【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于液晶面板蝕刻，具體涉及一種液晶面板蝕刻液及其應用。
技術介紹
1、目前液晶面板生產工藝中，隨著電視等液晶顯示終端的大尺寸化、高分辨率及驅動頻率的需求，急需解決tft陣列基板中電阻/電容時間延遲問題。由于銅導線相對于鋁導線有較低的電阻率及良好的抗電遷移能力，tft陣列制程中的金屬導線多數采用銅導線。針對銅導線工藝，目前行業內已經用于量產的有cu/mo、cu/ti、cu/mtd、cu/monb等兩層金屬結構的蝕刻液。
2、目前常見的cu/mtd合金蝕刻中，cd要求做小，金屬錐形角要求做大。而蝕刻液主要分為兩類，一類是韓系蝕刻液，其中h2o2含量高，ph低，屬于含氟蝕刻液體系。這種體系使用壽命短，最高銅負載為4000-5000ppm，而且在低ph下含氟蝕刻液對mtd層容易出現倒角界面開口問題，氟對底層氧化物層igzo有腐蝕性，影響面板電特性，且含氟廢液處置對環境處置不友好；另一種是雙劑型蝕刻液，其銅濃度壽命相對較好，不含氟，但是cu層錐形角度較小，cd尺寸一般較大，不能滿足尺寸精度較小的面板。
3、cn118516673a公開了一種mtd-cu-mtd蝕刻液及蝕刻方法，按質量百分比計，所述的蝕刻液組成為：2-8％雙氧水、4-10％有機酸、3-8％ph調節劑、0.5-3％穩定劑、0.02-1.0％無機酸、0.01-0.5％金屬緩蝕劑、1-5％絡合劑，余量為水。該專利技術提供的一種無氟、環保且無頂層金屬突出(tip)、底層金屬拖尾(tail)等現象的蝕刻液，能夠有效可控地調整蝕刻錐角和cd?bias，
4、cn118685774a公開了一種液晶面板用cu-mtd蝕刻液及其制備方法，屬于銅蝕刻液
，包括以下重量占比的組分：雙氧水5-18％、穩定劑0.01-1％、有機酸1-12％、有機堿1-10％、緩蝕劑0.01-2％，其余為超純水。該銅蝕刻液具有兼容性強、蝕刻效率穩定、蝕刻效果好的優點，可有效解決現有技術中的問題。
5、cn118241208a公開了一種應用于mtd和monb的蝕刻液，制備原料以重量百分比計包括氧化劑10-25％，螯合劑1-5％，抑制劑0.01-2％，蝕刻劑0.01-5％，雙氧水穩定劑0.05-3％，含氮類添加劑0.001-2％，氟系化合物0.001-1％，去離子水補充至100％。該專利技術在蝕刻液中引入含氮類添加劑和氟系化合物，采用1:(0.5-0.7)的重量比，可以使蝕刻液對cu、mtd合金雙層膜和cu、monb合金雙層膜均可以達到優異的蝕刻效果，既避免mtd層產生倒角，又避免了monb層的殘留。提高了蝕刻效率，降低了蝕刻成本，同時保證了優異的蝕刻效果。
6、然而上述方案并未解決現有技術中cu層錐形角度較小的問題，因此，如何提供一種蝕刻效果好，無殘留，cu層錐形角度大的蝕刻液，成為了亟待解決的問題。
技術實現思路
1、針對現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種液晶面板蝕刻液及其應用。本專利技術提供的蝕刻液不含f，對環境友好，對igzo腐蝕小，不影響面板特性，能夠保持大角度金屬角形貌，改善因小cd導致的界面開口問題，保證金屬錐形角大小，同時能夠保證高銅濃度壽命和藥液安全性，蝕刻無殘留。
2、為達到此專利技術目的，本專利技術采用以下技術方案：
3、第一方面，本專利技術提供了一種液晶面板蝕刻液，所述液晶面板蝕刻液包括主劑和輔劑；
4、所述主劑以重量份數計包括氧化劑8-18份、有機酸1-15份、有機堿1-15份、錐形角度維持劑0.001-3份、金屬界面改善劑0.001-1份、蝕刻速度調節劑0.001-3份、穩定劑0.1-5份和水3-100份；
5、所述輔劑以重量份數計包括有機酸10-50份、金屬螯合劑0.5-10份、有機堿1-40份、蝕刻速度調節劑0.05-5份、穩定劑0.1-5份、合金殘留去除劑0.01-5份和水30-100份。
6、主劑中，氧化劑的份數可以是8份、9份、10份、11份、12份、13份、14份、15份、16份、17份或18份等，有機酸的份數可以是1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份、10份、11份、12份、13份、14份或15份等，有機堿的份數可以是1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份、10份、11份、12份、13份、14份或15份等，錐形角度維持劑的份數可以是0.001份、0.002份、0.003份、0.005份、0.01份、0.02份、0.03份、0.05份、0.1份、0.2份、0.3份、0.5份、1份、1.5份、2份、2.5份或3份等，金屬界面改善劑的份數可以是0.001份、0.002份、0.003份、0.005份、0.01份、0.02份、0.03份、0.05份、0.1份、0.2份、0.3份、0.5份或1份等，蝕刻速度調節劑的份數可以是0.001份、0.002份、0.003份、0.005份、0.01份、0.02份、0.03份、0.05份、0.1份、0.2份、0.3份、0.5份、1份、1.5份、2份、2.5份或3份等，穩定劑的份數可以是0.1份、0.5份、1份、1.5份、2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份或5份等，水的份數可以是30份、40份、50份、60份、70份、80份、90份或100份等，但不限于以上所列舉的數值，上述數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
7、輔劑中，有機酸的份數可以是10份、15份、20份、25份、30份、35份、40份、45份或50份等，金屬螯合劑的份數可以是0.5份、1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份或10份等，有機堿的份數可以是1份、5份、10份、15份、20份、25份、30份、35份、40份等，蝕刻速度調節劑的份數可以是0.05份、0.1份、0.5份、1份、1.5份、2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份或5份等，穩定劑的份數可以是0.1份、0.5份、1份、1.5份、2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份或5份等，合金殘留去除劑的份數可以是0.01份、0.02份、0.03份、0.05份、0.1份、0.5份、1份、1.5份、2份、2.5份、3份、3.5份、4份、4.5份或5份等，水的份數可以是30份、40份、50份、60份、70份、80份、90份或100份等，但不限于以上所列舉的數值，上述數值范圍內其他未列舉的數值同樣適用。
8、上述液晶面板蝕刻液成分不含f，對環境友好，對igzo腐蝕小，不影響面板特性；利用錐形角度維持劑和金屬界面改善劑，能夠保持大角度金屬角形貌，改善因小cd導致的界面開口問題，保證金屬錐形角大小，同時能夠保證藥液安全性，蝕刻無殘留；并通過采用主劑和輔劑相結合的模式，能夠保證高銅濃度壽命。
9、優選地，所述主劑以重量份數計包括氧化劑10-16份、有機酸3-10份、有機堿3-10份、錐形角度維持劑0.01-0.5份、金屬界面改善劑0本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述液晶面板蝕刻液包括主劑和輔劑；
2.根據權利要求1所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述主劑以重量份數計包括氧化劑10-16份、有機酸3-10份、有機堿3-10份、錐形角度維持劑0.01-0.5份、金屬界面改善劑0.01-0.5份、蝕刻速度調節劑0.01-0.5份、穩定劑0.5-3份和水30-100份；
3.根據權利要求1或2所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述氧化劑包括過氧化氫、過硫酸或過硫酸鹽中任意一種或至少兩種的組合；
4.根據權利要求3所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述有機胺包括甲胺、乙胺、丙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺、二乙胺基丙胺或二甲胺基丙胺中任意一種或至少兩種的組合；
5.根據權利要求1-4中任一項所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述錐形角度維持劑包括磷酸、無機磷酸鹽、有機磷酸類化合物、硫酸鹽中任意一種或至少兩種的組合，優選磷酸和硫酸鹽的組合；
6.根據權利要求1-5中任一項所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述主劑和輔劑中的蝕刻速度調節劑獨立地包括三氮唑、四
7.根據權利要求1-6中任一項所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述合金殘留去除劑包括氫氧化銨、四甲基氫氧化銨或氯化銨中任意一種或至少兩種的組合，優選氫氧化銨和氯化銨；
8.一種根據權利要求1-7中任一項所述的液晶面板蝕刻液在Cu/MTD合金蝕刻中的應用。
9.一種Cu/MTD合金蝕刻的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
10.根據權利要求9所述的Cu/MTD合金蝕刻的方法，其特征在于，所述根據主劑中銅離子濃度變化情況向其中添加輔劑的具體步驟為，主劑中的銅離子濃度每升高800-1200ppm，向主劑中加入質量為主劑質量的1.3-1.7％的輔劑；
...【技術特征摘要】
1.一種液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述液晶面板蝕刻液包括主劑和輔劑；
2.根據權利要求1所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述主劑以重量份數計包括氧化劑10-16份、有機酸3-10份、有機堿3-10份、錐形角度維持劑0.01-0.5份、金屬界面改善劑0.01-0.5份、蝕刻速度調節劑0.01-0.5份、穩定劑0.5-3份和水30-100份；
3.根據權利要求1或2所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述氧化劑包括過氧化氫、過硫酸或過硫酸鹽中任意一種或至少兩種的組合；
4.根據權利要求3所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述有機胺包括甲胺、乙胺、丙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺、二乙胺基丙胺或二甲胺基丙胺中任意一種或至少兩種的組合；
5.根據權利要求1-4中任一項所述的液晶面板蝕刻液，其特征在于，所述錐形角度維持劑包括磷酸、無機磷酸鹽、有機磷酸類化合物、硫酸鹽中任意一種或至少兩種的組合，優選磷...
【專利技術屬性】
技術研發人員：任亞國，洪日，李闖，張紅偉，黃海東，胡天齊，
申請(專利權)人：四川和晟達電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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