些可能的實施方式中，將多個所述封裝單元從所述晶圓粘附材料中取出后，所述方法還包括：
25、收集所述晶圓切割治具的容置槽內的所述晶圓粘附材料。
26、相對于現有技術而言，本申請具有以下有益效果：
27、在本申請中，采用熔點介于50至100℃之間的惰性材料來替代傳統的粘性薄膜，不僅能夠降低了生產成本，還具有環保性。這種惰性材料能夠在切割過程中有效地固定晶圓，確保切割的精確度和穩定性，同時避免了粘性薄膜在切割時產生的額外消耗和浪費。同時，使用后的惰性材料并非一次性產品，而是可以經過回收后重新利用，減少了資源消耗，為企業帶來了經濟效益，也符合循環經濟理念。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種晶圓切割方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述晶圓粘附材料包括熔點介于50℃和100℃之間的惰性材料。
3.根據權利要求2所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述晶圓粘附材料包括石蠟。
4.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述通過所述晶圓切割治具對所述晶圓粘附材料進行第一次加熱，使所述晶圓粘附材料熔化至液態的方法包括：
5.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述將待切割晶圓放置于所述容置槽內的方法包括：
6.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述停止對所述晶圓粘附材料加熱，使所述晶圓粘附材料冷卻至固態，粘附所述待切割晶圓的方法包括：
7.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述對所述待切割晶圓進行切割，得到多個封裝單元的方法包括：
8.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述通過所述晶圓切割治具對所述晶圓粘附材料進行第二次加熱，使所述晶圓粘附材料熔化至液態的方法包括：
9.根
10.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，將多個所述封裝單元從所述晶圓粘附材料中取出后，所述方法還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓切割方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述晶圓粘附材料包括熔點介于50℃和100℃之間的惰性材料。
3.根據權利要求2所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述晶圓粘附材料包括石蠟。
4.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述通過所述晶圓切割治具對所述晶圓粘附材料進行第一次加熱，使所述晶圓粘附材料熔化至液態的方法包括：
5.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述將待切割晶圓放置于所述容置槽內的方法包括：
6.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述停止對所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄒克，劉星華，李永強，佃麗雯，
申請(專利權)人：成都奕成集成電路有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。