【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，尤其涉及一種晶圓的缺陷檢測方法及裝置。
技術介紹
1、在半導體制造過程中，晶體起源顆粒(crystal?originated?particle，cop)缺陷是影響晶圓質量的一類重要缺陷。它是存在于晶圓中的一種空洞型缺陷，通常在經過氧化溶液處理后，會顯現出小的蝕刻坑洞。這種缺陷在晶圓表面顆粒檢測器下會表現為微粒(light?point?defect?non-cleanable，lpd-n)。由于其尺寸小、分布分散無聚集等特征，傳統的單片晶圓缺陷檢測設備往往難以有效識別這類缺陷分布。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種晶圓的缺陷檢測方法及裝置，能夠識別晶圓的cop缺陷。
2、為了達到上述目的，本專利技術實施例采用的技術方案是：
3、一種晶圓的缺陷檢測方法，包括：
4、獲取每片晶圓表面的缺陷數據，所述缺陷數據包括缺陷位置坐標、缺陷的尺寸和缺陷類型；
5、將多片晶圓的缺陷數據進行疊加，生成所述多片晶圓的綜合缺陷分布圖；
6、利用空間聚類算法對所述綜合缺陷分布圖進行分析，判斷所述綜合缺陷分布圖是否存在cop缺陷分布模式；
7、若所述綜合缺陷分布圖存在cop缺陷分布模式，利用缺陷識別模型根據缺陷分布密度、缺陷的尺寸和缺陷的分布規律計算所述多片晶圓的風險分數；
8、將所述多片晶圓的風險分數與預設的風險閾值進行比較，如果所述風險分數大于預設的風險閾值，將所述多片晶圓判定為存在cop缺陷。
9、一些實施例中，所述cop缺陷分布模式包括以下至少一項：
10、cop缺陷呈現中心聚集分布；
11、cop缺陷呈現邊緣聚集分布；
12、cop缺陷呈現同心圓帶狀分布。
13、一些實施例中，所述多片晶圓為采用相同生產工藝參數生產的同一批次晶圓。
14、一些實施例中，所述方法還包括：
15、將所述多片晶圓的生產工藝參數與歷史數據庫中第一晶圓的生產工藝參數進行匹配；
16、根據所述多片晶圓的生產工藝參數與所述第一晶圓的生產工藝參數的匹配度調整所述風險閾值，所述第一晶圓為判定存在cop缺陷的晶圓。
17、一些實施例中，所述根據所述多片晶圓的生產工藝參數與所述第一晶圓的生產工藝參數的匹配度調整所述風險閾值包括：
18、若所述多片晶圓的生產工藝參數與所述第一晶圓的生產工藝參數的匹配度大于或等于預設的第一匹配度，降低所述風險閾值；
19、若所述多片晶圓的生產工藝參數與所述第一晶圓的生產工藝參數的匹配度小于或等于預設的第二匹配度，提高所述風險閾值；
20、其中，所述第二匹配度小于所述第一匹配度。
21、一些實施例中，所述將所述多片晶圓判定為存在cop缺陷之后，所述方法還包括：
22、攔截所述多片晶圓，并生成所述多片晶圓的風險報告，所述風險報告包括所述多片晶圓的cop缺陷模式、生產工藝參數和對應的整改措施。
23、本專利技術實施例還提供了一種晶圓的缺陷檢測裝置，包括：
24、獲取模塊，用于獲取每片晶圓表面的缺陷數據，所述缺陷數據包括缺陷位置坐標、缺陷的尺寸和缺陷類型；
25、疊加模塊，用于將多片晶圓的缺陷數據進行疊加，生成所述多片晶圓的綜合缺陷分布圖；
26、分析模塊，用于利用空間聚類算法對所述綜合缺陷分布圖進行分析，判斷所述綜合缺陷分布圖是否存在cop缺陷分布模式；
27、計算模塊，用于若所述綜合缺陷分布圖存在cop缺陷分布模式，利用缺陷識別模型根據缺陷分布密度、缺陷的尺寸和缺陷的分布規律計算所述多片晶圓的風險分數；
28、判定模塊，用于將所述多片晶圓的風險分數與預設的風險閾值進行比較，如果所述風險分數大于預設的風險閾值，將所述多片晶圓判定為存在cop缺陷。
29、本專利技術實施例還提供了一種電子設備，包括：處理器、存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的程序，所述程序被所述處理器執行時實現如上所述的晶圓的缺陷檢測方法的步驟。
30、本專利技術實施例還提供了一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現如上所述的晶圓的缺陷檢測方法的步驟。
31、本專利技術實施例還提供了一種計算機程序產品，包括計算機指令，所述計算機指令被處理器執行時實現如上所述的晶圓的缺陷檢測方法的步驟。
32、本專利技術的有益效果是：
33、本實施例中，通過將多片晶圓的缺陷數據進行疊加分析，能夠在批次層面發現潛在的cop缺陷分布模式，有效提升cop缺陷的攔截能力；本實施例引入空間聚類算法和缺陷識別模型，能夠從多角度綜合評估cop缺陷風險，提高評估的精確性和判定效果。基于識別出的cop缺陷，能夠實現在批次層面進行精準的出貨決策與攔截，防止批次性cop缺陷批量流出，提升晶圓出貨的整體質量管控水平。
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1.一種晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述COP缺陷分布模式包括以下至少一項：
3.根據權利要求1所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述多片晶圓為采用相同生產工藝參數生產的同一批次晶圓。
4.根據權利要求3所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.根據權利要求4所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述根據所述多片晶圓的生產工藝參數與所述第一晶圓的生產工藝參數的匹配度調整所述風險閾值包括：
6.根據權利要求1所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述將所述多片晶圓判定為存在COP缺陷之后，所述方法還包括：
7.一種晶圓的缺陷檢測裝置，其特征在于，包括：
8.一種電子設備，其特征在于，包括：處理器、存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的程序，所述程序被所述處理器執行時實現如權利要求1至6中任一項所述的晶圓的缺陷檢測方法的步驟。
9.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質
10.一種計算機程序產品，其特征在于，包括計算機指令，所述計算機指令被處理器執行時實現如權利要求1至6中任一項所述的晶圓的缺陷檢測方法的步驟。
...【技術特征摘要】
1.一種晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述cop缺陷分布模式包括以下至少一項：
3.根據權利要求1所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述多片晶圓為采用相同生產工藝參數生產的同一批次晶圓。
4.根據權利要求3所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述方法還包括：
5.根據權利要求4所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述根據所述多片晶圓的生產工藝參數與所述第一晶圓的生產工藝參數的匹配度調整所述風險閾值包括：
6.根據權利要求1所述的晶圓的缺陷檢測方法，其特征在于，所述將所述多片晶圓判定為存在co...
【專利技術屬性】
技術研發人員：萬珣，
申請(專利權)人：西安奕斯偉材料科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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