【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及聲波諧振領(lǐng)域，特別是涉及一種西沙瓦波聲表面波諧振器、裸芯片及通信組件。
技術(shù)介紹
1、隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，越來(lái)越多的設(shè)備需要與其他設(shè)備進(jìn)行信息交換，而設(shè)備的小型化成了必然的發(fā)展目標(biāo)，這也對(duì)移動(dòng)通信設(shè)備提出了更高的要求。
2、在同一通信設(shè)備中采用多種濾波器技術(shù)不可避免的增加器件的尺寸，怎樣降低器件的尺寸已經(jīng)成為急需解決的問(wèn)題。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，saw（聲表面波）濾波器一般采用鈮酸鋰、鉭酸鋰、甚至氧化鋅作為壓電層，而baw（體聲波）濾波器一般采用氮化鋁或摻鈧氮化鋁作為壓電層。壓電材料的不同限制了將saw和baw濾波器在同一片晶圓上同時(shí)制作，分開(kāi)制作的saw和baw濾波器在最終使用時(shí)的尺寸必然大于將saw和baw濾波器制作在同一片晶圓上的結(jié)構(gòu)。因此迫切需求一種更高性能的諧振器能與saw或baw濾波器高度集成，如在同一片晶圓上制備。
3、因此，如何在不阻礙濾波器小型化的同時(shí)，改善諧振器的結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)濾波器的小型化，并同時(shí)改善濾波器的性能是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的是提供一種西沙瓦波聲表面波諧振器、裸芯片及通信組件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中不能在不阻礙諧振器小型化的同時(shí)，提升諧振器的性能的問(wèn)題。
2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)提供一種西沙瓦波聲表面波諧振器，從下到上依次包括襯底、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；
3、所述第一壓電層和/或所述第二壓電層包括鉭酸鋰層、鈮酸鋰層、氮化鋁層、摻鈧氮
4、所述第一壓電層的聲阻抗與所述叉指電極的聲阻抗的差，及所述第二壓電層的聲阻抗與所述叉指電極的聲阻抗的差，均不小于預(yù)設(shè)的阻攔閾值。
5、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述阻攔預(yù)設(shè)值的范圍為10兆瑞利至50兆瑞利，包括端點(diǎn)值；
6、和/或所述第一壓電層為氮化鋁層，所述第二壓電層為摻鈧氮化鋁層，所述叉指電極層為鉬電極、鋁電極、銅電極及金電極中的至少一種。
7、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，還包括底電極；
8、所述底電極設(shè)置于所述襯底與所述第一壓電層之間；
9、所述第一壓電層的聲阻抗與所述底電極的聲阻抗的差，及所述第二壓電層的聲阻抗與所述底電極的聲阻抗的差，均不小于預(yù)設(shè)的第二閾值。
10、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述叉指電極為疊層電極，包括多個(gè)聲阻抗不同的電極疊層；
11、和/或，
12、所述底電極為疊層電極，包括多個(gè)聲阻抗不同的電極疊層。
13、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述叉指電極中聲阻抗最小的電極疊層與所述第二壓電層接觸設(shè)置；
14、和/或，
15、所述底電極中聲阻抗最小的電極疊層與所述第一壓電層接觸設(shè)置。
16、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述所述叉指電極只包括兩種聲阻抗不同的電極疊層；
17、兩種所述電極疊層在所述叉指電極中交替堆疊；
18、和/或，
19、所述底電極只包括兩種聲阻抗不同的電極疊層；
20、兩種所述電極疊層在所述底電極中交替堆疊。
21、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述底電極和/或所述叉指電極包括金電極、鋁電極及鉬電極中的至少一種。
22、可選地，在所述的西沙瓦波聲表面波諧振器中，所述叉指電極設(shè)置于所述第二壓電層的表面，且所述叉指電極的寬度小于所述第二壓電層的寬度；
23、和/或所述西沙瓦波聲表面波諧振器還包括非金屬氧化層；
24、所述非金屬氧化層設(shè)置于所述西沙瓦波聲表面波諧振器中的電極遠(yuǎn)離所述第一壓電層的表面。
25、一種裸芯片，所述裸芯片包括體聲波諧振器及如上述任一種所述的西沙瓦波聲表面波諧振器。
26、一種通信組件，所述通信組件包括所述的裸芯片。
27、本專利技術(shù)所提供的西沙瓦波聲表面波諧振器，從下到上依次包括襯底、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；所述第一壓電層和/或所述第二壓電層包括鉭酸鋰層、鈮酸鋰層、氮化鋁層、摻鈧氮化鋁層、氧化鋅層及壓電陶瓷層中的至少一種；所述第一壓電層的聲阻抗與所述叉指電極的聲阻抗的差，及所述第二壓電層的聲阻抗與所述叉指電極的聲阻抗的差，均不小于預(yù)設(shè)的阻攔閾值。
28、本專利技術(shù)通過(guò)第一壓電層、第二壓電層及叉指電極激發(fā)西沙瓦波的聲表面波，同時(shí)限定兩壓電層材料，使西沙瓦波聲表面波諧振器可以與其他體聲波諧振器直接集成在同一裸芯片上，并通過(guò)限定第一壓電層和第二壓電層的聲阻抗分別與叉指電極的聲阻抗之間差值的最小值，增大電極與壓電層之間的聲阻抗差距，讓更多的西沙瓦波在兩者的接觸界面上發(fā)生反射，降低了了西沙瓦波的能量向襯底的方向的泄漏，將更多的西沙瓦波能量集中到諧振器的有效區(qū)，從而在大大減小聲表面波諧振器與體聲波諧振器組成的復(fù)合諧振器的空間占用的同時(shí)，提升了諧振器的機(jī)電耦合系數(shù)，增加了諧振器的輸出功率。本專利技術(shù)同時(shí)還提供了一種具有上述有益效果的裸芯片及通信組件。
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1.一種西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，從下到上依次包括襯底、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；
2.如權(quán)利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述阻攔預(yù)設(shè)值的范圍為10兆瑞利至50兆瑞利，包括端點(diǎn)值；
3.如權(quán)利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，還包括底電極；
4.如權(quán)利要求3所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述叉指電極為疊層電極，包括多個(gè)聲阻抗不同的電極疊層；
5.如權(quán)利要求4所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述叉指電極中聲阻抗最小的電極疊層與所述第二壓電層接觸設(shè)置；
6.如權(quán)利要求5所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述所述叉指電極只包括兩種聲阻抗不同的電極疊層；
7.如權(quán)利要求3所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述底電極和/或所述叉指電極包括金電極、鋁電極及鉬電極中的至少一種。
8.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述叉指電極設(shè)置于所述第二壓電層的表面，且所述叉指電極的寬度小于所述第
9.一種裸芯片，其特征在于，所述裸芯片包括體聲波諧振器及如權(quán)利要求1至權(quán)利要求8中任一項(xiàng)所述的西沙瓦波聲表面波諧振器。
10.一種通信組件，其特征在于，所述通信組件包括如權(quán)利要求9所述的裸芯片。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，從下到上依次包括襯底、第一壓電層、圖形化的第二壓電層及叉指電極；
2.如權(quán)利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述阻攔預(yù)設(shè)值的范圍為10兆瑞利至50兆瑞利，包括端點(diǎn)值；
3.如權(quán)利要求1所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，還包括底電極；
4.如權(quán)利要求3所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述叉指電極為疊層電極，包括多個(gè)聲阻抗不同的電極疊層；
5.如權(quán)利要求4所述的西沙瓦波聲表面波諧振器，其特征在于，所述叉指電極中聲阻抗最小的電極疊層與所述第二壓電層接觸設(shè)置；
6.如權(quán)利要求5所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張標(biāo)，請(qǐng)求不公布姓名，陳高鵬，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：睿思微系統(tǒng)煙臺(tái)有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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