【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術屬于進樣隔墊，特別涉及一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊及制備工藝。
技術介紹
1、進樣隔墊，也叫進樣墊、注射墊，是氣相色譜儀分析試驗中將樣品導入色譜柱的重要元件之一。它的主要作用是將系統(tǒng)流路與外部隔開，保持氣密性，確保有足夠的載氣柱頭壓使氣流流經(jīng)色譜柱。在氣相分析中，進樣隔墊是更換頻率較高的耗材，因為隔墊長期使用后可能會出現(xiàn)污染、流失、泄露等問題，從而影響分析結果的準確性。
2、伴隨著檢驗儀器的更新?lián)Q代及技術升級，儀器的檢出限及精密度得到顯著提升?；诖吮尘?，人們對作為檢測儀器的常規(guī)耗材的溶出及揮發(fā)性能有著更為嚴苛的要求。硅膠隔墊由于其良好的熱穩(wěn)定性、優(yōu)異化學穩(wěn)定性及抗老性，是進樣隔墊的常見材料。進樣隔墊常采用高溫硫化工藝制備，常規(guī)的生產(chǎn)工藝，在硅膠隔墊成型過程中易產(chǎn)生各種副產(chǎn)物，這些副產(chǎn)物的存在將會對后續(xù)終端使用時，造成各種干擾。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的目的是提供一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊及制備工藝，具有副產(chǎn)物低揮發(fā)、低溶出、使用中有較好的潔凈度的效果。
2、本專利技術的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現(xiàn)的：一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，按重量份數(shù)計，原料包括以下組分：100份甲基乙烯基硅橡膠、40-50份氣相法白炭黑、8-10份六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的混合物、0.5-0.8份馬來酸二乙酯。
3、通過采用上述技術方案，氣相法白炭黑又稱氣相白炭黑，作為硅橡膠的補強劑，用于提高硅橡膠的機械性能。添加了氣相法白炭黑的硅
4、本專利技術的進一步設置為：原料還包括以下組分：2-3份二苯基硅二醇、3-5份鈦白粉、0.5-1份硫化劑。
5、通過采用上述技術方案，二苯基硅二醇作為硅橡膠結構控制劑，降低硅橡膠結構化現(xiàn)象，提高橡膠的加工性能。鈦白粉是一種白色顏料，應用到硅橡膠中，起到補強、防老化、填充作用。硫化劑是一種能使橡膠分子鏈起交聯(lián)反應，使線形分子形成立體網(wǎng)狀結構，從而降低可塑性、增加彈性和強度的物質(zhì)。除了某些熱塑性橡膠不需要硫化外，天然橡膠和各種合成橡膠都需配入硫化劑進行硫化，橡膠經(jīng)硫化后才具有寶貴的使用價值，其力學性能會大大提高。
6、本專利技術的進一步設置為：所述硫化劑為硫化劑dbpmh。
7、通過采用上述技術方案，本專利技術的硫化機選用硫化劑dbpmh，可以滿足本專利技術的硫化需求。
8、本專利技術的進一步設置為：六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的比例為1:1-3。
9、本專利技術的另一個目的是提供一種上述的低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊的制備工藝，包括以下步驟，
10、s1、混煉，取甲基乙烯基硅橡膠、氣相法白炭黑、六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的混合物、馬來酸二乙酯、二苯基硅二醇、鈦白粉，混煉使其均勻后，置于120℃烘箱內(nèi)熱處理1.5h；
11、s2、放置，將混煉后的物料放置一段時間；
12、s3、返煉，向放置后的物料加入硫化機，進行返煉；
13、s4、壓延，將返煉后的物料進行壓延處理；
14、s5、出片；
15、s6、硫化成型，硫化條件為180℃，15min；
16、s7、二次硫化，硫化條件為190℃，10min，在真空干燥箱里進行真空硫化；
17、s8、三次硫化，硫化條件為200℃，70min；
18、s9、沖切，將硫化后的物料沖切成需要的尺寸；
19、s10、預清洗，將沖切后的物料置于-0.1mpa的環(huán)境下，用氮氣沖洗5-10min；
20、s11、清洗，使用溶劑對物料進行清洗；
21、s12、烘干，將物料置于20-35℃的環(huán)境下烘干，得到硅膠隔墊。
22、通過采用上述技術方案，本專利技術的二次硫化時選用在真空硫化，有利于揮發(fā)性小分子擴散出去。本專利技術獨創(chuàng)性地設計預清洗步驟，通過在真空負壓的環(huán)境下，先用潔凈的氮氣進行沖洗，既可以對物料表面的雜質(zhì)進行初步清洗，同時可以帶走揮發(fā)性物質(zhì)。再用溶劑進行清洗，得到硅膠隔墊。
23、本專利技術的進一步設置為：步驟s1中，將甲基乙烯基硅橡膠投放到煉膠機中，邊混煉邊加入氣相法白炭黑、六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的混合物、馬來酸二乙酯、二苯基硅二醇、鈦白粉，置于120℃烘箱內(nèi)熱處理1.5h。
24、本專利技術的進一步設置為：步驟s2中，放置時間為24h。
25、本專利技術的進一步設置為：步驟s3中，返煉時間為10-30min。
26、通過采用上述技術方案，物料經(jīng)停放后，可塑性降低，進一步加工前必須進行返煉。
27、本專利技術的進一步設置為：步驟s11中，清洗所用的溶劑為乙醇或者丙酮或者異丙醇。
28、本專利技術的有益效果是：本專利技術通過合理的配方設計，通過優(yōu)化各原料的種類及含量，保證成型膠料具有較好的交聯(lián)程度，有效地防止硫化小分子產(chǎn)物過多的向表面遷移，同時采用特定的生產(chǎn)工藝將部分小分子物質(zhì)提前抽提出來，保證產(chǎn)品在后續(xù)使用過程中具有較好的潔凈度，得到了一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊。
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1.一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，其特征在于：按重量份數(shù)計，原料包括以下組分：100份甲基乙烯基硅橡膠、40-50份氣相法白炭黑、8-10份六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的混合物、0.5-0.8份馬來酸二乙酯。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，其特征在于：原料還包括以下組分：2-3份二苯基硅二醇、3-5份鈦白粉、0.5-1份硫化劑。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，其特征在于：所述硫化劑為硫化劑DBPMH。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，其特征在于：六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的比例為1:1-3。
5.一種根據(jù)權利要求1-4任一所述的低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊的制備工藝，其特征在于：包括以下步驟，
6.根據(jù)權利要求5所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊的制備工藝，其特征在于：步驟S1中，將甲基乙烯基硅橡膠投放到煉膠機中，邊混煉邊加入氣相法白炭黑、六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的混合物、馬來酸二乙酯、二苯基硅二醇、鈦白粉，混煉使其均勻后，置于12
7.根據(jù)權利要求5所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊的制備工藝，其特征在于：步驟S2中，放置時間為24h。
8.根據(jù)權利要求5所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊的制備工藝，其特征在于：步驟S3中，返煉時間為10-30min。
9.根據(jù)權利要求5所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊的制備工藝，其特征在于：步驟S11中，清洗所用的溶劑為乙醇或者丙酮或者異丙醇。
...【技術特征摘要】
1.一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，其特征在于：按重量份數(shù)計，原料包括以下組分：100份甲基乙烯基硅橡膠、40-50份氣相法白炭黑、8-10份六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的混合物、0.5-0.8份馬來酸二乙酯。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，其特征在于：原料還包括以下組分：2-3份二苯基硅二醇、3-5份鈦白粉、0.5-1份硫化劑。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，其特征在于：所述硫化劑為硫化劑dbpmh。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊，其特征在于：六甲基環(huán)三硅氮烷與八甲基環(huán)四硅氮烷的比例為1:1-3。
5.一種根據(jù)權利要求1-4任一所述的低揮發(fā)、低溶出的硅膠隔墊的制備工藝，其特征...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：朱劍鋒，田恒生，陳夢飛，
申請(專利權)人：浙江歐爾賽斯科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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