【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于微電子，具體涉及一種集成電容的vdmos器件及其制備方法。
技術介紹
1、電磁干擾(emi)是指在電磁場與電路之間，不同電路之間產生相互干擾的現象。這種干擾可以通過電磁輻射、電磁感應或電磁耦合等方式產生，其負面影響包括設備性能下降、信號失真及通信中斷等，嚴重時甚至可能導致設備損壞或安全事故發生。
2、電磁干擾的傳播主要有傳導干擾和輻射干擾兩種形式。而功率器件作為電路系統中常用的開關，是電磁干擾主要的干擾源之一，其不停的開通和關斷產生的噪聲干擾通常會以傳導干擾的形式往電路后端傳播。目前，應對電磁干擾主要從干擾源、傳播路徑和敏感設備三個方面入手。一般從電路層面，通過增加lc濾波器，優化電路設計和布局，使用去耦電容和保護電路等方法從傳播路徑上進行優化；還有通過降低信號發生頻率和選擇低噪聲元器件的方式從干擾源上進行抑制；但這些措施很可能會增加系統的尺寸和成本，且對高頻衰減效果不明顯，特別在電路設計和電容選擇上需要豐富的知識經驗和最佳的布局方案，否則達不到預期的效果。
3、因此，如何從器件結構層面出發改善電磁干擾的問題成為目前亟待解決的問題。
技術實現思路
1、為了解決現有技術中存在的上述問題，本專利技術提供了一種集成電容的vdmos器件及其制備方法。本專利技術要解決的技術問題通過以下技術方案實現：
2、第一方面，本專利技術提供一種集成電容的vdmos器件，包括：
3、依次層疊設置的漏極、襯底和漂移區；
4、第一柵氧化
5、柵極，位于第一柵氧化層的上表面，沿垂直于襯底的方向，柵極的正投影位于第一柵氧化層的正投影的范圍內；
6、第二柵氧化層，覆蓋在柵極的上表面和側面，沿垂直于襯底的方向，第二柵氧化層的正投影與第一柵氧化層的正投影重疊；
7、源極，位于第一柵氧化層和第二柵氧化層組成的柵氧化層的側面，且沿垂直于襯底的方向，源極的高度大于柵氧化層的高度；
8、絕緣層，位于源極的上表面；
9、金屬層，位于絕緣層的上表面，且金屬層與柵極通過導電孔連接。
10、第二方面，本專利技術還提供一種集成電容的vdmos器件的制備方法，用于制備本專利技術上述提供的集成電容的vdmos器件，包括：
11、提供一襯底；
12、在襯底上外延生長漂移區；
13、在漂移區上淀積第一柵氧化層，在第一柵氧化層上淀積柵極，在柵極的上表面和側面淀積第二柵氧化層，第一柵氧化層與第二柵氧化層形成柵氧化層；
14、在柵氧化層的四周、以及漂移區上淀積源極；
15、在源極上淀積絕緣層；
16、在絕緣層上淀積金屬層，金屬層與柵極通過導電孔連接。
17、本專利技術的有益效果：
18、本專利技術提供的一種集成電容的vdmos器件及其制備方法，包括依次層疊設置的漏極、襯底和漂移區，為垂直型結構器件，漂移區上表面設置有第一柵氧化層和源極，源極位于第一柵氧化層的外圍，第一柵氧化層上表面設置有柵極，柵極上表面及其側面覆蓋有第二柵氧化層，第一柵氧化層與第二柵氧化層共同形成柵氧化層，沿垂直于襯底的方向，源極高度大于柵氧化層高度，源極將柵氧化層包圍，形成凹槽，源極上表面設置有絕緣層，絕緣層上表面設置有金屬層；一方面，源極與柵極形成一個電容，另一方面，金屬層與源極形成另一電容，且金屬層通過導電孔與柵極電連接，相當于兩個電容并聯，進一步增大了柵極與源極之間的寄生電容，以降低vdmos器件的開關速率，進而優化vdmos器件的電磁干擾性能，以改善vdmos器件的性能。
19、以下將結合附圖及實施例對本專利技術做進一步詳細說明。
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1.一種集成電容的VDMOS器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的集成電容的VDMOS器件，其特征在于，所述源極與所述金屬層之間形成電容，所述源極與所述柵極之間形成電容，所述金屬層與所述柵極通過導電孔連接，使得所述電容與所述電容并聯，形成并聯電容；
3.根據權利要求2所述的集成電容的VDMOS器件，其特征在于，所述VDMOS器件的開關電壓斜率與所述電容成反比，所述VDMOS器件的開關電流斜率與所述電容成反比。
4.根據權利要求2所述的集成電容的VDMOS器件，其特征在于，所述電容的表達式為：
5.根據權利要求1所述的集成電容的VDMOS器件，其特征在于，所述絕緣層的材料為二氧化硅或氮化硅。
6.根據權利要求1所述的集成電容的VDMOS器件，其特征在于，沿垂直于襯底的方向，所述絕緣層的厚度為0.1~0.3μm。
7.根據權利要求1所述的集成電容的VDMOS器件，其特征在于，沿垂直于襯底的方向，所述金屬層的厚度為4~5μm。
8.根據權利要求1所述的集成電容的VDMOS器件，其特征在于，所
9.一種集成電容的VDMOS器件的制備方法，用于制備如權利要求1~8任一項所述的集成電容的VDMOS器件，其特征在于，包括：
10.根據權利要求9所述的集成電容的VDMOS器件的制備方法，其特征在于，在所述漂移區上淀積第一柵氧化層之前，還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種集成電容的vdmos器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的集成電容的vdmos器件，其特征在于，所述源極與所述金屬層之間形成電容，所述源極與所述柵極之間形成電容，所述金屬層與所述柵極通過導電孔連接，使得所述電容與所述電容并聯，形成并聯電容；
3.根據權利要求2所述的集成電容的vdmos器件，其特征在于，所述vdmos器件的開關電壓斜率與所述電容成反比，所述vdmos器件的開關電流斜率與所述電容成反比。
4.根據權利要求2所述的集成電容的vdmos器件，其特征在于，所述電容的表達式為：
5.根據權利要求1所述的集成電容的vdmos器件，其特征在于，所述絕緣層的材料為二氧化硅或氮化硅。
6.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：汪宇浩，張園園，張朝陽，陳橋梁，楊樂，張鈞輝，
申請(專利權)人：龍騰半導體股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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