【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及共晶機對位設備領域，具體為一種用于共晶機對位的裝置。
技術介紹
1、micro?led共晶設備是一種精度要求高，運行穩定，且精密的設備，他廣泛應用在半導體，led等電子行業中，共晶設備加熱熔焊及被共晶的控制基板、芯片對位是非常重要的。led微縮矩陣化技術，指的是在一個芯片上集成的高密度微微米級的led陣列，其廣泛應用于顯示屏、可見光通信、智能便攜設備等領域。性能穩定，壽命長等優勢，同時也延續了led功耗低，反應速度快，對比度強等優點。同時也承繼了led低功耗、色彩飽和度、反應速度快、對比度強等優點，microled的亮度相較oled高30倍，能量消耗約為lcd的10％、oled的50％。
2、申請號為202011016366.x公開了一種ld芯片共晶焊接臺包括底板及固定于底板上的基板定位機構、xy補償裝置、共晶溫度控制裝置、吸真空裝置及共晶上罩，共晶溫度控制裝置包括依次設置的芯片立柱、芯片隔熱塊、陶瓷加熱片、共晶板與冷卻吹氣系統；吸真空裝置用于將基板吸附于共晶板上；共晶上罩與芯片隔熱塊連接形成共晶腔體，共晶上罩上設置有與共晶腔體連通的通孔；基板定位機構設置于共晶溫度控制裝置的外圍，所述吸真空裝置依次與所述芯片立柱、所述芯片隔熱塊、所述陶瓷加熱片與所述共晶板相連通，用于通過真空將ld的基板吸附于所述共晶板上；所述共晶上罩與所述芯片隔熱塊連接形成共晶腔體，所述共晶上罩上設置有通孔，所述通孔與所述共晶腔體相連通，所述基板通過所述通孔被吸附于所述共晶腔體內的所述共晶板上；ld芯片通過所述通孔貼裝于所述基板上，所
3、micro?led未來將具有極大地應用前景，但是目前micro?led制造成本問題，嚴重影響了其商用化的進程，原因主要就是巨量轉移技術瓶頸仍然有待突破，傳統的巨量轉移是單顆轉移單顆共晶焊接，這對micro?led的生產效率以及產品良率都提出了嚴格要求，嚴重限制了micro?led量產化進程。
技術實現思路
1、基于此，本專利技術的目的是提供一種用于共晶機對位的裝置，以解決巨量轉移技術瓶頸仍然有待突破，傳統的巨量轉移是單顆轉移單顆共晶焊接的技術問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：一種用于共晶機對位的裝置，包括底座以及設置在底座頂端的高精度對準平臺，所述高精度對準平臺的頂端固定有控制基板，所述控制基板上方設置有石英負壓吸附板，所述石英負壓吸附板下方吸附固定有藍寶石襯板，所述底座與高精度對準平臺的中心位置處均開設有滑槽，兩個所述滑槽相互交錯，且兩個滑槽中均設置有驅動機構。
3、本專利技術進一步設置為，所述驅動機構包括轉動設置在滑槽中的絲杠以及螺紋套接在絲杠上的滑塊，兩個所述滑塊的頂端分別與高精度對準平臺和控制基板固定連接。
4、本專利技術進一步設置為，所述底座與高精度對準平臺的側壁均安裝有電機，兩個所述電機的機軸分別與兩個絲杠固定連接。
5、本專利技術進一步設置為，所述高精度對準平臺的頂端開設有多個凹槽，所述凹槽中分別設置有正電極和負電極。
6、本專利技術進一步設置為，所述底座的頂端固定有支撐架，所述石英負壓吸附板內嵌固定在支撐架中，且石英負壓吸附板的底端開設有多個負壓吸附孔，其中石英負壓吸附板的側壁安裝有與負壓吸附孔相連通的負壓吸附管。
7、本專利技術進一步設置為，所述支撐架的頂端固定有安裝架，所述安裝架上分別內嵌固定有激光發射系統和高清相機。
8、本專利技術進一步設置為，所述藍寶石襯板的頂端設置有吸附板，所述吸附板的中心位置處設置有與負壓吸附孔對應的密封板。
9、本專利技術進一步設置為，所述吸附板的底端面兩側均設置有led，且吸附板與控制基板相向的一側面均固定有對位靶標。
10、本專利技術進一步設置為，所述吸附板的頂端開設有多個連接孔，所述藍寶石襯板上固定有內嵌在連接孔中的連接桿。
11、本專利技術進一步設置為，所述連接桿伸入連接孔的一端對稱開設有安裝槽，所述安裝槽中內嵌設置有彈簧，且安裝槽的側壁滑動插接有與連接孔底壁緊密連接的卡塊。
12、綜上所述，本專利技術主要具有以下有益效果：本專利技術能夠實現較大容量的芯片與控制基板共晶，采用高清攝像機采集micro?led芯片與控制基板位置信息，配合高精度對位平臺進行兩者的高精度對位，采用無色透明的石英材料制成石英負壓吸附裝置作為microled芯片取片固定裝置，采用激光加熱完成micro?led與控制基板的共晶焊接貼裝制程，共晶過程無需去掉micro?led的藍寶石襯板，直接被石英負壓吸附裝置吸附讓設備完成共晶焊接工作，采用模塊轉移激光加熱共晶焊接的方法。激光平面光束透過石英負壓吸附裝置對已經對位固定好的micro?led和控制基板加熱焊接，激光加熱溫度可以精確控制加熱區域溫度，實現micro?led模塊化轉移共晶焊接，避免了單顆microled單顆轉移共晶焊接點二次融化，對microled造成損害。用microled模塊化轉移共晶焊接速度快，有效提高了共晶速度，激光對micro?led與控制基本表面的金屬電極(insn)進行加熱融化，最終使二者結合在一起，無需添加其他焊料。減少添加焊料工序，節省生產成本。
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1.一種用于共晶機對位的裝置，包括底座(1)以及設置在底座(1)頂端的高精度對準平臺(8)，其特征在于：所述高精度對準平臺(8)的頂端固定有控制基板(10)，所述控制基板(10)上方設置有石英負壓吸附板(4)，所述石英負壓吸附板(4)下方吸附固定有藍寶石襯板(20)，所述底座(1)與高精度對準平臺(8)的中心位置處均開設有滑槽(14)，兩個所述滑槽(14)相互交錯，且兩個滑槽(14)中均設置有驅動機構。
2.根據權利要求1所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述驅動機構包括轉動設置在滑槽(14)中的絲杠(12)以及螺紋套接在絲杠(12)上的滑塊(13)，兩個所述滑塊(13)的頂端分別與高精度對準平臺(8)和控制基板(10)固定連接。
3.根據權利要求2所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述底座(1)與高精度對準平臺(8)的側壁均安裝有電機(7)，兩個所述電機(7)的機軸分別與兩個絲杠(12)固定連接。
4.根據權利要求3所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述高精度對準平臺(8)的頂端開設有多個凹槽(6)，所述凹槽(6
5.根據權利要求1所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述底座(1)的頂端固定有支撐架(3)，所述石英負壓吸附板(4)內嵌固定在支撐架(3)中，且石英負壓吸附板(4)的底端開設有多個負壓吸附孔(11)，其中石英負壓吸附板(4)的側壁安裝有與負壓吸附孔(11)相連通的負壓吸附管(5)。
6.根據權利要求5所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述支撐架(3)的頂端固定有安裝架(15)，所述安裝架(15)上分別內嵌固定有激光發射系統(16)和高清相機(17)。
7.根據權利要求5所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述藍寶石襯板(20)的頂端設置有吸附板(2)，所述吸附板(2)的中心位置處設置有與負壓吸附孔(11)對應的密封板(18)。
8.根據權利要求7所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述吸附板(2)的底端面兩側均設置有LED(19)，且吸附板(2)與控制基板(10)相向的一側面均固定有對位靶標(9)。
9.根據權利要求8所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述吸附板(2)的頂端開設有多個連接孔(21)，所述藍寶石襯板(20)上固定有內嵌在連接孔(21)中的連接桿(22)。
10.根據權利要求9所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述連接桿(22)伸入連接孔(21)的一端對稱開設有安裝槽(24)，所述安裝槽(24)中內嵌設置有彈簧(25)，且安裝槽(24)的側壁滑動插接有與連接孔(21)底壁緊密連接的卡塊(23)。
...【技術特征摘要】
1.一種用于共晶機對位的裝置，包括底座(1)以及設置在底座(1)頂端的高精度對準平臺(8)，其特征在于：所述高精度對準平臺(8)的頂端固定有控制基板(10)，所述控制基板(10)上方設置有石英負壓吸附板(4)，所述石英負壓吸附板(4)下方吸附固定有藍寶石襯板(20)，所述底座(1)與高精度對準平臺(8)的中心位置處均開設有滑槽(14)，兩個所述滑槽(14)相互交錯，且兩個滑槽(14)中均設置有驅動機構。
2.根據權利要求1所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述驅動機構包括轉動設置在滑槽(14)中的絲杠(12)以及螺紋套接在絲杠(12)上的滑塊(13)，兩個所述滑塊(13)的頂端分別與高精度對準平臺(8)和控制基板(10)固定連接。
3.根據權利要求2所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述底座(1)與高精度對準平臺(8)的側壁均安裝有電機(7)，兩個所述電機(7)的機軸分別與兩個絲杠(12)固定連接。
4.根據權利要求3所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述高精度對準平臺(8)的頂端開設有多個凹槽(6)，所述凹槽(6)中分別設置有正電極和負電極。
5.根據權利要求1所述的一種用于共晶機對位的裝置，其特征在于：所述底座(1)的頂端固定有支撐架(3)，所述石英負壓吸附板(4)內嵌固定在支撐架(3)中，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：呂河江，黎宇誠，
申請(專利權)人：嘉興量芯半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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