【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及顯示器件，特別是涉及一種基于垂直堆疊的全彩micro-led微顯示器件及其制備方法。
技術介紹
1、micro-led微顯示是一種自發光顯示技術，通過將陣列化的微米級led發光器件，集成在有源尋址驅動硅基板上，實現單獨控制和點亮輸出顯示圖像。與液晶顯示(lcd)和有機發光二極管顯示(oled)相比，micro-led微顯示具有分辨率高、亮度高、功耗低以及響應速度快等優點，可廣泛應用在車載顯示、ar/vr電競及軍用頭盔可穿戴等顯示領域，是新一種顛覆性的微顯示技術。
2、盡管優勢明顯，但隨著對彩色化、高亮度和小型化需求的不斷增加，當前實現全彩化的主要手段是巨量轉移或顏色轉換技術，前者精度和修復成本較高，且無法做到小間距；后者雖然只需要單色像素，但作為顏色轉換的量子點面臨著壽命問題，在較高的溫度濕度下量子點不夠穩定。因此，如何在小尺寸尺度內，實現高密度集成、高可靠性堆疊互連是目前micro-led彩色化制備的一個挑戰。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種基于垂直堆疊的全彩micro-led微顯示器件及其制備方法，能夠通過垂直堆疊的結構設計，避免傳統水平方向上三像素并排布局的局限。
2、為實現上述目的，本專利技術提供了如下方案：
3、一種基于垂直堆疊的全彩micro-led微顯示器件，包括：由下至上依次設置的cmos驅動基板和以垂直堆疊形式排布的三色外延層，所述cmos驅動基板和所述三色外延層之間還設有p電極，所述三色外延層的頂端
4、可選地，所述三色外延層由下至上依次設置為紅色外延層的p-gap層、紅色外延層的mqw層、紅色外延層的n-gaas層、su-8層、藍色外延層的p-gan層、藍色外延層的mqw層、藍色外延層的n-gan層、硅膠/環氧膠層、綠色外延層的p-gan層、綠色外延層的mqw層以及綠色外延層的n-gan層。
5、可選地，所述三色外延層中紅色外延層、藍色外延層和綠色外延層的長度依次遞減。
6、本專利技術還提供了一種基于垂直堆疊的全彩micro-led微顯示器件的制備方法，包括：
7、步驟101：將紅色外延層轉移至臨時基板上；
8、步驟102：在紅色外延層和藍綠外延層上分別刻蝕出tsv通孔；
9、步驟103：分別在兩個外延層的tsv處填充金屬材料；
10、步驟104：將紅色外延層根據通孔位置鍵合在藍綠外延層上，并去除紅色外延層的臨時基板；
11、步驟105：在通孔表面蒸鍍金屬作為p電極，得到mciro-led芯片；
12、步驟106：將micro-led芯片與cmos驅動基板鍵合；
13、步驟107：剝離micro-led芯片的襯底；
14、步驟108：刻蝕藍綠外延層，直至露出紅色外延層；
15、步驟109：刻蝕綠色外延層，直至露出藍色外延層；
16、步驟110：在三色外延層的頂端制備共n電極，并布線將n電極連接成共陰極。
17、可選地，所述步驟102中的紅色外延層的通孔需刻穿，藍色外延層和綠色外延層的其中一通孔刻至綠色外延層的p-gan層，另一通孔刻至藍色外延層的p-gan層。
18、根據本專利技術提供的具體實施例，本專利技術公開了以下技術效果：
19、本專利技術公開了一種基于垂直堆疊的全彩micro-led微顯示器件及其制備方法，所述微顯示器件包括：由下至上依次設置的cmos驅動基板和以垂直堆疊形式排布的三色外延層，所述cmos驅動基板和所述三色外延層之間還設有p電極，所述三色外延層的頂端還設有共n電極。本專利技術能夠通過垂直堆疊的結構設計，避免傳統水平方向上三像素并排布局的局限，縮減了像素尺寸及其間距，從而實現了顯示分辨率的提升，并進一步通過優化布局策略降低了制造成本。
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1.一種基于垂直堆疊的全彩Micro-LED微顯示器件，其特征在于，包括：由下至上依次設置的CMOS驅動基板和以垂直堆疊形式排布的三色外延層，所述CMOS驅動基板和所述三色外延層之間還設有P電極，所述三色外延層的頂端還設有共N電極。
2.根據權利要求1所述的基于垂直堆疊的全彩Micro-LED微顯示器件，其特征在于，所述三色外延層由下至上依次設置為紅色外延層的P-GaP層、紅色外延層的MQW層、紅色外延層的N-GaAs層、SU-8層、藍色外延層的P-GaN層、藍色外延層的MQW層、藍色外延層的N-GaN層、硅膠/環氧膠層、綠色外延層的P-GaN層、綠色外延層的MQW層以及綠色外延層的N-GaN層。
3.根據權利要求2所述的基于垂直堆疊的全彩Micro-LED微顯示器件，其特征在于，所述三色外延層中紅色外延層、藍色外延層和綠色外延層的長度依次遞減。
4.一種基于垂直堆疊的全彩Micro-LED微顯示器件的制備方法，其特征在于，包括：
5.根據權利要求4所述的基于垂直堆疊的全彩Micro-LED微顯示器件的制備方法，其特征在于，所述步驟
...【技術特征摘要】
1.一種基于垂直堆疊的全彩micro-led微顯示器件，其特征在于，包括：由下至上依次設置的cmos驅動基板和以垂直堆疊形式排布的三色外延層，所述cmos驅動基板和所述三色外延層之間還設有p電極，所述三色外延層的頂端還設有共n電極。
2.根據權利要求1所述的基于垂直堆疊的全彩micro-led微顯示器件，其特征在于，所述三色外延層由下至上依次設置為紅色外延層的p-gap層、紅色外延層的mqw層、紅色外延層的n-gaas層、su-8層、藍色外延層的p-gan層、藍色外延層的mqw層、藍色外延層的n-gan層、硅膠/環氧膠層、綠色外延層的p-gan層、...
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