【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種封裝結構及封裝方法。
技術介紹
1、對于單片芯片的尺寸，常規的芯片制造技術正在被推向它們的極限。然而，應用卻渴望使用最新技術實現大尺寸集成電路的能力，芯片之間實現高速和小體積互連具有較大的挑戰。
2、目前的一種解決方案是使用嵌入在硅襯底中的硅橋(si?bridge)芯片的較小的集成電路，以通過硅橋芯片實現芯片與芯片之間的互連，進而提供異質芯片封裝。
3、但是，目前封裝結構的結構較為復雜，且芯片之間的集成度仍有待提高。
技術實現思路
1、本專利技術實施例解決的問題是提供一種封裝結構及封裝方法，提高了封裝結構的集成度。
2、為解決上述問題，本專利技術提供一種封裝結構，包括：基板，包括鍵合面；第一器件芯片，鍵合于基板的鍵合面上，并與基板電連接，第一器件芯片包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面，第一芯片正面與鍵合面相對設置，第一器件芯片的器件通過第一芯片背面供電；第二器件芯片，鍵合于第一器件芯片上，并與第一器件芯片電連接，第二器件芯片包括相背的第二芯片正面和第二芯片背面，第二芯片正面與第一芯片背面相對設置。
3、可選的，第一器件芯片包括位于第一芯片背面一側的背面互連層，背面互連層與第二器件芯片電連接，背面互連層還與第一器件芯片的器件電連接。
4、可選的，第一器件芯片還包括基底、以及位于基底上的器件層，器件層位于基底朝向第一芯片正面一側的面上；背面互連層位于基底朝向第一芯片背面一側的面
5、可選的，第一器件芯片中形成有位于第一芯片正面一側的第一互連結構，第一器件芯片的背面互連層與基板通過第一互連結構電連接。
6、可選的，第二器件芯片中形成有位于第二芯片正面的第二互連結構，第二器件芯片的器件與第一器件芯片通過第二互連結構電連接。
7、可選的，第二器件芯片的器件通過第一器件芯片與基板電連接。
8、可選的，封裝結構還包括：導電凸塊，位于第一器件芯片與基板之間，并電連接第一器件芯片與基板。
9、可選的，封裝結構還包括：密封層，填充于相鄰導電凸塊之間的間隙內并包覆導電凸塊。
10、相應的，本專利技術實施例還提供一種封裝方法，包括：提供第一器件芯片，包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面；提供第二器件芯片，包括相背的第二芯片正面和第二芯片背面；將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上，并相互電連接，第二芯片正面與第一芯片背面相對設置；提供基板，包括鍵合面；將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上后，將第一器件芯片鍵合于基板上，并與基板電連接，第一芯片正面與鍵合面相對設置，且第一器件芯片的器件通過第一芯片背面供電。
11、可選的，將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上的步驟包括：提供承載基板；將第一器件芯片鍵合于承載基板上，第一芯片正面朝向承載基板；將第一器件芯片鍵合于承載基板上之后，將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上；將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上之后，去除承載基板。
12、可選的，將第一器件芯片鍵合于承載基板上之后，將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上之前，封裝方法還包括：通過第一芯片背面對第一器件芯片進行背面減薄處理；進行背面減薄處理后，在第一芯片背面形成背面互連層，背面互連層與第一器件芯片的器件電連接；將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上的步驟中，背面互連層與第二器件芯片電連接。
13、可選的，提供第一器件芯片的步驟中，第一器件芯片包括基底、以及位于基底上的器件層，基底位于第一芯片背面一側，器件層位于第一芯片正面一側；通過第一芯片背面對第一器件芯片進行背面減薄處理的步驟中，去除部分厚度的基底；在第一芯片背面形成背面互連層的步驟中，在基底上形成背面互連層，背面互連層位于基底朝向第一芯片背面一側的面上。
14、可選的，提供第一器件芯片的步驟中，第一器件芯片中形成有位于第一芯片正面一側的第一互連結構；在第一芯片背面形成背面互連層的步驟中，背面互連層與第一互連結構電連接；將第一器件芯片鍵合于基板上的步驟中，第一器件芯片的背面互連層與基板通過第一互連結構電連接。
15、可選的，提供第二器件芯片的步驟中，第二器件芯片中形成有位于第二芯片正面的第二互連結構，第二互連結構與第二器件芯片的器件電連接；將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上的步驟中，第二器件芯片的器件與第一器件芯片通過第二互連結構電連接。
16、可選的，將第一器件芯片鍵合于基板上的步驟中，第二器件芯片的器件通過第一器件芯片與基板電連接。
17、可選的，將第一器件芯片鍵合于基板上的步驟包括：在第一器件芯片的芯片正面上，或者，在鍵合面上形成導電凸塊；利用導電凸塊實現第一器件芯片與基板的鍵合，導電凸塊電連接第一器件芯片與基板。
18、可選的，將第一器件芯片鍵合于基板上之后，封裝方法還包括：在相鄰導電凸塊之間的間隙內填充密封層，密封層包覆導電凸塊。
19、與現有技術相比，本專利技術實施例的技術方案具有以下優點：
20、本專利技術實施例提供一種封裝結構，第一器件芯片鍵合于基板的鍵合面上，并與基板電連接，第一器件芯片包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面，第一芯片正面與鍵合面相對設置，第一器件芯片的器件通過第一芯片背面供電，第二器件芯片鍵合于第一器件芯片上，并與第一器件芯片電連接，第二器件芯片包括相背的第二芯片正面和第二芯片背面，第二芯片正面與第一芯片背面相對設置；本專利技術實施例中，第一器件芯片鍵合于基板上，通過第一芯片背面來實現對第一器件芯片的器件的供電，有利于簡化電路，提高了封裝結構的集成度，而且，第二器件芯片鍵合于第一器件芯片上，增加了將第一器件芯片鍵合于基板上時的結構總厚度，有利于增加第一器件芯片的鍵合強度，從而有利于實現將第一器件芯片鍵合與基板上進行背面供電的方案，同時實現第一器件芯片與第二器件芯片的電連接，有利于增加電路結構的多樣性，提高封裝結構的適用度。
21、本專利技術實施例提供一種封裝方法，提供第一器件芯片，包括相背的第一芯片正面和第一芯片背面，提供第二器件芯片，包括相背的第二芯片正面和第二芯片背面，將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上，并相互電連接，第二芯片正面與第一芯片背面相對設置，提供基板，包括鍵合面，將第一器件芯片鍵合于第二器件芯片上后，將第一器件芯片鍵合于基板上，并與基板電連接，第一芯片正面與鍵合面相對設置，且第一器件芯片的器件通過第一芯片背面供電；本專利技術實施例中，第一器件芯片鍵合于基板上，通過第一芯片背面來實現對第一器件芯片的器件的供電，有利于簡化電路，提高了封裝結構的集成度，而且，第二器件芯片鍵合于第一器件芯片上，增加了將第一器件芯片鍵合于基板上時的結構總厚度，有利于增加第一器件芯片的鍵合強度，從而有利于實現將第一器件芯片鍵合與基板上進行背面供電的方案，同時實現第一器件芯片與第二器件芯片的電連接，有利于增加電路結構的多樣性，提高封裝結構的適用度。
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1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一器件芯片包括位于所述第一芯片背面一側的背面互連層，所述背面互連層與所述第二器件芯片電連接，所述背面互連層還與所述第一器件芯片的器件電連接。
3.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一器件芯片還包括基底、以及位于所述基底上的器件層，所述器件層位于所述基底朝向所述第一芯片正面一側的面上；
4.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一器件芯片中形成有位于所述第一芯片正面一側的第一互連結構，所述第一器件芯片的背面互連層與所述基板通過所述第一互連結構電連接。
5.如權利要求1～4中任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述第二器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面的第二互連結構，所述第二器件芯片的器件與所述第一器件芯片通過所述第二互連結構電連接。
6.如權利要求5所述的封裝結構，其特征在于，所述第二器件芯片的器件通過所述第一器件芯片與所述基板電連接。
7.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：導電
8.如權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：密封層，填充于相鄰所述導電凸塊之間的間隙內并包覆所述導電凸塊。
9.一種封裝方法，其特征在于，包括：
10.如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，將所述第一器件芯片鍵合于所述第二器件芯片上的步驟包括：提供承載基板；
11.如權利要求10所述的封裝方法，其特征在于，將所述第一器件芯片鍵合于所述承載基板上之后，將所述第一器件芯片鍵合于所述第二器件芯片上之前，所述封裝方法還包括：通過所述第一芯片背面對所述第一器件芯片進行背面減薄處理；
12.如權利要求11所述的封裝方法，其特征在于，提供所述第一器件芯片的步驟中，所述第一器件芯片包括基底、以及位于所述基底上的器件層，所述基底位于所述第一芯片背面一側，所述器件層位于所述第一芯片正面一側；
13.如權利要求11所述的封裝方法，其特征在于，提供所述第一器件芯片的步驟中，所述第一器件芯片中形成有位于所述第一芯片正面一側的第一互連結構；
14.如權利要求9～13中任一項所述的封裝方法，其特征在于，提供所述第二器件芯片的步驟中，所述第二器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面的第二互連結構，所述第二互連結構與所述第二器件芯片的器件電連接；
15.如權利要求14所述的封裝方法，其特征在于，將所述第一器件芯片鍵合于所述基板上的步驟中，所述第二器件芯片的器件通過所述第一器件芯片與所述基板電連接。
16.如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，將所述第一器件芯片鍵合于所述基板上的步驟包括：在所述第一器件芯片的第一芯片正面上，或者，在所述鍵合面上形成導電凸塊；
17.如權利要求16所述的封裝方法，其特征在于，將所述第一器件芯片鍵合于所述基板上之后，所述封裝方法還包括：在相鄰所述導電凸塊之間的間隙內填充密封層，所述密封層包覆所述導電凸塊。
...【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一器件芯片包括位于所述第一芯片背面一側的背面互連層，所述背面互連層與所述第二器件芯片電連接，所述背面互連層還與所述第一器件芯片的器件電連接。
3.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一器件芯片還包括基底、以及位于所述基底上的器件層，所述器件層位于所述基底朝向所述第一芯片正面一側的面上；
4.如權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一器件芯片中形成有位于所述第一芯片正面一側的第一互連結構，所述第一器件芯片的背面互連層與所述基板通過所述第一互連結構電連接。
5.如權利要求1～4中任一項所述的封裝結構，其特征在于，所述第二器件芯片中形成有位于所述第二芯片正面的第二互連結構，所述第二器件芯片的器件與所述第一器件芯片通過所述第二互連結構電連接。
6.如權利要求5所述的封裝結構，其特征在于，所述第二器件芯片的器件通過所述第一器件芯片與所述基板電連接。
7.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：導電凸塊，位于所述第一器件芯片與所述基板之間，并電連接所述第一器件芯片與所述基板。
8.如權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括：密封層，填充于相鄰所述導電凸塊之間的間隙內并包覆所述導電凸塊。
9.一種封裝方法，其特征在于，包括：
10.如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，將所述第一器件芯片鍵合于所述第二器件芯片上的步驟...
【專利技術屬性】
技術研發人員：金吉松，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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