【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及misfet導通電阻的，尤其涉及一種碳化硅mosfet導通電阻優化方法及裝置。
技術介紹
1、碳化硅mosfet由于其優異的高溫、高頻和高效率特性，廣泛應用于電力電子和高效能電氣系統中，mosfet導通電阻直接影響設備的功率損耗、效率和熱管理等性能指標，因此對mosfet導通電阻進行優化是應用mosfet的重要問題。
2、在現有技術中，對mosfet的導通電阻優化主要包括設計結構上的優化和工作環境的優化，在工作環境的優化方面中，提升mosfet的柵極電壓、降低mosfet的工作環境溫度，均可以優化mosfet的導通電阻，然而，提升moosfet的柵極電壓會在一定程度上引發自身工作溫度的上升，從而反向降低了提升柵極電壓帶來的導通電阻優化效果，同時也會對mosfet的設備壽命造成損耗，加大降溫控制系統的降溫性能會帶來更大的降溫能耗，在當前的技術中，難以實現各方面均衡的mosfet導通電阻優化。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種碳化硅mosfet導通電阻優化方法及裝置，旨在解決現有技術中對mosfet進行導通電阻優化時對柵極電壓與降溫控制的均衡程度把握不足的問題。
2、本專利技術是這樣實現的，第一方面，本專利技術提供一種碳化硅mosfet導通電阻優化方法，包括：
3、對目標mosfet持續進行工作環境與電路表現的參數采集，以得到所述目標mosfet的工作數據，并根據所述工作數據對所述目標mosfet進行性能安全性的分析處理，
4、根據所述性能安全特征對所述目標mosfet進行柵極電壓與降溫系統的調整分析，得到符合所述性能安全特征的柵極電壓調整特征與降溫系統調整特征；
5、根據所述柵極電壓調整特征和所述降溫系統調整特征對所述目標mosfet進行柵極電壓和降溫系統的調整處理，以實現對所述目標mosfet的導通電阻優化。
6、第二方面，本專利技術提供一種碳化硅mosfet導通電阻優化方法裝置，用于實現第一方面任意一項所述的一種碳化硅mosfet導通電阻優化方法。
7、本專利技術提供了一種碳化硅mosfet導通電阻優化方法，具有以下有益效果：
8、本專利技術持續采集目標mosfet的工作環境和電路表現數據，生成工作數據，根據工作數據分析mosfet的性能安全性，得到性能安全特征，基于性能安全特征，分析并確定符合安全特征的柵極電壓調整特征和降溫系統調整特征，根據調整特征，調整目標mosfet的柵極電壓和降溫系統，實現導通電阻優化，本專利技術通過優化柵極電壓和降溫系統，有效降低mosfet的導通電阻，提高電路效率，在優化過程中，保持mosfet的電氣和熱穩定性，通過對柵極電壓增幅與降溫系統控制的均衡，保障mosfet處于最優的導通電阻優化與損耗控制狀態，解決了現有技術中對mosfet進行導通電阻優化時對柵極電壓與降溫控制的均衡程度把握不足的問題。
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1.一種碳化硅MOSFET導通電阻優化方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的碳化硅MOSFET導通電阻優化方法，其特征在于，對目標MOSFET持續進行工作環境與電路表現的參數采集，以得到所述目標MOSFET的工作數據，并根據所述工作數據對所述目標MOSFET進行性能安全性的分析處理，得到所述目標MOSFET的性能安全特征的步驟包括：
3.如權利要求2所述的碳化硅MOSFET導通電阻優化方法，其特征在于，根據所述工作環境數據對所述目標MOSFET進行溫度方面的安全性分析，得到所述目標MOSFET的溫度安全特征的步驟包括：
4.如權利要求2所述的碳化硅MOSFET導通電阻優化方法，其特征在于，根據所述電路表現數據對所述目標MOSFET進行電路參數方面的安全性分析，得到所述目標MOSFET的電路安全特征的步驟包括：
5.如權利要求2所述的碳化硅MOSFET導通電阻優化方法，其特征在于，根據所述性能安全特征對所述目標MOSFET進行柵極電壓與降溫系統的調整分析，得到符合所述性能安全特征的柵極電壓調整特征與降溫系統調整特征的步驟包括
6.如權利要求5所述的碳化硅MOSFET導通電阻優化方法，其特征在于，根據所述柵極電壓增幅方案的溫度安全預測特征對各種所述柵極電壓增幅方案進行降溫處理的預案分析，得到對應所述柵極電壓增幅方案的若干種降溫控制預案的步驟包括：
7.如權利要求5所述的碳化硅MOSFET導通電阻優化方法，其特征在于，對各個所述調整方案進行價值評估處理，得到各個所述調整方案的執行價值的步驟包括：
8.如權利要求1所述的碳化硅MOSFET導通電阻優化方法，其特征在于，根據所述柵極電壓調整特征和所述降溫系統調整特征對所述目標MOSFET進行柵極電壓和降溫系統的調整處理，以實現對所述目標MOSFET的導通電阻優化的步驟包括：
9.一種碳化硅MOSFET導通電阻優化方法裝置，其特征在于，用于實現權利要求1-8任意一項所述的一種碳化硅MOSFET導通電阻優化方法。
...【技術特征摘要】
1.一種碳化硅mosfet導通電阻優化方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的碳化硅mosfet導通電阻優化方法，其特征在于，對目標mosfet持續進行工作環境與電路表現的參數采集，以得到所述目標mosfet的工作數據，并根據所述工作數據對所述目標mosfet進行性能安全性的分析處理，得到所述目標mosfet的性能安全特征的步驟包括：
3.如權利要求2所述的碳化硅mosfet導通電阻優化方法，其特征在于，根據所述工作環境數據對所述目標mosfet進行溫度方面的安全性分析，得到所述目標mosfet的溫度安全特征的步驟包括：
4.如權利要求2所述的碳化硅mosfet導通電阻優化方法，其特征在于，根據所述電路表現數據對所述目標mosfet進行電路參數方面的安全性分析，得到所述目標mosfet的電路安全特征的步驟包括：
5.如權利要求2所述的碳化硅mosfet導通電阻優化方法，其特征在于，根據所述性能安全特征對所述目標mosfet進...
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃鳳明，楊彥峰，
申請(專利權)人：深圳市芯電元科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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