【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體器件，尤其涉及一種半導體器件及其制備方法以及存儲器系統。
技術介紹
1、在半導體結構的制備方法中，通常采用位于切割道上的柵線標記(grid?linemark，gl?mark)進行對準或者在套刻誤差量測時量測切割線上的當層和前層的標記偏差來達到量測測量前后制程之間套刻誤差的目的。半導體器件的制備方法還包括移除堆疊結構中的氮化硅層的步驟，該步驟容易使得切割線上的gl?mark倒塌。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請提供一種能夠解決上述技術問題的半導體器件及其制備方法以及存儲器系統。
2、為解決上述問題，本申請提供的技術方案如下：
3、本申請提供一種半導體器件，包括第一半導體結構，所述第一半導體結構包括：堆疊結構；及標記結構，位于所述堆疊結構內；其中，所述標記結構包括多個第一溝道結構，多個所述第一溝道結構中的一部分第一溝道結構構成第一標記圖形，多個所述第一溝道結構中的另一部分第一溝道結構構成第二標記圖形，多個所述第一溝道結構中的再一部分第一溝道結構構成支撐標記圖形，所述支撐標記圖形圍繞所述第二標記圖形，所述第一標記圖形位于所述支撐標記圖形一側。
4、在一些實施例中，所述第一半導體結構還包括：第一絕緣層，位于所述堆疊結構一側；所述第一絕緣層覆蓋所述支撐標記圖形及所述第二標記圖形，所述第一絕緣層在所述堆疊結構上的正投影落在所述第一標記圖形外圍；及第二絕緣層；一部分所述第二絕緣層位于所述第一絕緣層遠離所述堆疊結構的一側，另一部分所述第二絕緣
5、在一些實施例中，相鄰的兩個所述第一溝道結構之間具有間隙；所述第二絕緣層包括第三標記圖形，所述第三標記圖形包括凸部及與所述凸部相鄰的凹部；其中，所述凸部在所述堆疊結構上的正投影與所述第一標記圖形的多個所述第一溝道結構至少部分交疊，所述凹部在所述堆疊結構上的正投影與所述第一標記圖形的間隙至少部分交疊。
6、在一些實施例中，所述堆疊結構、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層在第一方向上堆疊；分別以與所述第一方向垂直的第二方向和第三方向作二維坐標系的x軸和y軸，并將所述標記結構劃分為四個象限；在一個所述象限中，一個所述第一標記圖形和一個所述第二標記圖形沿所述第一方向或所述第二方向相鄰設置，在所述第一標記圖形和所述第二標記圖形的排布方向上，相比于所述第二標記圖形，所述第一標記圖形更靠近所述x軸或所述y軸。
7、在一些實施例中，所述第一標記圖形包括第一標記組；每個所述第一標記組包括多個第一子標記組，每個所述第一子標記組包括多個呈陣列排布的所述第一溝道結構。
8、在一些實施例中，相鄰的兩個所述第一標記組呈l型，相鄰的兩個所述第一標記組中的一個所述第一標記組內的所述第一子標記組沿x軸排布，另一個所述第一標記組內的所述第一子標記組沿y軸排布。
9、在一些實施例中，每個所述第二標記圖形包括多個第二標記組，每個所述第二標記組包括多個沿所述第一方向或所述第二方向排布的第二子標記組，每個所述第二子標記組包括多個呈陣列排布的所述第一溝道結構；其中，在一個所述象限中，所述第二標記組中的所述第二子標記組的排布方向與所述第一標記組中的所述第一子標記組的排布方向相同。
10、在一些實施例中，在一個所述象限中，且在所述第一標記組和所述第二標記組的排布方向上，一個所述第二子標記組與相鄰兩個所述第一子標記組之間的間隙位置相對；在所述第一子標記組的排布方向上，最外側的所述第一子標記組與所述支撐標記圖形及一與所述支撐標記圖形相鄰的所述第二子標記組之間的間隙位置相對。
11、在一些實施例中，所述第一絕緣層包括第一絕緣部及第二絕緣部，所述第一絕緣部覆蓋所述第二標記圖形及所述支撐標記圖形，所述第二絕緣部自所述第一絕緣部延伸而出，所述第二絕緣部在所述堆疊結構上的正投影位于所述第一標記圖形和所述支撐標記圖形之間。
12、在一些實施例中，在一個所述象限中，多個所述第二絕緣部間隔設置，且第二絕緣部在所述堆疊結構上的正投影與所述第一子標記組相對設置。
13、在一些實施例中，所述第一半導體結構還包括：第一柵線結構，位于所述堆疊結構內且貫穿所述第二絕緣層、所述第一絕緣層及所述堆疊結構；其中，多個所述第一柵線結構構成多個第一柵線結構組，每個所述第一柵線結構組在所述堆疊結構上的正投影位于相鄰的兩個所述第二子標記組之間或所述第二子標記組和所述支撐標記圖形之間。
14、在一些實施例中，在一個所述第一柵線結構組中的多個所述第一柵線結構沿所述第一方向或所述第二方向排布。
15、在一些實施例中，所述堆疊結構包括核心區、連接區及切割道區；所述連接區位于所述核心區一側，所述切割道區位于所述連接區遠離所述核心區一側，所述標記結構位于所述切割道區；其中，所述第一半導體結構還包括第二柵線結構及第三柵線結構，所述第二柵線結構及所述第三柵線結構位于所述堆疊結構內且貫穿所述第二絕緣層、所述第一絕緣層及所述堆疊結構，所述第二柵線結構位于所述核心區，所述第三柵線結構位于所述連接區。
16、在一些實施例中，所述第一絕緣層還覆蓋所述核心區及所述連接區。
17、在一些實施例中，所述堆疊結構包括柵電極層及介質層，所述柵電極層及所述介質層在所述堆疊結構和所述第一絕緣層的堆疊方向上交替設置；其中，所述第一絕緣層位于其中一所述介質層遠離所述柵電極層的一側；所述標記結構位于所述堆疊結構內且沿所述堆疊方向貫穿所述柵電極層及所述介質層；所述第二絕緣層還在所述堆疊方向上與與所述第一絕緣層連接的所述介質層的一部分及距離所述第一絕緣層最近的所述柵電極層的一部分連接。
18、在一些實施例中，所述第一半導體結構還包括：頂部選擇柵，位于所述第一絕緣層內且通過所述介質層與所述柵電極層間隔。
19、在一些實施例中，所述堆疊結構、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層在第一方向上堆疊；所述半導體器件還包括第二半導體結構，具有控制所述第一半導體結構的電路元件且位于所述第一半導體結構一側；其中，所述第二半導體結構在所述第一方向上與所述第一半導體結構鍵合連接。
20、本申請還提供一種半導體器件的制作方法，包括：形成第一堆疊結構；及在所述第一堆疊結構內形成多個第一溝道結構，并使得多個所述第一溝道結構中的一部分第一溝道結構排布成第一標記圖形，多個所述第一溝道結構中的另一部分第一溝道結構排布成第二標記圖形，多個所述第一溝道結構中的再一部分第一溝道結構構成支撐標記圖形，所述支撐標記圖形圍繞所述第二標記圖形，所述第一標記圖形位于所述支撐標記圖形一側，所述第一標記圖形、所述第二標記圖形及所述支撐標記圖形構成標記結構。
21、在一些實施例中，所述第一溝道結構沿第一方向延伸；每個所述第二標記圖形包括多個第二標記組，每個所述第二標記組包括多個沿與所述第一方向垂直的第二方向或第三方向排布的第二子標記組，每個所述第二子標記組包括多個呈陣本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體器件，包括第一半導體結構，其特征在于，所述第一半導體結構包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，相鄰的兩個所述第一溝道結構之間具有間隙；
4.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述堆疊結構、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層在第一方向上堆疊；
5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述第一標記圖形包括第一標記組；每個所述第一標記組包括多個第一子標記組，每個所述第一子標記組包括多個呈陣列排布的所述第一溝道結構。
6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，相鄰的兩個所述第一標記組呈L型，相鄰的兩個所述第一標記組中的一個所述第一標記組內的所述第一子標記組沿X軸排布，另一個所述第一標記組內的所述第一子標記組沿Y軸排布。
7.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，每個所述第二標記圖形包括多個第二標記組，每個所述第二標記組包括多個沿所述第一方向或所述第二方向排布的第二子標記組，每個所述第二子標記組包括
8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，在一個所述象限中，且在所述第一標記組和所述第二標記組的排布方向上，一個所述第二子標記組與相鄰兩個所述第一子標記組之間的間隙位置相對；
9.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣層包括第一絕緣部及第二絕緣部，所述第一絕緣部覆蓋所述第二標記圖形及所述支撐標記圖形，所述第二絕緣部自所述第一絕緣部延伸而出，所述第二絕緣部在所述堆疊結構上的正投影位于所述第一標記圖形和所述支撐標記圖形之間。
10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，在一個所述象限中，多個所述第二絕緣部間隔設置，且第二絕緣部在所述堆疊結構上的正投影與所述第一子標記組相對設置。
11.如權利要求7或8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，在一個所述第一柵線結構組中的多個所述第一柵線結構沿所述第一方向或所述第二方向排布。
13.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述堆疊結構包括核心區、連接區及切割道區；所述連接區位于所述核心區一側，所述切割道區位于所述連接區遠離所述核心區一側，所述標記結構位于所述切割道區；
14.如權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣層還覆蓋所述核心區及所述連接區。
15.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述堆疊結構包括柵電極層及介質層，所述柵電極層及所述介質層在所述堆疊結構和所述第一絕緣層的堆疊方向上交替設置；
16.如權利要求15所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
17.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述堆疊結構、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層在第一方向上堆疊；
18.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
19.如權利要求18所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一溝道結構沿第一方向延伸；
20.如權利要求19所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，
21.如權利要求20所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二絕緣層對應所述第一標記圖形的位置形成有第三標記圖形；
22.如權利要求20所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在圖案化所述第一初始絕緣層的步驟中，使得所述第一絕緣層包括第一絕緣部及第二絕緣部，所述第一絕緣部覆蓋所述第二標記圖形及所述支撐標記圖形，所述第二絕緣部自所述第一絕緣部延伸而出，所述第二絕緣部在所述堆疊結構上的正投影位于所述第一標記圖形和所述支撐標記圖形之間。
23.如權利要求20所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一堆疊結構包括核心區、連接區及切割道區；所述連接區位于所述核心區一側，所述切割道區位于所述連接區遠離所述核心區一側；
24.一種存儲器系統，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，包括第一半導體結構，其特征在于，所述第一半導體結構包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，相鄰的兩個所述第一溝道結構之間具有間隙；
4.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述堆疊結構、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層在第一方向上堆疊；
5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述第一標記圖形包括第一標記組；每個所述第一標記組包括多個第一子標記組，每個所述第一子標記組包括多個呈陣列排布的所述第一溝道結構。
6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，相鄰的兩個所述第一標記組呈l型，相鄰的兩個所述第一標記組中的一個所述第一標記組內的所述第一子標記組沿x軸排布，另一個所述第一標記組內的所述第一子標記組沿y軸排布。
7.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，每個所述第二標記圖形包括多個第二標記組，每個所述第二標記組包括多個沿所述第一方向或所述第二方向排布的第二子標記組，每個所述第二子標記組包括多個呈陣列排布的所述第一溝道結構；
8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，在一個所述象限中，且在所述第一標記組和所述第二標記組的排布方向上，一個所述第二子標記組與相鄰兩個所述第一子標記組之間的間隙位置相對；
9.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一絕緣層包括第一絕緣部及第二絕緣部，所述第一絕緣部覆蓋所述第二標記圖形及所述支撐標記圖形，所述第二絕緣部自所述第一絕緣部延伸而出，所述第二絕緣部在所述堆疊結構上的正投影位于所述第一標記圖形和所述支撐標記圖形之間。
10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，在一個所述象限中，多個所述第二絕緣部間隔設置，且第二絕緣部在所述堆疊結構上的正投影與所述第一子標記組相對設置。
11.如權利要求7或8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體結構還包括：
12.如權利...
【專利技術屬性】
技術研發人員：盧紹祥，陸聰，
申請(專利權)人：長江存儲科技有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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