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    一種共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層及其制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號:44492695 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-03-04 17:58
    本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN?Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;納米多層結(jié)構(gòu)涂層及其制備方法,包括清洗基底、基底置入反應(yīng)磁控濺射儀并分別停留在Zr金屬靶材和TiAlSi復(fù)合靶材之上,通過反應(yīng)磁控濺射沉積獲得共格外延ZrN/TiAlN?Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;納米多層結(jié)構(gòu)涂層,控制Si:TiAl的含量比為1:24、2:23、3:22、4:21和5:20。通過調(diào)節(jié)復(fù)合靶材中Si:TiAl的含量比,使調(diào)制層轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂心0鍖酉嗤木Ц窠Y(jié)構(gòu),使涂層界面形成共格外延生長形貌。阻礙了納米晶粒沿晶界的滑移,因此抑制ZrN/TiAlN?Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;納米多層結(jié)構(gòu)涂層的微觀變形,使納米多層結(jié)構(gòu)涂層進(jìn)一步強(qiáng)韌化。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及一種共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層及其制備方法,屬于新型硬質(zhì)保護(hù)涂層。


    技術(shù)介紹

    1、基于過渡族金屬(tm)鋯的納米薄膜具有高硬度、良好耐磨性、熱穩(wěn)定性和抗氧化性的特點,在工業(yè)上被廣泛用作硬質(zhì)保護(hù)膜,用于切削工具、沖壓機(jī)械器械、模具零件等的表面硬化。盡管如此,納米薄膜的脆性導(dǎo)致了裂縫和分層缺陷,從而降低了設(shè)備的使用壽命。

    2、si元素不僅具有良好的熱穩(wěn)定性,在薄膜生長過程中還能形成與基體不相溶的si3n4調(diào)制層相,從而形成納米復(fù)合強(qiáng)化結(jié)構(gòu)。同時,由于si3n4調(diào)制層相的包裹,它對晶粒細(xì)化也起到重要作用,為了提高tin/ag薄膜的力學(xué)性能和抗氧化性能,ju等人采用射頻磁控共濺射法制備了tin/ag/si3n4復(fù)合薄膜。當(dāng)si含量增加到15.3at.%時,導(dǎo)致薄膜的柱狀形貌消失。薄膜的硬度從~16gpa增加到~24gpa。si3n4的形成引起晶粒細(xì)化和異質(zhì)界面強(qiáng)化,有助于提高硬度。同時,硅的加入顯著提高了薄膜的抗氧化溫度,有效地防止了ag的擴(kuò)散。張等人采用深振蕩磁控濺射和脈沖直流磁控濺射相結(jié)合的方法,成功制備了含有不同si含量的crn/si3n4多層膜。優(yōu)良的nc-crn/a-si3n4界面形成使得納米多層膜的硬度、h/e、h3/e2和kic分別達(dá)到30.6gpa、0.099、0.387和3.69mpa·m1/2。涂層在nc-crn/a-si3n4界面上通過能量耗散和應(yīng)力松弛增強(qiáng)了協(xié)同變形能力,從而減少了裂紋的發(fā)生和擴(kuò)展,以及粘附失效,表現(xiàn)出優(yōu)異的力學(xué)性能。li等人利用反應(yīng)磁控濺射法制備了具有不同sinx層厚度的craln/sinx納米多層膜。研究結(jié)果表明,當(dāng)sinx層厚度小于0.6nm時,sinx被迫結(jié)晶并與craln層共格外延生長,導(dǎo)致平均位錯密度降低、而硬度和彈性模量增強(qiáng);隨著sinx層厚度進(jìn)一步增加,晶化的sinx層轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài),導(dǎo)致平均位錯密度增加、硬度和彈性模量降低。此外,li等人還研究了si摻雜對crn/tisin,tin/cralsin納米多層膜的顯微組織和超硬度效應(yīng)的影響。當(dāng)si摻雜達(dá)到一定比例時,調(diào)制層在模板層的作用下保持共格外延生長。由于調(diào)制層中sinx的熱力學(xué)不相容性,能有效細(xì)化納米多層膜的柱狀晶體結(jié)構(gòu),從而出現(xiàn)超硬度效應(yīng)。

    3、將si元素?fù)诫s到tialn薄膜中,可以形成tialn-si3n4四元納米復(fù)合膜。該復(fù)合膜的微觀結(jié)構(gòu)中同時存在兩種晶體相,即si3n4晶相(或非晶相)包裹tialn晶相,形成了一種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),使得tialn晶粒保持納米級別的生長狀態(tài)。然而,調(diào)制層中si元素含量的變化所導(dǎo)致的多相化現(xiàn)象對zrn/tialn-si3n4納米多層膜的各種性能影響鮮有研究。

    4、因此,本領(lǐng)域亟需一種共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層及其制備方法。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的目的是為解決現(xiàn)有技術(shù)中調(diào)制層中si元素含量的變化所導(dǎo)致的多相化現(xiàn)象對zrn/tialn-si3n4納米多層膜的各種性能影響鮮有研究的問題。

    2、為達(dá)到解決上述問題的目的,本專利技術(shù)所采取的技術(shù)方案是提供一種共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層及其制備方法。

    3、本專利技術(shù)的第一方面,提供了一種共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,包括以下步驟:

    4、步驟1:清洗基底,所述的基底為金屬、硬質(zhì)合金、陶瓷或單晶si;

    5、步驟2:zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備:將基底置入反應(yīng)磁控濺射儀并分別停留在zr金屬靶材和tialsi復(fù)合靶材之上,通過反應(yīng)磁控濺射沉積獲得共格外延的zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層;上述的反應(yīng)磁控濺射沉積的工藝過程控制如下:

    6、采用zr金屬靶材和tialsi復(fù)合靶材,靶材直徑為75mm,厚度為3mm;

    7、直流濺射功率160w,射頻濺射功率120w;

    8、基底在兩個靶材上面停留時間分別是18s和8s,沉積時間150r;

    9、靶材基底距離50mm;

    10、總氣壓0.6pa。

    11、優(yōu)選地,所述的步驟1中,清洗基底的方法包括:將經(jīng)拋光處理后的基底送入超聲波清洗機(jī),依次在分析純的無水酒精和丙酮中利用15~30khz超聲波進(jìn)行清洗15min;然后進(jìn)行離子清洗;所述的離子清洗即將基底裝進(jìn)真空室,抽真空到4×10-3pa后通入ar氣,維持真空度在2-4pa,用氬離子轟擊靶材10min。

    12、優(yōu)選地,所述的步驟2中,控制si:tial的含量比為1:24、2:23、3:22、4:21和5:20。

    13、優(yōu)選地,所述的步驟2中,zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層厚度為1,296nm。

    14、優(yōu)選地,所述的步驟2中,zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)具有周期性晶格條紋,調(diào)制層轉(zhuǎn)變成與主體層相同的晶體結(jié)構(gòu),涂層出現(xiàn)連續(xù)且結(jié)晶度良好的柱狀晶粒。

    15、本專利技術(shù)的第二方面,提供了一種通過上述方法制備得到的共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層。

    16、優(yōu)選地,所述的zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層中,si:tial含量比為1:24、2:23、3:22、4:21和5:20,進(jìn)一步優(yōu)選為4:21。

    17、相比現(xiàn)有技術(shù),本專利技術(shù)具有如下有益效果:

    18、本專利技術(shù)的一種共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層,根據(jù)納米涂層的變形機(jī)制,當(dāng)晶粒尺寸足夠小時,尤其小于10nm時,位錯運(yùn)動不再成為材料變形的微觀機(jī)制,材料變形主要取決于納米晶粒沿晶界的滑移運(yùn)動。本專利技術(shù)在zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層制備中,通過調(diào)節(jié)復(fù)合靶材中si:tial的含量比,使調(diào)制層轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂心0鍖酉嗤木Ц窠Y(jié)構(gòu),使涂層界面形成共格外延生長形貌。阻礙了納米晶粒沿晶界的滑移,因此抑制zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的微觀變形,使納米多層結(jié)構(gòu)涂層進(jìn)一步強(qiáng)韌化。

    19、另外,本專利技術(shù)的一種共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其制備過程具有生產(chǎn)效率高、能耗低、對設(shè)備要求較低等優(yōu)點,適于規(guī)模化生產(chǎn)。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點】

    1.一種共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.如權(quán)利要求1所述的共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,所述的步驟1中,清洗基底的方法包括:將經(jīng)拋光處理后的基底送入超聲波清洗機(jī),依次在分析純的無水酒精和丙酮中利用15~30kHz超聲波進(jìn)行清洗15min;然后進(jìn)行離子清洗;所述的離子清洗即將基底裝進(jìn)真空室,抽真空到4×10-3Pa后通入Ar氣,維持真空度在2-4Pa,用氬離子轟擊靶材10min。

    3.如權(quán)利要求1所述的共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,所述的步驟2中,控制Si:TiAl的含量比為1:24、2:23、3:22、4:21和5:20。

    4.如權(quán)利要求1所述的共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,所述的步驟2中,ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層厚度為1,296nm。

    5.如權(quán)利要求1所述的共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,所述的步驟2中,ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)具有周期性晶格條紋,調(diào)制層轉(zhuǎn)變成與主體層相同的晶體結(jié)構(gòu),涂層出現(xiàn)連續(xù)且結(jié)晶度良好的柱狀晶粒。

    6.一種通過權(quán)利要求1~5中任一種方法制備得到的共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層。

    7.如權(quán)利要求6所述的共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層,其特征在于,所述的ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層中,Si:TiAl含量比為1:24、2:23、3:22、4:21和5:20。

    8.如權(quán)利要求7所述的共格外延強(qiáng)韌化ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層,其特征在于,所述的ZrN/TiAlN-Si3N4納米多層結(jié)構(gòu)涂層中,Si:TiAl含量比為4:21。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.如權(quán)利要求1所述的共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,所述的步驟1中,清洗基底的方法包括:將經(jīng)拋光處理后的基底送入超聲波清洗機(jī),依次在分析純的無水酒精和丙酮中利用15~30khz超聲波進(jìn)行清洗15min;然后進(jìn)行離子清洗;所述的離子清洗即將基底裝進(jìn)真空室,抽真空到4×10-3pa后通入ar氣,維持真空度在2-4pa,用氬離子轟擊靶材10min。

    3.如權(quán)利要求1所述的共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,所述的步驟2中,控制si:tial的含量比為1:24、2:23、3:22、4:21和5:20。

    4.如權(quán)利要求1所述的共格外延強(qiáng)韌化zrn/tialn-si3n4納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于,所述的步驟2中,zrn/tial...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:程文杰李偉歐修龍陳智周鵬江勇何光曉章平王紹明曾虎
    申請(專利權(quán))人:漢江師范學(xué)院
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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