【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種半導體裝置及其制作方法，特別是涉及一種具有金屬柵極結構的半導體裝置及其制作方法。
技術介紹
1、在現有半導體產業中，多晶硅系廣泛地應用于半導體元件如金屬氧化物半導體(metal-oxide-semiconductor,mos)晶體管中，作為標準的柵極填充材料選擇。然而，隨著mos晶體管尺寸持續地微縮，傳統多晶硅柵極因硼穿透(boron?penetration)效應導致元件效能降低，及其難以避免的空乏效應(depletion?effect)等問題，使得等效的柵極介電層厚度增加、柵極電容值下降，進而導致元件驅動能力的衰退等困境。因此，半導體業界更嘗試以新的柵極填充材料，例如利用功函數(work?function)金屬來取代傳統的多晶硅柵極，用以作為匹配高介電常數(high-k)柵極介電層的控制電極。
2、此外，隨著半導體元件的尺寸越來越小，晶體管的制作工藝也有許多的改進，以制造出體積小而高品質的晶體管。然而，隨著設備尺寸的不斷減小，在同一半導體裝置內同時形成線寬相對較大的高壓元件以及線寬微型化的低壓元件變得更加困難，使得其相關制作工藝也面臨許多限制與挑戰。因此，如何有效地改良高壓元件的制作工藝缺失已為現今半導體產業的一重要課題。
技術實現思路
1、本專利技術的一目的在于提供一種半導體裝置及其制作方法，是將至少一虛設體(dummy)設置在金屬柵極結構內，以改善金屬柵極結構的結構可靠性及元件效能，避免該金屬柵極結構在進行金屬柵極置換制作工藝(replaceme
2、為達上述目的，本專利技術提供一種半導體裝置，包括一基底、一金屬柵極結構、至少一虛設體、兩源極/漏極區以及一介電層。該金屬柵極結構設置在該基底上。該至少一虛設體設置在該金屬柵極結構內。該些源極/漏極區設置該金屬柵極結構兩側的該基底內。該介電層設置在該基底上，環繞該金屬柵極結構。
3、為達上述目的，本專利技術提供一種半導體裝置的制作方法，包括以下步驟。提供一基底，在該基底上形成一金屬柵極結構。在該金屬柵極結構內形成至少一虛設體。在該基底內形成兩源極/漏極區，分別位在該金屬柵極結構的兩側。在該基底上形成一介電層，環繞該金屬柵極結構。
4、整體來說，本專利技術的半導體裝置及其制作方法是在形成多晶硅柵極結構時預先在其內設置至少一虛設體，并在至少一虛設體存在的前提下進行金屬柵極置換制作工藝，以避免在進行平坦化制作工藝時，因研磨不足或過度研磨導致金屬柵極結構的短路問題或結構缺陷。如此，本專利技術的半導體裝置的結構可靠度及元件效能都可有效地提升，達到更為優良的操作表現。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體裝置，其特征在于包括：
2.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該至少一虛設體包括復合層結構。
3.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：
4.依據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體排列成非對稱圖案。
5.依據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體包括多個第一圖案及多個第二圖案，該些第一圖案及該些第二圖案分別延伸于不同方向。
6.依據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體包括多個第一圖案及多個第二圖案，該些第一圖案及該些第二圖案分別包括不同形狀。
7.依據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體分別依照不同間距排列。
8.依據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體排列成對稱圖案。
9.依據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體排列成矩陣圖案。
10.依據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體延伸于相同方向。
11.依據權利要求8所述的半導體裝
12.依據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該金屬柵極結構還包括多個柵極單元，各該柵極單元及各該虛設體在該金屬柵極結構內相互交替排列。
13.依據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，至少兩個該柵極單元具有相同長度。
14.依據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，至少兩個該柵極單元具有不同長度。
15.依據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，各該柵極單元包括U型的高介電常數介電層、U型的功函數金屬層、U型的阻障層、以及導電層，該高介電常數介電層、該功函數金屬層、該阻障層以及該導電層由下而上依序堆疊。
16.一種半導體裝置的制作方法，其特征在于包括：
17.依據權利要求16所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，形成該金屬柵極結構還包括：
18.依據權利要求17所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，形成該至少一虛設體還包括：
19.依據權利要求17所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，形成該至少一虛設體還包括：
20.依據權利要求17所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，形成該金屬柵極結構還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，其特征在于包括：
2.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該至少一虛設體包括復合層結構。
3.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：
4.依據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體排列成非對稱圖案。
5.依據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體包括多個第一圖案及多個第二圖案，該些第一圖案及該些第二圖案分別延伸于不同方向。
6.依據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體包括多個第一圖案及多個第二圖案，該些第一圖案及該些第二圖案分別包括不同形狀。
7.依據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體分別依照不同間距排列。
8.依據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體排列成對稱圖案。
9.依據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體排列成矩陣圖案。
10.依據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體延伸于相同方向。
11.依據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，該些虛設體分別依照相同間距排列。<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張維峻，張幼弟，黃漢民，黃清俊，談文毅，
申請(專利權)人：聯芯集成電路制造廈門有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。