【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及計(jì)算機(jī)科學(xué)，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置及方法。
技術(shù)介紹
1、隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是在高集成度和小型化芯片的生產(chǎn)中，傳統(tǒng)的全面質(zhì)檢方法面臨著效率低、資源浪費(fèi)等問(wèn)題。傳統(tǒng)質(zhì)檢方法通常要求對(duì)每個(gè)產(chǎn)品的每個(gè)質(zhì)檢指標(biāo)(如表面缺陷、電氣性能、靜電放電等)進(jìn)行全面檢測(cè)，雖然能確保質(zhì)量，但這種方法耗時(shí)且難以適應(yīng)高產(chǎn)能生產(chǎn)線的需求。此外，質(zhì)量控制往往依賴于人工判斷和歷史經(jīng)驗(yàn)，存在誤差，且難以在生產(chǎn)過(guò)程中動(dòng)態(tài)優(yōu)化。為了提高生產(chǎn)效率并滿足高精度質(zhì)量控制的需求，迫切需要一種新的質(zhì)檢方案，能夠減少不必要的全面檢測(cè)并優(yōu)化質(zhì)檢流程。
2、現(xiàn)階段相關(guān)技術(shù)中，存在半導(dǎo)體芯片質(zhì)檢中全面檢測(cè)效率低、資源浪費(fèi)的技術(shù)問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)通過(guò)提供一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置及方法，采用質(zhì)檢指標(biāo)確定模塊，用于確定待檢半導(dǎo)體的多個(gè)預(yù)設(shè)質(zhì)檢指標(biāo)；分布概率分析模塊，針對(duì)各質(zhì)檢指標(biāo)進(jìn)行缺陷分布概率分析，生成缺陷概率；抽樣檢測(cè)模塊，根據(jù)缺陷概率和待檢批次產(chǎn)品數(shù)量進(jìn)行抽樣檢測(cè)，生成多個(gè)不合格率；補(bǔ)償融合模塊，將不合格率輸入并行融合網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行補(bǔ)償融合，生成融合不合格率；質(zhì)檢結(jié)果生成模塊，根據(jù)融合不合格率生成最終質(zhì)檢結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了提高半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢效率、保證了質(zhì)檢準(zhǔn)確性的技術(shù)效果。
2、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，包括：
3、質(zhì)檢指標(biāo)確定模塊，所述質(zhì)檢指標(biāo)確定模塊用于確定待檢半導(dǎo)體的多個(gè)預(yù)設(shè)質(zhì)檢指標(biāo)；分布概率分析模塊，所述分布概率分析模塊用于針對(duì)
4、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)方法，包括：
5、確定待檢半導(dǎo)體的多個(gè)預(yù)設(shè)質(zhì)檢指標(biāo)；針對(duì)所述多個(gè)預(yù)設(shè)質(zhì)檢指標(biāo)分別進(jìn)行缺陷分布概率分析，生成多個(gè)缺陷概率；基于所述多個(gè)缺陷概率和所述待檢半導(dǎo)體的待檢批次產(chǎn)品數(shù)量進(jìn)行多種檢測(cè)指標(biāo)的抽樣檢測(cè)，生成多個(gè)指標(biāo)不合格率；將所述多個(gè)指標(biāo)不合格率輸入預(yù)訓(xùn)練的并行融合網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行并行存在補(bǔ)償融合，生成融合不合格率；根據(jù)所述融合不合格率生成所述待檢半導(dǎo)體的質(zhì)檢結(jié)果。
6、擬通過(guò)本申請(qǐng)?zhí)岢龅囊环N半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置及方法，首先質(zhì)檢指標(biāo)確定模塊，用于確定待檢半導(dǎo)體的多個(gè)預(yù)設(shè)質(zhì)檢指標(biāo)；分布概率分析模塊，針對(duì)各質(zhì)檢指標(biāo)進(jìn)行缺陷分布概率分析，生成缺陷概率；抽樣檢測(cè)模塊，根據(jù)缺陷概率和待檢批次產(chǎn)品數(shù)量進(jìn)行抽樣檢測(cè)，生成多個(gè)不合格率；補(bǔ)償融合模塊，將不合格率輸入并行融合網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行補(bǔ)償融合，生成融合不合格率；質(zhì)檢結(jié)果生成模塊，根據(jù)融合不合格率生成最終質(zhì)檢結(jié)果，達(dá)到了提高半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢效率、保證了質(zhì)檢準(zhǔn)確性的技術(shù)效果。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述分布概率分析模塊包括：
3.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述抽樣檢測(cè)模塊包括：
4.如權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述結(jié)果檢測(cè)單元包括：
5.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述補(bǔ)償融合模塊包括：
6.如權(quán)利要求5所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述并行融合網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建單元包括：
7.如權(quán)利要求6所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述特征關(guān)聯(lián)度分析子單元包括：
8.一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，所述方法包括：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述分布概率分析模塊包括：
3.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述抽樣檢測(cè)模塊包括：
4.如權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝質(zhì)檢檢測(cè)裝置，其特征在于，所述結(jié)果檢測(cè)單元包括：
5.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片封裝...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王培吉，羅宗恒，徐廷寧，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：浙江帕奇?zhèn)I(yè)半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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