【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電機(jī)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法。
技術(shù)介紹
1、渦流與一般電流一樣，會(huì)產(chǎn)生熱效應(yīng)，產(chǎn)生的熱量值符合焦耳定律。用于增強(qiáng)線圈磁性的鐵芯(磁導(dǎo)率大)?，在工作時(shí)就會(huì)產(chǎn)生渦流，使自身發(fā)熱，浪費(fèi)能量，甚至影響設(shè)備的工作。因此，在電機(jī)、發(fā)電機(jī)、變壓器、交流電磁鐵等設(shè)備的鐵芯材料中，不采用整個(gè)鐵芯，而是采用表面涂有絕緣漆的硅鋼片，這是因?yàn)楣桎摵?~5%的硅可以提高鐵芯的電阻率。
2、高速永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子外觀如圖1所示，在轉(zhuǎn)子鐵芯圓柱體的表面是永磁體。高速永磁電機(jī)的永磁體轉(zhuǎn)子在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中，由于永磁體具有導(dǎo)電特性，因此在定轉(zhuǎn)子氣隙諧波磁場(chǎng)的作用下，會(huì)在永磁體上感應(yīng)出渦流，渦流i與永磁體的等效電阻r產(chǎn)生熱效應(yīng)，表示為q=i2r?。渦流感應(yīng)出與諧波磁場(chǎng)反向的磁場(chǎng)，對(duì)諧波磁場(chǎng)起到屏蔽作用，使渦流的強(qiáng)度隨永磁體的深度遞減，大部分渦流局限在永磁體的表面，諧波的頻率越高，渦流作用的深度越淺。渦流產(chǎn)生的熱效應(yīng)使永磁體的溫度升高，剩磁降低，氣隙磁密減小，電機(jī)的功率減小，效率降低，嚴(yán)重時(shí)可以對(duì)永磁體發(fā)生不可逆的退磁作用，所以高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子表面的渦流越弱越好。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)旨在解決高速永磁電機(jī)永磁體轉(zhuǎn)子表面的大渦流帶來(lái)的高溫與退磁的后果。
2、為此，本專利技術(shù)公開(kāi)了一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，是在所述高速永磁電機(jī)的永磁體轉(zhuǎn)子的圓柱表面沿軸向刻淺槽，所述的淺槽在轉(zhuǎn)子永磁體的外表面均勻分布。
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4、優(yōu)選的是，?所述淺槽的寬度為0.05-0.2mm，深度為0.5-1mm。
5、更為具體的是，所述淺槽的寬度為0.2mm，深度為1mm，間隔為5mm。
6、優(yōu)選的是，所述的淺槽在加工永磁體轉(zhuǎn)子表面時(shí)，用線切割加工出等間距的沿軸向的淺槽。
7、上述技術(shù)方案實(shí)施后，都能很好地抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子表面的渦流損耗，因?yàn)檗D(zhuǎn)子永磁體表面刻槽后，永磁體表面導(dǎo)體分割成小塊，等效電阻很大，將永磁體表面渦流限制在很小的薄片區(qū)域內(nèi)，以此降低了總體渦流損耗，減小發(fā)熱，降低能耗，提高效率，降低永磁體退磁的風(fēng)險(xiǎn)。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，在所述高速永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子永磁體的圓柱表面沿軸向刻淺槽，所述的淺槽在轉(zhuǎn)子永磁體的外表面均勻分布。
2.如權(quán)利要求1所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，所述淺槽的深度在1mm以下，間隔3mm以上。
3.如權(quán)利要求2所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，所述淺槽的寬度為0.05-0.2mm，深度為0.5-1mm。
4.如權(quán)利要求3所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，所述淺槽的寬度為0.2mm，深度為1mm，間隔為5mm。
5.如上任一權(quán)利要求所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，所述的淺槽在加工永磁體轉(zhuǎn)子表面時(shí)，用線切割加工出等間距的沿軸向的淺槽。
6.如上任一權(quán)利要求所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，所述的均勻分布的淺槽是用激光切割出來(lái)的。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，在所述高速永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子永磁體的圓柱表面沿軸向刻淺槽，所述的淺槽在轉(zhuǎn)子永磁體的外表面均勻分布。
2.如權(quán)利要求1所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，所述淺槽的深度在1mm以下，間隔3mm以上。
3.如權(quán)利要求2所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法，其特征在于，所述淺槽的寬度為0.05-0.2mm，深度為0.5-1mm。<...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王雪，董建新，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：精效懸浮蘇州科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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