【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，具體而言涉及一種半導體器件及其制造方法。
技術介紹
1、隨著第五代通信研究的廣泛開展和通信技術升級，5g手機需要集成更多的射頻器件，包括天線、開關、低噪聲放大器、濾波器、雙工器等眾多器件。
2、相關技術中，天線射頻模組集成方式主要為系統級封裝(system?inpackage，sip)，濾波器，例如lc濾波器的集成則可以通過集成無源器件(integrated?passivedevice，ipd)工藝進行集成，而將天線和lc濾波器進行集成模組化則通常采用sip方式。
3、然而采用sip方式將天線和lc濾波器進行集成模組化，其無源器件的集成度還不夠高，隨著集成度的提高，其功耗也會增加。
技術實現思路
1、在
技術實現思路
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本申請的
技術實現思路
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。
2、針對目前存在的問題，本申請一方面提供一種半導體器件的制造方法，所述制造方法包括：
3、提供襯底，在所述襯底上形成第一金屬層；
4、在所述第一金屬層上形成電容部件；
5、刻蝕所述第一金屬層，以形成天線部件，其中，所述天線部件與所述電容部件間隔設置；
6、在所述襯底上形成覆蓋所述電容部件和所述天線部件的第一介質層；
7、在所述第一介質層上形成重布
8、在本申請的一個實施例中，所述電容部件為mim電容，所述在所述第一金屬層上形成電容部件，包括：
9、在所述第一金屬層上依次形成絕緣層和第二金屬層；
10、依次刻蝕所述第二金屬層和所述絕緣層，并停止于所述第一金屬層的頂面，其中，所述第一金屬層以及刻蝕后的所述第二金屬層、所述絕緣層構成電容部件。
11、在本申請的一個實施例中，所述天線部件包括天線本體及饋電結構，所述刻蝕所述第一金屬層，以形成天線部件，包括：
12、刻蝕所述第一金屬層，以在所述第一金屬層位于所述電容部件的一側形成與所述電容部件間隔設置的天線本體和饋電結構。
13、在本申請的一個實施例中，所述饋電結構包括共面波導結構。
14、在本申請的一個實施例中，所述在所述第一介質層上形成重布線層，其中，部分所述重布線層為電感部件并與所述電容部件電連接，包括：
15、在所述第一介質層中形成第一導電插塞和第二導電插塞，所述第一導電插塞的底部連接所述第二金屬層，所述第二導電插塞的底部連接所述第一金屬層；
16、在所述第一介質層上形成第一金屬布線層和第二金屬布線層，所述第一金屬布線層覆蓋所述第一導電插塞頂面，所述第二金屬布線層覆蓋所述第二導電插塞頂面。
17、在本申請的一個實施例中，所述在所述第一介質層上形成重布線層還包括：
18、在所述第一介質層中形成第三導電插塞，所述第三導電插塞的底部連接所述饋電結構；
19、在所述第一介質層上形成第三金屬布線層，所述第三金屬布線層覆蓋所述第三導電插塞頂面。
20、在本申請的一個實施例中，所述第一介質層的材質包括sio2、pi或bcb。
21、在本申請的一個實施例中，在所述第一金屬層與所述絕緣層之間以及所述第二金屬層與所述絕緣層之間均形成有輔助電極層。
22、在本申請的一個實施例中，所述輔助電極層的材質包括氮化鈦或氮化鉭。
23、根據本申請第二方面，還提供了一種半導體器件，所述半導體器件采用上述制造方法制成。
24、本申請實施例的半導體器件及其制造方法，通過將天線部件和濾波部件兩種無源器件集成在同一襯底上，減小了集成模組中各器件的連接線路，以獲得無源器件的高度集成力，同時也降低了集成模組的功耗，且天線部件和濾波部件集成于同一襯底上，降低了生產成本。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述電容部件為MIM電容，所述在所述第一金屬層上形成電容部件，包括：
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述天線部件包括天線本體及饋電結構，所述刻蝕所述第一金屬層，以形成天線部件，包括：
4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述饋電結構包括共面波導結構。
5.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一介質層上形成重布線層，其中，部分所述重布線層為電感部件并與所述電容部件電連接，包括：
6.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一介質層上形成重布線層還包括：
7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一介質層的材質包括SiO2、PI或BCB。
8.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述第一金屬層與所述絕緣層之間以及所述第二金屬層與所述絕緣層之間均形成有輔助電極層。
9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述輔助電極層的材質
10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件采用權利要求1-9中任一項所述的制造方法制成。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述電容部件為mim電容，所述在所述第一金屬層上形成電容部件，包括：
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述天線部件包括天線本體及饋電結構，所述刻蝕所述第一金屬層，以形成天線部件，包括：
4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述饋電結構包括共面波導結構。
5.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一介質層上形成重布線層，其中，部分所述重布線層為電感部件并與所述電容部件電連接，包...
【專利技術屬性】
技術研發人員：杜金鳳，陳達，
申請(專利權)人：中芯集成電路寧波有限公司，
類型：發明
國別省市：
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