【技術實現步驟摘要】
本公開涉及集成電路設計及制造，特別是涉及一種半導體結構及其制備方法。
技術介紹
1、隨著半導體技術的快速發展，市場對集成電路的集成度、性能及可靠性的要求越來越高。摩爾定律推動了半導體行業的發展，使得存儲器的性能不斷提升，成本逐漸降低。
2、然而，不斷提高的集成度要求存儲器內單個存儲單元的體積，以及存儲陣列區與外圍邏輯電路區的間距不斷縮小，導致存儲陣列區邊緣存儲單元的良率及可靠性不斷下降。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對上述
技術介紹
中的問題，提供一種半導體結構及其制備方法，至少能夠在確保半導體結構體積不增加且單元密度不減小的情況下，提高陣列區邊緣單元圖案的形貌質量，從而提高半導體結構的良率、性能及可靠性。
2、根據本公開的各種實施例，本公開第一方面提供了一種半導體結構，包括：襯底、多個下電極、支撐層及多個開口，多個下電極位于襯底上；支撐層直接接觸多個下電極的側壁，支撐層包括一波浪狀側壁；多個開口位于相鄰下電極之間，開口沿第一方向和第二方向間隔排布成陣列，開口具有第一尺寸；其中，從俯視圖上看，波浪狀側壁包括多個波峰和波谷，相鄰波峰之間具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。
3、上述實施例中的半導體結構，能夠在保證半導體結構體積不增加，以及下電極單元密度與支撐層的支撐度不減小的情況下，增加支撐層波峰與最鄰近開口的間距，提高下電極陣列區邊緣開口圖案的形貌質量，從而提高半導體結構的良率、性能及可靠性。
4、在一些實施例中，波浪狀側壁包括沿第
5、在一些實施例中，第二尺寸在第一方向上橫跨三個下電極。
6、在一些實施例中，相鄰第一波浪狀側壁的波峰之間具有第二尺寸；相鄰第二波浪狀側壁的波峰之間具有第三尺寸；其中，第一尺寸<第三尺寸<第二尺寸。
7、在一些實施例中，相鄰開口之間具有沿第二方向的第一間距；其中，在第二方向上，波浪狀側壁與最鄰近的開口之間的最小間距大于第一間距。
8、在一些實施例中，相鄰開口之間具有沿第二方向的第一間距；波浪狀側壁與沿第一方向最鄰近的開口之間的最大間距，大于第一間距。
9、在一些實施例中，波谷與最鄰近的開口之間具有第一預設間距；波谷與最鄰近的下電極之間具有第二預設間距。
10、本公開第二方面提供了一種半導體結構，包括：襯底、多個下電極、支撐層及多個開口，多個下電極位于襯底上；支撐層直接接觸多個下電極的側壁，支撐層包括一波浪狀側壁；多個開口位于相鄰下電極之間，開口沿第一方向和第二方向間隔排布成陣列；其中，從俯視圖上看，波浪狀側壁包括多個波峰和波谷，波谷與最鄰近的開口之間具有第一預設間距；波谷與最鄰近的下電極之間具有第二預設間距。
11、上述實施例中的半導體結構，能夠在保證半導體結構體積不增加，以及下電極單元密度與支撐層的支撐度不減小的情況下，增加支撐層波峰與最鄰近開口的間距，提高下電極陣列區邊緣開口、下電極的圖案形貌質量，從而提高半導體結構的良率、性能及可靠性。
12、在一些實施例中，開口具有沿第一方向的第一尺寸；相鄰波峰之間具有沿第一方向的第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。
13、在一些實施例中，相鄰開口之間具有沿第二方向的第一間距；在第二方向上，波浪狀側壁與最鄰近的開口之間的最小間距大于第一間距。
14、本公開第三方面提供了一種半導體結構，包括：襯底、多個下電極、支撐層及多個開口，多個下電極位于襯底上；支撐層直接接觸多個下電極的側壁，支撐層包括一波浪狀側壁；多個開口位于相鄰下電極之間，開口沿第一方向和第二方向間隔排布成陣列，相鄰開口之間具有第一間距；其中，在第二方向上，波浪狀側壁與最鄰近的開口之間的最小間距大于第一間距。
15、上述實施例中的半導體結構，能夠在保證半導體結構體積不增加，以及下電極單元密度與支撐層的支撐度不減小的情況下，增加支撐層波峰與最鄰近開口的間距，提高下電極陣列區邊緣開口、下電極的圖案形貌質量，從而提高半導體結構的良率、性能及可靠性。
16、在一些實施例中，開口具有沿第一方向的第一尺寸；從俯視圖上看，波浪狀側壁包括多個波峰和波谷；相鄰波峰之間具有沿第一方向的第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。
17、在一些實施例中，從俯視圖上看，波浪狀側壁包括多個波峰和波谷，波谷與最鄰近的開口之間具有第一預設間距；波谷與最鄰近的下電極之間具有第二預設間距。
18、本公開第四方面提供了一種半導體結構制備方法，包括：
19、提供襯底，襯底上包括疊層結構，疊層結構包括沿背離襯底的方向依次層疊的第一犧牲層、第一支撐層、第二犧牲層及第二支撐層；
20、形成沿垂直襯底的方向貫穿疊層結構的多個下電極；
21、去除部分第一支撐層、部分第二支撐層，得到包括多個開口的支撐層，其中，剩余的第一支撐層及剩余的第二支撐層用于構成支撐層，支撐層直接接觸多個下電極的側壁，支撐層包括一波浪狀側壁；多個開口位于相鄰下電極之間，開口沿第一方向和第二方向間隔排布成陣列；
22、去除第一犧牲層、第二犧牲層。
23、上述實施例中的半導體結構制備方法，能夠在去除第一犧牲層、第二犧牲層后，得到直接接觸多個下電極側壁的支撐層，利用支撐層支撐多個下電極，保證包括多個開口的下電極陣列穩固地立于襯底上；通過設置支撐層包括一波浪狀側壁，便于在保證半導體結構體積不增加，以及下電極單元密度與支撐層的支撐度不減小的情況下，增加支撐層波峰與最鄰近開口的間距，提高下電極陣列區邊緣開口圖案的形貌質量，從而提高半導體結構的良率、性能及可靠性。
24、在一些實施例中，開口具有沿第一方向的第一尺寸；從俯視圖上看，波浪狀側壁包括多個波峰和波谷，相鄰波峰之間具有沿第一方向的第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸。
25、在一些實施例中，相鄰開口之間具有沿第二方向的第一間距；其中，在第二方向上，波浪狀側壁與最鄰近的開口之間的最小間距大于第一間距。
26、在一些實施例中，從俯視圖上看，波浪狀側壁包括多個波峰和波谷；波谷與最鄰近的開口之間具有第一預設間距；波谷與最鄰近的下電極之間具有第二預設間距。
27、在一些實施例中，波浪狀側壁包括沿第一方向延伸的第一波浪狀側壁，沿第二方向延伸的第二波浪狀側壁。
28、在一些實施例中，第二尺寸在第一方向上橫跨三個下電極。
29、在一些實施例中，相鄰第一波浪狀側壁的波峰之間具有第二尺寸；相鄰第二波浪狀側壁的波峰之間具有第三尺寸；其中，第一尺寸<第三尺寸<第二尺寸。
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1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述波浪狀側壁包括沿所述第一方向延伸的第一波浪狀側壁，以及沿所述第二方向延伸的第二波浪狀側壁。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二尺寸在所述第一方向上橫跨三個所述下電極。
4.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，相鄰所述第一波浪狀側壁的波峰之間具有所述第二尺寸；以及
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，相鄰所述開口之間具有沿所述第二方向的第一間距；
6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，相鄰所述開口之間具有沿所述第二方向的第一間距；
7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述波谷與最鄰近的所述開口之間具有第一預設間距；
8.一種半導體結構，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述開口具有沿所述第一方向的第一尺寸；
10.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，相鄰所述開口之間具有沿所述第二方
11.一種半導體結構，其特征在于，包括：
12.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述開口具有沿所述第一方向的第一尺寸；
13.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，從俯視圖上看，所述波浪狀側壁包括多個波峰和波谷，所述波谷與最鄰近的所述開口之間具有第一預設間距；
14.一種半導體結構制備方法，其特征在于，包括：
15.根據權利要求14所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述開口具有沿所述第一方向的第一尺寸；
16.根據權利要求14所述的半導體結構制備方法，其特征在于，相鄰所述開口之間具有沿所述第二方向的第一間距；
17.根據權利要求14所述的半導體結構制備方法，其特征在于，從俯視圖上看，所述波浪狀側壁包括多個波峰和波谷；
18.根據權利要求15所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述波浪狀側壁包括沿所述第一方向延伸的第一波浪狀側壁，以及沿所述第二方向延伸的第二波浪狀側壁。
19.根據權利要求15所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述第二尺寸在所述第一方向上橫跨三個所述下電極。
20.根據權利要求18所述的半導體結構制備方法，其特征在于，相鄰所述第一波浪狀側壁的波峰之間具有所述第二尺寸；以及
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述波浪狀側壁包括沿所述第一方向延伸的第一波浪狀側壁，以及沿所述第二方向延伸的第二波浪狀側壁。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二尺寸在所述第一方向上橫跨三個所述下電極。
4.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，相鄰所述第一波浪狀側壁的波峰之間具有所述第二尺寸；以及
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，相鄰所述開口之間具有沿所述第二方向的第一間距；
6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，相鄰所述開口之間具有沿所述第二方向的第一間距；
7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述波谷與最鄰近的所述開口之間具有第一預設間距；
8.一種半導體結構，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述開口具有沿所述第一方向的第一尺寸；
10.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，相鄰所述開口之間具有沿所述第二方向的第一間距；
11.一種半導體結構，其特征在于，包括：
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【專利技術屬性】
技術研發人員：林靈輝，蔡豐年，
申請(專利權)人：福建省晉華集成電路有限公司，
類型：發明
國別省市：
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