【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)屬于激勵(lì)熔斷器，具體涉及一種快速滅弧激勵(lì)熔斷器、電子電路及電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、目前，市場(chǎng)上存在的激勵(lì)熔斷器的結(jié)構(gòu)主要包括氣體發(fā)生裝置、導(dǎo)電部件以及各種設(shè)計(jì)的滅弧結(jié)構(gòu)。當(dāng)設(shè)備異常發(fā)生時(shí)，氣體發(fā)生裝置產(chǎn)生高壓氣體帶動(dòng)活塞沖斷導(dǎo)電部件，并將被切斷的導(dǎo)電部件金屬段帶入到活塞下方設(shè)置的大空間腔體中，通過(guò)該大空間腔體將金屬段與導(dǎo)電部件本體分隔開(kāi)來(lái)，以進(jìn)行實(shí)現(xiàn)滅弧。但是這種方式，使得激勵(lì)熔斷器的尺寸過(guò)大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N快速滅弧激勵(lì)熔斷器、電子電路及電子設(shè)備，以期縮小激勵(lì)熔斷器的體積。
2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N快速滅弧激勵(lì)熔斷器，包括上殼體、下殼體和導(dǎo)電部件，
3、所述上殼體和所述下殼體中設(shè)置有活塞部，所述下殼體中還設(shè)置有至少一個(gè)滅弧腔室，所述至少一個(gè)滅弧腔室中的每個(gè)滅弧腔室均設(shè)置有滅弧介質(zhì)；
4、所述導(dǎo)電部件上設(shè)置有熔斷部，所述導(dǎo)電部件穿設(shè)在所述上殼體和/或所述下殼體中，且所述熔斷部包裹在所述每個(gè)滅弧腔室的所述滅弧介質(zhì)中；
5、所述活塞部包括活動(dòng)腔和沖擊件，當(dāng)所述熔斷部發(fā)生熔斷時(shí)，所述沖擊件被觸發(fā)并沿所述活動(dòng)腔向?qū)щ姴考_擊，以斷開(kāi)所述熔斷部；
6、在所述活動(dòng)腔沿所述沖擊件的沖擊方向的一端設(shè)置有金屬網(wǎng)部，所述金屬網(wǎng)部在所述熔斷部斷開(kāi)產(chǎn)生電弧、且所述電弧從所述滅弧腔室噴入所述活動(dòng)腔時(shí)進(jìn)行滅弧。
7、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電子電路，包括如第一方面所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器。
9、可以看出，本申請(qǐng)中，所述快速滅弧激勵(lì)熔斷器包括上殼體、下殼體和導(dǎo)電部件，上殼體和下殼體中設(shè)置有活塞部，下殼體中還設(shè)置有至少一個(gè)滅弧腔室，至少一個(gè)滅弧腔室中的每個(gè)滅弧腔室均設(shè)置有滅弧介質(zhì)；導(dǎo)電部件上設(shè)置有熔斷部，導(dǎo)電部件穿設(shè)在上殼體和/或下殼體中，且熔斷部包裹在每個(gè)滅弧腔室的滅弧介質(zhì)中；活塞部包括活動(dòng)腔和沖擊件，當(dāng)熔斷部發(fā)生熔斷時(shí)，沖擊件被觸發(fā)并沿活動(dòng)腔向?qū)щ姴考_擊，以斷開(kāi)熔斷部；在活動(dòng)腔沿沖擊件的沖擊方向的一端設(shè)置有金屬網(wǎng)部，金屬網(wǎng)部在熔斷部斷開(kāi)產(chǎn)生電弧、且電弧從滅弧腔室噴入活動(dòng)腔時(shí)進(jìn)行滅弧。這樣，通過(guò)直接在活動(dòng)腔的末端設(shè)置金屬網(wǎng)部來(lái)將電弧分解，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)快速滅弧，進(jìn)而不需要再設(shè)置大空間腔體，縮小了快速滅弧激勵(lì)熔斷器的體積。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，包括上殼體、下殼體和導(dǎo)電部件，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述活動(dòng)腔包括上活動(dòng)腔和下活動(dòng)腔，所述上活動(dòng)腔設(shè)置在所述上殼體中、且穿透所述上殼體，所述下活動(dòng)腔設(shè)置在所述下殼體中；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述沖擊件包括桿狀部和錘頭部；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述金屬網(wǎng)部包括層疊設(shè)置的至少三層滅弧網(wǎng)，每層滅弧網(wǎng)中分布設(shè)置有滅弧網(wǎng)孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述金屬網(wǎng)部還包括至少一個(gè)支撐連接部；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述金屬網(wǎng)部還包括滅弧層，每個(gè)滅弧層均設(shè)置在兩層相鄰的滅弧網(wǎng)之間；所述滅弧層包括液態(tài)硅膠、聚酰胺樹(shù)脂、硅酮膠樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述滅弧腔室中穿設(shè)有所述導(dǎo)電部件的第一腔壁和第二腔壁上分別設(shè)置有第一密封墊片和第二密封墊片；所述第一腔壁、
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，還包括第一吹弧層和第二吹弧層，所述第一吹弧層和所述第二吹弧層分別設(shè)置在所述滅弧腔室外、且與穿過(guò)滅弧腔室的所述導(dǎo)電部件平行的兩側(cè)；
9.一種電子電路，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，或如權(quán)利要求9所述的電子電路。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，包括上殼體、下殼體和導(dǎo)電部件，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述活動(dòng)腔包括上活動(dòng)腔和下活動(dòng)腔，所述上活動(dòng)腔設(shè)置在所述上殼體中、且穿透所述上殼體，所述下活動(dòng)腔設(shè)置在所述下殼體中；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述沖擊件包括桿狀部和錘頭部；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述金屬網(wǎng)部包括層疊設(shè)置的至少三層滅弧網(wǎng)，每層滅弧網(wǎng)中分布設(shè)置有滅弧網(wǎng)孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述金屬網(wǎng)部還包括至少一個(gè)支撐連接部；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的快速滅弧激勵(lì)熔斷器，其特征在于，所述金屬網(wǎng)部還包括滅弧層，每個(gè)滅弧層均設(shè)置在兩層相鄰的滅弧網(wǎng)之間；所述滅弧層...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：請(qǐng)求不公布姓名，請(qǐng)求不公布姓名，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：浙江中貝能源科技有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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