本發明專利技術公開了一種LPCAMM內存模組的封裝方法和結構，涉及內存模組技術領域。該方法包括：對原始晶圓進行切割，獲得多個裸芯片；獲取載體基板，將多個裸芯片倒置在載體基板上，構成重組晶圓；在重組晶圓的表面，形成介質層；在介質層的表面，貼附透明過濾膜；對介質層進行曝光和顯影，形成重布線圖形和散熱圖形；在重布線圖形處電鍍形成重布線層，在散熱圖形處電鍍形成散熱層；對重組晶圓進行切割，獲得多個單顆的重布線后的裸芯片；獲取PCB板，將裸芯片與PCB板連接，形成LPCAMM內存模組；將LPCAMM內存模組與可拆卸連接件連接，并將可拆卸連接件與控制主板進行可拆卸連接。該方法能夠降低LPCAMM內存模組的厚度。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及內存模組，尤其是涉及一種lpcamm內存模組的封裝方法和結構。
技術介紹
1、隨著ai技術的不斷發展和普及，ai?pc（人工智能電腦）的應用場景變得更加廣泛，ai?pc的出貨量也在逐年增長。相比于傳統的電腦，ai?pc對便捷性和性能有著更高的需求,因此，ai?pc的內存模塊需要具有超薄的厚度和較大的容量，才能具備足夠的便捷性和性能。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本專利技術提出了一種lpcamm內存模組的封裝方法和結構，能夠使得lpcamm內存模組的厚度較薄，滿足ai?pc的需求。
2、第一方面，根據本專利技術實施例的lpcamm內存模組的封裝方法，所述方法包括以下步驟：
3、對原始晶圓進行切割，獲得多個單顆的裸芯片；所述裸芯片為lpddr5x芯片，所述裸芯片具有焊墊；
4、獲取載體基板，將多個所述裸芯片按照預設排布方式倒置在所述載體基板上，構成重組晶圓；
5、在所述重組晶圓的表面，形成介質層；
6、在所述介質層的表面，貼附透明過濾膜；
7、對所述介質層進行曝光和顯影，形成重布線圖形和散熱圖形，在曝光時，通過所述透明過濾膜對曝光光源進行過濾；
8、去除所述透明過濾膜，在所述重布線圖形處電鍍形成重布線層，在所述散熱圖形處電鍍形成散熱層，所述重布線層與所述焊墊導通；
9、對所述重組晶圓進行切割，獲得多個單顆的重布線后的所述裸芯片；</p>10、獲取pcb板；所述pcb板設置有多個連接點和多個散熱點；
11、將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接，將重布線后的所述裸芯片的所述散熱層與對應的所述散熱點連接，形成lpcamm內存模組；
12、將所述lpcamm內存模組與可拆卸連接件連接，并將所述可拆卸連接件與控制主板進行可拆卸連接。
13、根據本專利技術的一些實施例，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
14、在所述重布線層的預設位置制作焊盤；所述焊盤通過所述重布線層與所述焊墊導通；
15、在所述焊盤的表面印刷錫膏；
16、將所述焊盤與對應的所述連接點連接后，對所述焊盤與所述連接點進行回流焊，使所述裸芯片與所述pcb板連接，形成所述lpcamm內存模組。
17、根據本專利技術的一些實施例，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
18、在所述重布線層的預設位置制作焊盤；所述焊盤通過所述重布線層與所述焊墊導通；
19、將所述焊盤與對應的所述連接點接觸后，對所述焊盤與對應的所述連接點進行熱壓焊，使所述裸芯片與所述pcb板連接，形成所述lpcamm內存模組。
20、根據本專利技術的一些實施例，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
21、在所述重布線層的預設位置植入凸塊；
22、所述重布線層通過所述凸塊與對應的所述連接點連接，使所述裸芯片通過所述重布線層與所述pcb板連接，形成所述lpcamm內存模組。
23、根據本專利技術的一些實施例，所述在所述重布線層的預設位置植入凸塊的步驟，包括：
24、在所述介質層的表面貼附感光干膜；
25、對所述感光干膜進行曝光和顯影，在所述預設位置處形成窗口；
26、在所述窗口處電鍍形成所述凸塊；
27、去除所述感光干膜。
28、根據本專利技術的一些實施例，所述將所述lpcamm內存模組與可拆卸連接件連接，并將所述可拆卸連接件與控制主板進行可拆卸連接的步驟，包括：
29、對所述lpcamm內存模組設置camm標準的壓縮連接接口；
30、所述lpcamm內存模組通過所述壓縮連接接口與所述可拆卸連接件連接；
31、所述可拆卸連接件與控制主板進行可拆卸連接。
32、根據本專利技術的一些實施例，所述對所述介質層進行曝光和顯影，形成重布線圖形和散熱圖形，在曝光時，通過所述透明過濾膜對曝光光源進行過濾的步驟，包括：
33、通過所述透明過濾膜將所述曝光光源中的波長低于預設閾值的光源過濾掉；
34、通過過濾后的所述曝光光源對所述介質層進行曝光；
35、對曝光后的所述介質層進行顯影，形成所述重布線圖形和所述散熱圖形。
36、第二方面，根據本專利技術實施例的lpcamm內存模組的封裝方法，包括以下步驟：
37、對原始晶圓進行切割，獲得多個單顆的裸芯片；所述裸芯片為lpddr5x芯片，所述裸芯片具有焊墊；
38、獲取pcb板；
39、根據所述焊墊的位置對所述pcb板的線路進行重布線，使所述pcb板的連接點與所述焊墊一一對應；
40、在所述焊墊上植入凸塊；
41、將所述焊墊通過所述凸塊與對應的所述連接點連接，使所述裸芯片與所述pcb板連接，形成lpcamm內存模組；
42、將所述lpcamm內存模組與可拆卸連接件連接，并將所述可拆卸連接件與控制主板進行可拆卸連接。
43、第三方面，根據本專利技術實施例的lpcamm內存模組的封裝方法，所述方法包括以下步驟：
44、對原始晶圓進行切割，獲得多個單顆的裸芯片；所述裸芯片為lpddr5x芯片；
45、在所述裸芯片上設置第一焊盤；
46、獲取pcb板；
47、根據所述第一焊盤的位置對所述pcb板的線路進行重布線，并在所述pcb板上設置與所述第一焊盤相對應的第二焊盤；
48、將所述裸芯片放置在所述pcb板上，并使所述第一焊盤與所述第二焊盤接觸；
49、對所述第一焊盤和所述第二焊盤進行熱壓焊或者smt，使所述裸芯片與所述pcb板連接，形成lpcamm內存模組；
50、將所述lpcamm內存模組與可拆卸連接件連接，并將所述可拆卸連接件與控制主板進行可拆卸連接。
51、第四方面，根據本專利技術實施例的lpcamm內存模組的封裝結構，通過第一方面或第二方面或第三方面實施例所述的lpcamm內存模組的封裝方法制作而成。
52、根據本專利技術實施例的lpcamm內存模組的封裝方法和結構，至少具有如下有益效果：通過對裸芯片進行重布線，再將裸芯片直接與pcb板直接連接，最終形成的封裝結構的尺寸較小，能夠降低lpcamm內存模組的厚度，從而滿足ai?pc的超薄的需求。
53、本專利技術的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
3.根據權利要求1所述的LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
4.根據權利要求1所述的LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
5.根據權利要求4所述的LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述在所述重布線層的預設位置植入凸塊的步驟，包括：
6.根據權利要求1所述的LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述將所述LPCAMM內存模組與可拆卸連接件連接，并將所述可拆卸連接件與控制主板進行可拆卸連接的步驟，包括：
7.根據權利要求1所述的LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述對所述介質層進行曝光和顯影，形成重布線圖形和散熱圖形，在曝光時，通過所述透明過濾膜對曝光光源進行過濾的步驟，包括：
8.一種LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
9.一種LPCAMM內存模組的封裝方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
10.一種LPCAMM內存模組的封裝結構，其特征在于，通過如權利要求1至9任一項所述的LPCAMM內存模組的封裝方法制作而成。
...
【技術特征摘要】
1.一種lpcamm內存模組的封裝方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的lpcamm內存模組的封裝方法，其特征在于，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
3.根據權利要求1所述的lpcamm內存模組的封裝方法，其特征在于，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
4.根據權利要求1所述的lpcamm內存模組的封裝方法，其特征在于，所述將重布線后的所述裸芯片的所述重布線層與對應的所述連接點連接的步驟，包括：
5.根據權利要求4所述的lpcamm內存模組的封裝方法，其特征在于，所述在所述重布線層的預設位置植入凸塊的步驟，包括：
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李娟娟，
申請(專利權)人：深圳市晶存科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。