【技術實現步驟摘要】
本申請涉及顯示，尤其涉及一種電壓偵測顯示電路及其驅動方法、顯示面板以及顯示設備。
技術介紹
1、隨著顯示技術的不斷發展，oled（organic?light-emitting?diode，有機電激光顯示）產品廣泛應用于手機、車載、中控、智能家居、智能辦公、手表、手環等眾多領域。用戶也對oled產品的顯示質量提出了更高的要求。
2、elvdd是驅動oled像素發光的關鍵電壓之一，由ddic（display?driver?ic，顯示驅動芯片）產生并傳輸至面板的各個像素位置。然而，在傳輸過程中，由于金屬走線存在電阻，電流通過時會產生電壓降，即ir?drop現象。隨著信號傳輸距離的增加，電壓降逐漸累積，導致面板遠端接收到的elvdd電壓低于近端，進而引發亮度不均勻的問題，嚴重影響oled產品的顯示質量。
3、因此，如何提升oled產品的顯示質量是目前亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、本申請的主要目的在于提供一種電壓偵測顯示電路及其驅動方法、顯示面板以及顯示設備，旨在提升oled產品亮度顯示的均勻性。
2、為實現上述目的，本申請提供了一種電壓偵測顯示電路，所述電壓偵測顯示電路包括顯示驅動模塊、陣列分布的像素結構模塊、以及所述像素結構模塊對應的電連接的阻抗測量模塊和傳感走線；
3、所述像素結構模塊的供電接入點分別與所述顯示驅動模塊的電源供電端和所述阻抗測量模塊的信號接入端電連接，所述阻抗測量模塊的信號輸出端通過所述傳感走線與所述顯示驅動模塊
4、所述阻抗測量模塊被設置為，在所述顯示驅動模塊通過所述電源供電端到所述供電接入點的電壓走線路徑向所述像素結構模塊提供像素電源電壓時，依據預設的電壓偵測信號和所述像素電源電壓確定所述像素結構模塊的電壓走線阻抗，并向所述傳感走線傳輸所述電壓走線阻抗；
5、所述顯示驅動模塊被設置為，獲取所述阻抗測量模塊經由所述傳感走線發送的所述電壓走線阻抗，并依據所述像素結構模塊的正常顯示電流與所述電壓走線阻抗確定補償電壓，將所述補償電壓疊加至所述像素電源電壓上后接入至所述供電接入點，以供所述像素結構模塊正常顯示。
6、在一實施方式中，所述阻抗測量模塊包括第一薄膜晶體管和電壓偵測信號端；
7、所述第一薄膜晶體管的柵極與所述電壓偵測信號端電連接；
8、所述第一薄膜晶體管的第一通路端構成所述阻抗測量模塊的信號接入端，與所述像素結構模塊的供電接入端電連接；
9、所述第一薄膜晶體管的第二通路端構成所述阻抗測量模塊的信號輸出端，與所述傳感走線電連接。
10、在一實施方式中，所述顯示驅動模塊包括偵測切換單元、阻抗偵測單元、感測單元和時序控制單元；
11、所述偵測切換單元的感測端與所述感測單元電連接，所述偵測切換單元的偵測端與所述阻抗偵測單元電連接，所述偵測切換單元的控制端與所述時序控制單元電連接；
12、所述偵測切換單元的信號采集端構成所述顯示驅動模塊的阻抗偵測端，與所述傳感走線電連接。
13、在一實施方式中，所述偵測切換單元包括n型mos管和p型mos管；
14、所述n型mos管的柵極與所述p型mos管的柵極電連接，所述n型mos管的柵極電連接所述p型mos管的柵極的連接節點構成所述偵測切換單元的控制端與所述時序控制單元電連接；
15、所述n型mos管的第一通路端構成所述偵測切換單元的感測端與所述感測單元電連接，所述p型mos管的第一通路端構成所述偵測切換單元的偵測端與所述阻抗偵測單元電連接；
16、所述n型mos管的第二通路端與所述p型mos管的第二通路端電連接，所述n型mos管的第二通路端電連接所述p型mos管的第二通路端的連接交點構成所述偵測切換單元的信號采集端與所述傳感走線電連接。
17、在一實施方式中，所述阻抗偵測單元包括阻抗測試組件和存儲組件，所述阻抗測試組件分別與所述存儲組件和所述偵測切換單元的偵測端電連接。
18、在一實施方式中，所述像素結構模塊包括第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、電容和發光二極管；
19、所述第二薄膜晶體管的柵極電連接預設的第一信號端，所述第二薄膜晶體管的第一通路端電連接數據線，所述第二薄膜晶體管的第二通路端電連接所述第三薄膜晶體管的柵極，所述電容的第一端設置于所述第二薄膜晶體管的第二通路端與所述第三薄膜晶體管的柵極之間；
20、所述第三薄膜晶體管的第一通路端電連接所述電源供電端，所述電容的第二端設置于所述第三薄膜晶體管的第一通路端與所述電源供電端之間，所述第三薄膜晶體管的第二通路端電連接所述發光二極管的陽極，所述發光二極管的陰極電連接負電源端；
21、所述第四薄膜晶體管的柵極電連接預設的第二信號端，所述第四薄膜晶體管的第一通路端設置于所述第三薄膜晶體管的第二通路端與所述發光二極管的陽極之間，所述第四薄膜晶體管的第二通路端電連接所述傳感走線。
22、此外，為實現上述目的，本申請還提供一種電壓偵測顯示電路的驅動方法，該電壓偵測顯示電路的驅動方法應用于上述任一項所述的電壓偵測顯示電路，所述電壓偵測顯示電路的驅動方法包括：
23、在顯示驅動模塊通過電源供電端到供電接入點的電壓走線路徑向像素結構模塊提供像素電源電壓時，通過阻抗測量模塊依據預設的電壓偵測信號和所述像素電源電壓確定所述像素結構模塊的電壓走線阻抗，并通過所述阻抗測量模塊向傳感走線傳輸所述電壓走線阻抗；
24、通過所述顯示驅動模塊獲取所述阻抗測量模塊經由所述傳感走線發送的所述電壓走線阻抗，并依據所述像素結構模塊的正常顯示電流與所述電壓走線阻抗確定補償電壓，將所述補償電壓疊加至所述像素電源電壓上后接入至所述供電接入點，以供所述像素結構模塊正常顯示。
25、在一實施方式中，所述通過所述顯示驅動模塊獲取所述阻抗測量模塊經由所述傳感走線發送的所述電壓走線阻抗的步驟包括：
26、通過所述顯示驅動模塊接入所述傳感走線輸出的實際走線阻抗，并確定所述傳感走線對應的傳感走線阻抗以及所述電壓走線路徑的路徑數目；
27、確定所述實際走線阻抗與所述傳感走線阻抗之間的阻抗差值，并將所述阻抗差值與所述路徑數目之間的比例數據作為所述阻抗測量模塊發送的電壓走線阻抗。
28、此外，為實現上述目的，本申請還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述任一項所述的電壓偵測顯示電路。
29、此外，為實現上述目的，本申請還提供一種顯示設備，所述顯示設備包括上述的顯示面板；或者，
30、所述顯示設備包括處理器、存儲器、以及存儲在所述存儲器上的可被所述處理器執行的電壓偵測顯示電路的驅動程序，其中，所述電壓偵測顯示電路的驅動程序被所述處理器執行時，實現上述的電壓偵測顯示電路的驅動方法的步驟。
31、本申請提供了一種電壓偵測顯示電路及其驅動方法、顯示面板以及顯示設備本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述電壓偵測顯示電路包括顯示驅動模塊、陣列分布的像素結構模塊、以及所述像素結構模塊對應的電連接的阻抗測量模塊和傳感走線；
2.如權利要求1所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述阻抗測量模塊包括第一薄膜晶體管和電壓偵測信號端；
3.如權利要求1所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述顯示驅動模塊包括偵測切換單元、阻抗偵測單元、感測單元和時序控制單元；
4.如權利要求3所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述偵測切換單元包括N型MOS管和P型MOS管；
5.如權利要求3所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述阻抗偵測單元包括阻抗測試組件和存儲組件，所述阻抗測試組件分別與所述存儲組件和所述偵測切換單元的偵測端電連接。
6.如權利要求1所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述像素結構模塊包括第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、電容和發光二極管；
7.一種電壓偵測顯示電路的驅動方法，其特征在于，所述電壓偵測顯示電路的驅動方法應用于如權利要求1至6中任一項所述的電壓偵測
8.如權利要求7所述電壓偵測顯示電路的驅動方法，其特征在于，所述通過所述顯示驅動模塊獲取所述阻抗測量模塊經由所述傳感走線發送的所述電壓走線阻抗的步驟包括：
9.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求1至6中任一項所述的電壓偵測顯示電路。
10.一種顯示設備，其特征在于，所述顯示設備包括權利要求9所述的顯示面板；或者，
...【技術特征摘要】
1.一種電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述電壓偵測顯示電路包括顯示驅動模塊、陣列分布的像素結構模塊、以及所述像素結構模塊對應的電連接的阻抗測量模塊和傳感走線；
2.如權利要求1所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述阻抗測量模塊包括第一薄膜晶體管和電壓偵測信號端；
3.如權利要求1所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述顯示驅動模塊包括偵測切換單元、阻抗偵測單元、感測單元和時序控制單元；
4.如權利要求3所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述偵測切換單元包括n型mos管和p型mos管；
5.如權利要求3所述的電壓偵測顯示電路，其特征在于，所述阻抗偵測單元包括阻抗測試組件和存儲組件，所述阻抗測試組件分別與所述存儲組件和所述偵測切換單元的偵測端電連接...
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