【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于射頻濾波器，具體涉及一種聲表面波諧振器質量負載制備工藝及半導體結構。
技術介紹
1、射頻(rf)濾波器的主要功能是衰減某些不需要頻段中的信號,而只對所需頻段中的信號產生最小的影響。rf濾波器在通過無線鏈路傳輸信息的通信系統中使用，例如，rf濾波器可以在蜂窩基站、移動電話和計算設備、衛星收發器和地面基站、iot(物聯網)設備、膝上型計算機和平板電腦、定點無線電鏈路和其他通信系統的rf前端中找到。rf濾波器也在雷達、以及電子和信息戰系統中使用。
2、用于當前通信系統的高性能rf濾波器通常包含聲波諧振器，該聲波諧振器包括表面聲波諧振器(saw)、體聲波諧振器(baw)、薄膜體聲波諧振器(fbar)以及橫向激勵膜體聲波諧振器(xbar)等。其中，為了提升表面聲波諧振器(saw)的溫度特性，通過在其idt(叉指換能器)上覆蓋溫度補償層，形成溫度補償聲表面濾波器(temperature?compensated?saw，簡稱：tc-saw)，由于溫度補償層的存在，tc-saw相較saw的溫度特性有了顯著提升。
3、溫度補償聲表面濾波器由于雜波較多，通常需要在叉指上制備質量負載以抑制雜波，這種質量負載層也被稱為piston。傳統工藝制備叉指換能器(idt)和piston的工序順序為：idt光刻-idt鍍膜-idt剝離；piston光刻-piston鍍膜-piston剝離。由于idt和piston的cd(線寬)較小，兩層之間的對準偏移變得不可忽略。再加上晶圓本身的翹曲，進一步加劇了這兩層的偏移量，如圖1所示，
4、由于saw器件的叉指電極比較窄(微米到亞微米級)，且隨著頻率的升高，叉指電極會變得更窄。在叉指電極上制備piston結構對套刻精度要求非常高，這就對光刻機能力、光刻工藝、晶圓平坦度等提出了更高的要求。同時，由于piston線寬比叉指電極的線寬更窄，導致圖形形狀有偏差，需要增加光學鄰近校正(opc)技術來盡量修正偏差，進一步增加了光刻工藝優化難度。
技術實現思路
1、為了解決上述問題，本專利技術提供一種聲表面波諧振器質量負載制備工藝及半導體結構。采用該工藝大大降低了對套刻精度的要求，能更好的控制產品的一致性、提高產品質量。
2、本專利技術所采用的技術方案為：
3、本申請公開了一種聲表面波諧振器質量負載制備工藝，包括：
4、準備晶圓；利用光刻工藝在所述晶圓上形成第一光刻膠圖層，所述第一光刻膠圖層用于將第一掩模版上的idt圖形轉移至晶圓上；在形成有第一光刻膠圖層的晶圓上按照設計厚度要求沉積一層idt材料的薄膜；在完成idt鍍膜后的晶圓上形成第二光刻膠圖層，所述第二光刻膠圖層用于將第二掩模版上的質量負載圖形轉移至形成于晶圓上的idt圖形上；在形成有第二光刻膠圖層的晶圓上按照設計厚度要求沉積一層質量負載材料的薄膜；最后剝離晶圓上的光刻膠，使得覆蓋于光刻膠上的idt材料薄膜和/或質量負載材料薄膜一同被剝離，未覆蓋于光刻膠上的idt材料薄膜和質量負載材料薄膜則被保留。
5、作為一種可選的技術方案，所述晶圓采用鈮酸鋰、鉭酸鋰、si、sic、gan、al2o3或金剛石半導體材料。
6、作為一種可選的技術方案，所述idt材料層采用金屬ti、al、cu、cr、ag、mo、w、pt、alcu合金、tiw中的兩種及以上材料的組合。
7、作為一種可選的技術方案，所述質量負載材料層采用金屬ti、al、cu、cr、ag、mo、w、pt、alcu合金、tiw中的兩種及以上材料的組合。
8、作為一種可選的技術方案，所述第一光刻膠圖層具有第一工藝窗口，所述第二光刻膠圖層具有第二工藝窗口，所述第二工藝窗口的寬度大于第一工藝窗口的寬度70nm-1000nm。
9、作為一種可選的技術方案，剝離晶圓上的光刻膠時，采用剝離浮脫lift-off工藝。
10、本申請還公開了一種半導體結構，應用于如上述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，所述半導體結構包括：晶圓；形成于晶圓上的第一光刻膠圖層，所述第一光刻膠圖層用于將第一掩模版上的idt圖形轉移至晶圓上；形成于晶圓以及第一光刻膠圖層上的idt材料薄膜；形成于idt材料薄膜上的第二光刻膠圖層，所述第二光刻膠圖層用于將第二掩模版上的質量負載圖形轉移至形成于晶圓上的idt圖形上；形成于第二光刻膠圖層以及idt材料薄膜上的質量負載材料薄膜。
11、作為一種可選的技術方案，所述第一光刻膠圖層具有第一工藝窗口，所述第二光刻膠圖層具有第二工藝窗口，所述第二工藝窗口的寬度大于第一工藝窗口的寬度70nm-1000nm。
12、本專利技術的有益效果為：采用本申請的制備工藝，大大降低了對套刻精度的要求，因此對光刻機能力、光刻工藝、晶圓平坦度等的要求也比傳統工藝低。同時本申請制備工藝的piston結構在光刻板上的cd比叉指電極寬，相比傳統piston結構則不需要運用opc技術修正圖形偏差。采用本申請工藝能更好的控制產品的一致性、提高產品質量。總之，對于本申請的制備工藝，其工藝難度更小，而制備出的產品質量穩定性及一致性均更佳。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于：所述晶圓采用鈮酸鋰、鉭酸鋰、Si、SiC、GaN、Al2O3或金剛石半導體材料。
3.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于：所述IDT材料層采用金屬Ti、Al、Cu、Cr、Ag、Mo、W、Pt、AlCu合金、TiW中的兩種及以上材料的組合。
4.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于：所述質量負載材料層采用金屬Ti、Al、Cu、Cr、Ag、Mo、W、Pt、AlCu合金、TiW中的兩種及以上材料的組合。
5.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于：所述第一光刻膠圖層具有第一工藝窗口，所述第二光刻膠圖層具有第二工藝窗口，所述第二工藝窗口的寬度大于第一工藝窗口的寬度70nm-1000nm。
6.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于：剝離晶圓上的光刻膠時，采用剝離浮脫lift-off工藝。
7
8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于：所述第一光刻膠圖層具有第一工藝窗口，所述第二光刻膠圖層具有第二工藝窗口，所述第二工藝窗口的寬度大于第一工藝窗口的寬度70nm-1000nm。
...【技術特征摘要】
1.一種聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于：所述晶圓采用鈮酸鋰、鉭酸鋰、si、sic、gan、al2o3或金剛石半導體材料。
3.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于：所述idt材料層采用金屬ti、al、cu、cr、ag、mo、w、pt、alcu合金、tiw中的兩種及以上材料的組合。
4.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器質量負載制備工藝，其特征在于：所述質量負載材料層采用金屬ti、al、cu、cr、ag、mo、w、pt、alcu合金、tiw中的兩種及以上材料的組合。
5.根據權利要求1所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張志民，張樹民，汪泉，張敬迎，
申請(專利權)人：左藍微江蘇電子技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。