【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及變換器，尤其涉及一種sepic功率因數校正變換器。
技術介紹
1、開關電源以其輕巧、高效、控制靈活、功率密度大、可靠性強等一系列優勢引發業界普遍關注，在現代電力變換裝置中得到大量應用。以開關電源為代表的變流設備或電路中的部分交流非線性負載，會產生大量使交流輸入波形畸變的諧波電流成分注入電網，對交流電網的電能質量和傳輸效率起到了負面影響，因此，治理變流設備的諧波污染，提升輸入功率因數性能成為綠色電力電子技術中待攻克的重點課題。
2、傳統的功率因數校正電路一般采用boost電路，電路控制復雜，輸出電壓比輸入電壓高，難以實現輸入、輸出之間的電氣隔離。為了實現輸入、輸出之間的電氣隔離，目前通常采用boost電路實現輸入電流的整形，前級的輸出電壓為儲能電容的電壓，無論電容取大或者取小，均存在二倍線頻紋波，再通過dc—dc變換器實現隔離和變換，得到高精度的直流輸出電壓。但其采用兩級電路，電路復雜、成本高，整機效率低，體積大；有學者采用反激電路構成的功率因數校正電路，但其必須工作在電感電流的斷續狀態，電磁干擾大，且不適用于大功率場合。
3、sepic電路用于功率因素校正有著獨特的優勢，由于其前級類似于boost變換器，因此可保證輸入電流的連續性并減少電磁干擾，其輸出級又類似于反激電路，易于實現電氣隔離。單獨的sepic電路只需工作在電流斷續狀態即可自然地實現功率因數，此處所指的斷續，是指二極管上的電流斷續，而輸入升壓電感上的電流是連續的。為此基于sepic的pfc電路正受到越來越多的關注，傳統的sepic
4、因此，有必要提供一種sepic功率因數校正變換器，保護功能完善，電路可靠性高，軟件控制簡單，成本低廉。
技術實現思路
1、本專利技術公開了一種sepic功率因數校正變換器，涉及電源功率因數校正變換器
，尤其涉及一種高效率無橋交錯sepic功率因數校正變換器，其可以有效解決
技術介紹
中涉及的技術問題。
2、為實現上述目的，本專利技術的技術方案為：
3、一種sepic功率因數校正變換器，包括變換電路，所述變換電路包括端口l和端口n，所述端口l連接電容c201的一端和電感l21的一端，所述電容c201的另一端連接電容c244的一端，所述電感l21的另一端連接mos管q15的漏極、二極管d57的負端和電容c277的一端，所述電容c277的另一端連接電感l17的一端和變壓器t4的引腳1，所述mos管q15的源極連接mos管q14的源極、所述二極管d57的正端、二極管d58的正端、所述電感l17的另一端、電感l20的一端、所述變壓器t4的引腳2和所述變壓器t4的引腳3，所述端口n連接所述電容c244的另一端、所述mos管q14的漏極、所述二極管d58的負端和電容c246的一端，所述電容c246的另一端連接所述電感l20的另一端和所述變壓器t4的引腳4；所述變壓器t4的引腳5連接mos管q17的源極，所述變壓器t4的引腳6連接所述變壓器t4的引腳7、電容c305的一端和端口gnd，所述變壓器t4的引腳8連接mos管q16的源極，所述mos管q16的漏極連接所述mos管q17的漏極、電容c301的一端和端口vout+，所述電容c301的另一端連接所述電容c305的另一端，變換器還包括補償電路。
4、公開了一種高效率無橋交錯sepic功率因數校正變換器，適用于充電樁或者一些智能配電系統。包括兩路隔離的sepic功率因數校正變換電路和斜波補償電路，斜波補償技術用來解決變換器低輸入電壓的過零畸變問題，同時此變換器采用交錯并聯可提高變換器的輸出功率和降低變換器的輸出電壓電流紋波。所述的高效率無橋交錯sepic功率因數校正變換電路包括依次連接的輸入儲能電容、儲能電感、對頂的mos管、儲能電容、儲能電感、變壓器；整流mos管、所述的斜波補償電路包括誤差放大器，比較器，及其補償網絡；所述的高效率無橋交錯sepic功率因數校正變換器可以保證輸入電流連續，從而減少電磁干擾，由于此變換器僅僅是單級電路，其效率可高達98％，其輸入電流諧波可低于3％，pf值高達0.99以上；其輸出易于電氣隔離的優點使整個變換器變得安全，穩定；適用于充電樁或者一些智能配電系統，保護功能完善，電路可靠性高，軟件控制簡單，成本低廉。
5、作為本專利技術的一種優選改進：所述變換電路的數量為多個，多個所述變換電路的端口l互相連接，端口n互相連接，端口vout+互相連接，端口gnd互相連接。
6、作為本專利技術的一種優選改進：所述變換電路的數量為兩個，兩個所述變換電路交錯180度工作。
7、作為本專利技術的一種優選改進：所述端口l和所述端口n連接市電，所述端口vout+連接負載或電池。
8、作為本專利技術的一種優選改進：所述mos管q16的柵極連接電阻r245的一端和電阻r242的一端，所述電阻r245的另一端連接二極管d63的正端，所述電阻r242的另一端和所述二極管d63的負端連接端口drv_4；所述mos管q17的柵極連接電阻r236的一端和電阻r237的一端，所述電阻r237的另一端連接二極管d61的正端，所述電阻r236的另一端和所述二極管d61的負端連接端口drv_3；所述mos管q15的柵極連接電阻r250的一端、電阻r256的一端和電阻r257的一端，所述電阻r257的另一端連接所述mos管q15的源極，所述電阻r256的另一端連接二極管d21的正端，所述電阻r250的另一端和所述二極管d21的負端連接端口drv_1；所述mos管q14的柵極連接電阻r258的一端、電阻r259的一端和電阻r260的一端，所述電阻r260的另一端連接所述mos管q14的漏極，所述電阻r259的另一端連接二極管d24的正端，所述電阻r258的另一端和所述二極管d24的負端連接端口drv_1；所述端口drv_1、所述端口drv_3和所述端口drv_4連接控制器。
9、作為本專利技術的一種優選改進：所述變換器還包括補償電路，所述補償電路包括端口v_comp，所述端口v_comp連接比較器u27的引腳1，所述比較器u27的引腳2連接端口cs，所述比較器u27的引腳3連接放大器u26的引腳1、電容c252的一端和電容c247的一端，所述電容c252的另一端連接電阻r261的一端，所述放大器u26的引腳2連接所述電阻r261的另一端、所述電容c247的另一端、電阻r249的一端、電阻r248的一端和電容c250的一端，所述電阻r249的另一端連接端口gnd，所述電容c250的另一端連接電阻r262的一端，所述電阻r248的另一端和所述電阻r262的另一端連接端口vout+，所述放大器u26的引腳3連接電容c245的一端和端口vref，所述電容c245的另一端連接端口gnd。
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【技術保護點】
1.一種Sepic功率因數校正變換器，其特征在于：包括變換電路，所述變換電路包括端口L和端口N，所述端口L連接電容C201的一端和電感L21的一端，所述電容C201的另一端連接電容C244的一端，所述電感L21的另一端連接MOS管Q15的漏極、二極管D57的負端和電容C277的一端，所述電容C277的另一端連接電感L17的一端和變壓器T4的引腳1，所述MOS管Q15的源極連接MOS管Q14的源極、所述二極管D57的正端、二極管D58的正端、所述電感L17的另一端、電感L20的一端、所述變壓器T4的引腳2和所述變壓器T4的引腳3，所述端口N連接所述電容C244的另一端、所述MOS管Q14的漏極、所述二極管D58的負端和電容C246的一端，所述電容C246的另一端連接所述電感L20的另一端和所述變壓器T4的引腳4；
2.根據權利要求1所述的一種Sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述變換電路的數量為多個，多個所述變換電路的端口L互相連接，端口N互相連接，端口VOUT+互相連接，端口GND互相連接。
3.根據權利要求2所述的一種Sepic功率因數校正變換器
4.根據權利要求1所述的一種Sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述端口L和所述端口N連接市電，所述端口VOUT+連接負載或電池。
5.根據權利要求1所述的一種Sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述MOS管Q16的柵極連接電阻R245的一端和電阻R242的一端，所述電阻R245的另一端連接二極管D63的正端，所述電阻R242的另一端和所述二極管D63的負端連接端口DRV_4；
6.根據權利要求1所述的一種Sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述變換器還包括補償電路，所述補償電路包括端口V_COMP，所述端口V_COMP連接比較器U27的引腳1，所述比較器U27的引腳2連接端口CS，所述比較器U27的引腳3連接放大器U26的引腳1、電容C252的一端和電容C247的一端，所述電容C252的另一端連接電阻R261的一端，所述放大器U26的引腳2連接所述電阻R261的另一端、所述電容C247的另一端、電阻R249的一端、電阻R248的一端和電容C250的一端，所述電阻R249的另一端連接端口GND，所述電容C250的另一端連接電阻R262的一端，所述電阻R248的另一端和所述電阻R262的另一端連接端口VOUT+，所述放大器U26的引腳3連接電容C245的一端和端口VREF，所述電容C245的另一端連接端口GND。
7.根據權利要求6所述的一種Sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述端口VREF連接1.5V電源。
8.根據權利要求6所述的一種Sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述端口V_COMP連接控制器的反饋腳，所述端口CS連接控制器的基準腳，控制器連接MOS管Q14的柵極、MOS管Q15的柵極、MOS管Q16的柵極和MOS管Q17的柵極。
...【技術特征摘要】
1.一種sepic功率因數校正變換器，其特征在于：包括變換電路，所述變換電路包括端口l和端口n，所述端口l連接電容c201的一端和電感l21的一端，所述電容c201的另一端連接電容c244的一端，所述電感l21的另一端連接mos管q15的漏極、二極管d57的負端和電容c277的一端，所述電容c277的另一端連接電感l17的一端和變壓器t4的引腳1，所述mos管q15的源極連接mos管q14的源極、所述二極管d57的正端、二極管d58的正端、所述電感l17的另一端、電感l20的一端、所述變壓器t4的引腳2和所述變壓器t4的引腳3，所述端口n連接所述電容c244的另一端、所述mos管q14的漏極、所述二極管d58的負端和電容c246的一端，所述電容c246的另一端連接所述電感l20的另一端和所述變壓器t4的引腳4；
2.根據權利要求1所述的一種sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述變換電路的數量為多個，多個所述變換電路的端口l互相連接，端口n互相連接，端口vout+互相連接，端口gnd互相連接。
3.根據權利要求2所述的一種sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述變換電路的數量為兩個，兩個所述變換電路交錯180度工作。
4.根據權利要求1所述的一種sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述端口l和所述端口n連接市電，所述端口vout+連接負載或電池。
5.根據權利要求1所述的一種sepic功率因數校正變換器，其特征在于：所述mos...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蔣松松，
申請(專利權)人：深圳市高斯寶電氣技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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