【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開的示例實施例總體涉及半導(dǎo)體，并且更具體地，涉及一種模擬光刻膠形貌的方法、設(shè)備和介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、光刻是現(xiàn)代集成電路制造中的核心工藝。光刻通過將掩膜上的設(shè)計版圖投影到光刻膠上，以引發(fā)光刻膠中的多種化學(xué)反應(yīng)。受到不同程度曝光的光刻膠在顯影液中的溶解度具有顯著區(qū)別，從而可以通過顯影工藝形成最終的光刻膠圖案。隨著工藝節(jié)點的進(jìn)步，如何精準(zhǔn)控制光刻膠形貌，成為了光刻工藝中亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、在本公開的第一方面，提供了一種模擬光刻膠形貌的方法。該方法包括：針對光刻膠的目標(biāo)模擬區(qū)域處的多個光刻膠單元，確定與多個光刻膠單元對應(yīng)的多個顯影液濃度特征和多個光刻膠濃度特征；基于多個顯影液濃度特征和多個光刻膠濃度特征，確定在顯影后目標(biāo)模擬區(qū)域處的顯影液濃度分布和光刻膠濃度分布；以及基于顯影液濃度分布和光刻膠濃度分布，確定目標(biāo)模擬區(qū)域處的光刻膠形貌。
2、在本公開的第二方面，提供了一種電子設(shè)備。該設(shè)備包括至少一個處理單元；以及至少一個存儲器，至少一個存儲器被耦合到至少一個處理單元并且存儲用于由至少一個處理單元執(zhí)行的指令。指令在由至少一個處理單元執(zhí)行時使設(shè)備執(zhí)行第一方面的方法。
3、在本公開的第三方面，提供了一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。該計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機(jī)程序，計算機(jī)程序可由處理器執(zhí)行以實現(xiàn)第一方面的方法。
4、在本公開的第四方面，提供了一種計算機(jī)程序產(chǎn)品。該計算機(jī)程序產(chǎn)品包括計算機(jī)可執(zhí)行指令，這些指令在被處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)根據(jù)本公開的
5、應(yīng)當(dāng)理解，本內(nèi)容部分中所描述的內(nèi)容并非旨在限定本公開的實施例的關(guān)鍵特征或重要特征，也不用于限制本公開的范圍。本公開的其它特征將通過以下的描述而變得容易理解。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種模擬光刻膠形貌的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個顯影液濃度特征和所述多個光刻膠濃度特征是通過如下方式來確定的：
3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少一個維度包括以下中的至少一個：
4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述顯影液濃度變化特征和所述光刻膠濃度變化特征是通過如下方式在所述時間維度上被離散的：
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述差分至少包括二階中心差分。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述顯影液濃度變化特征和所述光刻膠濃度變化特征至少是基于可配置的反應(yīng)速率系數(shù)來確定的，其中所述反應(yīng)速率系數(shù)指示所述光刻膠在預(yù)定方向上的多個位置處的顯影反應(yīng)速率，并且其中所述預(yù)定方向至少包括從所述光刻膠的下表面指向所述光刻膠的上表面的方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述顯影液濃度特征和所述光刻膠濃度特征是基于預(yù)定邊界條件確定的，并且所述預(yù)定邊界條件指示以下至少一項：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述顯影液濃度特征和所述光刻膠濃度特征至少是基于所述光刻膠在發(fā)生顯影反應(yīng)時的濃度降低速率來確定的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述濃度降低速率是通過如下方式確定的：
11.?一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：
12.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機(jī)程序，其特征在于，所述計算機(jī)程序可由處理器執(zhí)行以實現(xiàn)根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項所述的方法。
13.一種計算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計算機(jī)可執(zhí)行指令，其特征在于，所述計算機(jī)可執(zhí)行指令在被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種模擬光刻膠形貌的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個顯影液濃度特征和所述多個光刻膠濃度特征是通過如下方式來確定的：
3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少一個維度包括以下中的至少一個：
4.?根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述顯影液濃度變化特征和所述光刻膠濃度變化特征是通過如下方式在所述時間維度上被離散的：
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述差分至少包括二階中心差分。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述顯影液濃度變化特征和所述光刻膠濃度變化特征至少是基于可配置的反應(yīng)速率系數(shù)來確定的，其中所述反應(yīng)速率系數(shù)指示所述光刻膠在預(yù)定方向上的多個位置處的顯影反應(yīng)速率，并且其中所述預(yù)定方向至少包括從所述光刻膠的下表面指向所述光刻膠的上表面的方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述顯...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權(quán))人：全智芯上海技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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