【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于led封裝，具體涉及一種發(fā)光模組及具有該發(fā)光模組的車燈。
技術(shù)介紹
1、隨著照明技術(shù)的發(fā)展，迫切需要導(dǎo)入高動(dòng)態(tài)對(duì)比的光源器件。尤其是在車用智能照明領(lǐng)域，對(duì)光源提出了更高亮度與更佳對(duì)比度的要求。
2、現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)將多個(gè)芯片分別進(jìn)行獨(dú)立封裝后貼裝在pcb上，再采用純白墻膠填充的方式進(jìn)行芯片的隔絕，來(lái)提高對(duì)比度。
3、然而，上述方式存在短處：純白墻膠填充方式，會(huì)導(dǎo)致單元間距較小(＜200μm)時(shí)，單元間互相竄光，影響對(duì)比度。
4、公開于該
技術(shù)介紹
部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本專利技術(shù)的總體背景的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種發(fā)光模組及車燈，其能夠適用不同單元間距，滿足對(duì)比度提升的同時(shí)，不會(huì)大幅度降低亮度，同時(shí)提高單元的散熱速率，提高產(chǎn)品可靠性。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)一具體實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下：
3、一種發(fā)光模組，包括：
4、陣列設(shè)置的若干發(fā)光單元，相鄰所述發(fā)光單元之間間隔設(shè)置；
5、金屬反射層，形成于每個(gè)所述發(fā)光單元的周面上，所述金屬反射層至少覆蓋所述發(fā)光單元的部分周面；以及
6、第一膠層，填充于相鄰所述發(fā)光單元之間。
7、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光單元包括led芯片以及光轉(zhuǎn)換層，所述光轉(zhuǎn)換層覆蓋于所述led芯片上并形成獨(dú)立的像素
8、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述金屬反射層的厚度自所述光轉(zhuǎn)換層向所述led芯片方向減小。
9、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述金屬反射層包括沿所述發(fā)光單元厚度方向依次設(shè)置的多個(gè)子金屬層段。
10、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)所述子金屬層段的厚度自所述光轉(zhuǎn)換層向所述led芯片方向減小。
11、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述子金屬層段具有背離所述發(fā)光單元的第一表面，至少一個(gè)所述子金屬層段的第一表面上形成有凸起和/凹陷。
12、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)所述子金屬層段具有相對(duì)的第一端和第二端，每個(gè)所述子金屬層段的第一端的厚度大于與所述第一端相鄰的所述子金屬層段的第二端的厚度，且第二端的厚度小于與所述第二端相鄰的所述子金屬層段的第一端的厚度。
13、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述金屬反射層具有背離所述發(fā)光單元的第一表面，所述第一表面上形成有凸起和/或凹陷。
14、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述第一膠層為白色的熱固性樹脂材料；和/或，
15、所述金屬反射層的材料為耐高溫金屬材料；和/或，
16、所述金屬反射層在可見光波段的反射率大于70％；和/或，
17、所述金屬反射層包括al層或ag層。
18、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光模組還包括填充層，所述填充層形成于所述發(fā)光單元和所述金屬反射層之間。
19、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述填充層為絕緣材料，包括al2o3層或第二膠層，所述第二膠層為白色的熱固性樹脂材料；和/或，
20、所述填充層具有背離所述發(fā)光單元的第二表面，所述第二表面被設(shè)置為平整面，所述金屬反射層形成于所述第二表面上。
21、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，相鄰所述發(fā)光單元之間的間距范圍為5μm-200μm。
22、一種車燈，包括上述的發(fā)光模組。
23、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的發(fā)光模組及車燈，其能夠適用不同發(fā)光單元間距(5μm～200μm)，滿足對(duì)比度提升的同時(shí)，不會(huì)大幅度降低亮度，同時(shí)提高發(fā)光單元的散熱速率，提高產(chǎn)品可靠性。
24、本專利技術(shù)的發(fā)光模組及車燈，發(fā)光單元之間的對(duì)比度能大于或等于75:1，甚至能大于或等于150:1。
25、本專利技術(shù)的發(fā)光模組及車燈，金屬反射層設(shè)置在發(fā)光單元和第一膠層之間，既可以提升對(duì)比度防止竄光，還可以增加熱傳遞通道，提升器件可靠度。
26、本專利技術(shù)的發(fā)光模組及車燈，填充層的設(shè)置，可以防止形成金屬反射層時(shí)，金屬材料進(jìn)入led芯片電極所在側(cè)，造成短路，同時(shí)，填充層的設(shè)置可以提供一個(gè)相對(duì)平整的表面鍍金屬材料，提升對(duì)比度且不會(huì)大幅度降低亮度。
27、本專利技術(shù)的發(fā)光模組及車燈，通過(guò)多個(gè)子金屬層段的設(shè)置以及子金屬層段或金屬反射層厚度或形狀的設(shè)置，在保證提升對(duì)比度的同時(shí)，大大降低鍍膜制程的難度，同時(shí)，金屬反射層的表面或子金屬層段的表面的不平整設(shè)置，有助于增加接觸面積，增強(qiáng)相鄰發(fā)光單元之間區(qū)域的第一膠層與金屬反射層的粘接性能，提高其可靠性。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種發(fā)光模組，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模組，其特征在于，所述發(fā)光單元包括LED芯片(11)以及光轉(zhuǎn)換層(12)，所述光轉(zhuǎn)換層覆蓋于所述LED芯片上并形成獨(dú)立的像素點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光模組，其特征在于，所述金屬反射層的厚度自所述光轉(zhuǎn)換層向所述LED芯片方向減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光模組，其特征在于，所述金屬反射層包括沿所述發(fā)光單元厚度方向依次設(shè)置的多個(gè)子金屬層段(21)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光模組，其特征在于，至少一個(gè)所述子金屬層段的厚度自所述光轉(zhuǎn)換層向所述LED芯片方向減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光模組，其特征在于，每個(gè)所述子金屬層段具有相對(duì)的第一端和第二端，每個(gè)所述子金屬層段的第一端的厚度大于與所述第一端相鄰的所述子金屬層段的第二端的厚度，且第二端的厚度小于與所述第二端相鄰的所述子金屬層段的第一端的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模組，其特征在于，所述第一膠層為白色的熱固性樹脂材料；和/或，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模組，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光模組，其特征在于，所述填充層為絕緣材料，包括Al2O3層或第二膠層，所述第二膠層為白色的熱固性樹脂材料；和/或，
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模組，其特征在于，相鄰所述發(fā)光單元之間的間距范圍為5μm-200μm。
11.一種車燈，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的發(fā)光模組。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光模組，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模組，其特征在于，所述發(fā)光單元包括led芯片(11)以及光轉(zhuǎn)換層(12)，所述光轉(zhuǎn)換層覆蓋于所述led芯片上并形成獨(dú)立的像素點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光模組，其特征在于，所述金屬反射層的厚度自所述光轉(zhuǎn)換層向所述led芯片方向減小。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光模組，其特征在于，所述金屬反射層包括沿所述發(fā)光單元厚度方向依次設(shè)置的多個(gè)子金屬層段(21)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光模組，其特征在于，至少一個(gè)所述子金屬層段的厚度自所述光轉(zhuǎn)換層向所述led芯片方向減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光模組，其特征在于，每個(gè)所述子金屬層段具有相對(duì)的第一端和第二端，每個(gè)所述子金屬層段的第一...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：郭曉海，王良吉，高飛，沈雁偉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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