【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，具體涉及一種諧振腔發光二極管及其制作方法、和一種發光陣列結構。
技術介紹
1、隨著大數據、第五代移動通信技術的發展，光網絡信息處理不斷增加、高密度寬帶通信不斷提高，諧振腔發光二極管(rcled，resonant?cavity?light?emitting?diode)和垂直腔面發射激光器(vcsel，vertical?cavity?surface?emitting?lighter)作為激光光源，越來越受到人們關注。
2、激光光源中常采用具有開孔的氧化層來對電子和光子進行橫向控制，但是由于氧化工藝復雜性高、穩定性差，難以精確控制氧化深度；并且，氧化物與半導體直接的熱膨脹系數存在差異，氧化層開孔處產生應力，降低了器件可靠性，難以保證較高光提取效率。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請實施例提供了一種諧振腔發光二極管及其制作方法、發光陣列結構，以解決現有技術中光提取效率較低的技術問題。
2、根據本申請的一個方面，本申請一實施例提供的一種諧振腔發光二極管，包括：在第一基板上依次層疊的第一反射層、第一類型半導體層、有源層、第二類型半導體層，所述第二類型半導體層包括第一側壁和位于所述第一側壁遠離所述第一基板一側的上表面；第二反射層，至少覆蓋所述第一側壁；所述上表面為出光口；所述第一側壁包括沿第一方向排列的下切點和上切點，所述第一方向為所述第一基板指向所述第二類型半導體層的方向，所述上切點的切線斜率大于所述下切點的切線斜率。
3、根據本申請的
4、根據本申請的再一個方面，本申請一實施例提供的一種諧振腔發光二極管的制作方法，包括：在生長襯底上制作掩膜層；刻蝕所述掩膜層，形成暴露所述生長襯底的通孔，所述掩膜層構成所述通孔的通孔側壁，所述通孔側壁包括第一切點和位于所述第一切點遠離所述生長襯底的第二切點，所述第一切點的切線斜率大于所述第二切點的切線斜率；自所述通孔外延制作第二類型半導體層，所述第二類型半導體層的第一側壁與所述通孔側壁形狀匹配，所述第一側壁包括與所述第一切點對應的上切點、與所述第二切點對應的下切點，所述上切點的切線斜率大于所述下切點的切線斜率；在所述第二類型半導體層上制作有源層、第一類型半導體層和第一反射層；倒置于第一基板；去除所述生長襯底和所述掩膜層；在所述第一側壁上制作第二反射層。
5、上述技術方案中的一個技術方案具有如下有益效果：
6、本申請實施例提供的一種諧振腔發光二極管，包括在第一基板上依次層疊的第一反射層、第一類型半導體層、有源層、第二類型半導體層，第二反射層覆蓋第二類型半導體層的第一側壁，第二類型半導體層遠離第一基板一側的上表面為出光口，第一反射層和第二反射層構成諧振腔，光線在諧振腔內能多次進行反射；第一側壁包括自下而上排列的下切點和上切點，上切點的切線斜率大于下切點的切線斜率，即越接近出光口處的切點，其切線斜率越大，第一側壁與豎直方向的夾角越小，多次反射的光線在到達第一側壁后易被反射、并從上表面定向射出，能加快光子從出光口逸出，并且提高了光提取效率。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種諧振腔發光二極管，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，沿著第一方向，所述第一側壁的切線斜率逐漸增大。
3.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，所述第一側壁包括第一部分和位于所述第一部分遠離所述第一基板的第二部分；
4.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，沿著第一方向，所述第一類型半導體層、所述有源層和所述第二類型半導體層的側壁的切線斜率逐漸增大。
5.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，所述第二反射層還覆蓋所述第二類型半導體層的所述上表面、所述第一類型半導體層的側壁和所述有源層的側壁。
6.根據權利要求5所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，位于所述第一側壁的所述第二反射層的反射率高于位于所述上表面的所述第二反射層的反射率。
7.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，所述第二類型半導體層還包括靠近所述第一基板的下表面，所述第二類型半導體層的所述上表面的面積為所述下表面的面積的0.05～0.5倍。
8.
9.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，還包括位于所述第一基板上的驅動電路；
10.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，所述第二類型半導體層包括靠近所述有源層的下表面，
11.一種發光陣列結構，其特征在于，包括：相鄰的第一發光區域和第二發光區域，
12.一種諧振腔發光二極管的制作方法，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種諧振腔發光二極管，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，沿著第一方向，所述第一側壁的切線斜率逐漸增大。
3.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，所述第一側壁包括第一部分和位于所述第一部分遠離所述第一基板的第二部分；
4.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，沿著第一方向，所述第一類型半導體層、所述有源層和所述第二類型半導體層的側壁的切線斜率逐漸增大。
5.根據權利要求1所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，所述第二反射層還覆蓋所述第二類型半導體層的所述上表面、所述第一類型半導體層的側壁和所述有源層的側壁。
6.根據權利要求5所述的諧振腔發光二極管，其特征在于，位于所述第一側壁的所述第二反射層的反射率高于位于所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：程凱，
申請(專利權)人：蘇州晶湛半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。