【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。
技術(shù)介紹
1、快閃存儲(chǔ)器(flash)，又稱為閃存，已經(jīng)成為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(non-volatilememory，nvm)的主流。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，閃存可分為或非閃存(nor?flash)和與非閃存(nandflash)兩種。閃存的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長期保持存儲(chǔ)的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
2、但是，包括快閃存儲(chǔ)器在內(nèi)的半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品良率和電學(xué)性能仍有待提高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)實(shí)施例解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，能夠提高所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品良率和性能。
2、為解決上述問題，本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，所述方法包括：
3、提供基底，所述基底包括襯底；
4、形成凸出于所述襯底的柵極結(jié)構(gòu)；
5、對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底執(zhí)行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成離子注入?yún)^(qū)，所述離子注入工藝的注入離子包括碳離子；
6、執(zhí)行所述離子注入工藝之后，對(duì)所述離子注入?yún)^(qū)執(zhí)行源漏注入工藝，在所述離子注入?yún)^(qū)內(nèi)形成源漏摻雜區(qū)。
7、可選地，所述離子注入工藝的工藝參數(shù)包括：注入劑量為1e14atoms/cm2至9e15atoms/cm2，注入能量為5kev至50kev。
8、可選地，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的
9、在所述襯底上形成圖形化層，所述圖形化層具有暴露出所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底的開口；
10、以所述圖形化層為掩膜，對(duì)所述襯底執(zhí)行離子注入工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成所述離子注入?yún)^(qū)。
11、可選地，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底執(zhí)行離子注入工藝之前，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)。
12、可選地，所述襯底包括存儲(chǔ)區(qū)和外圍區(qū)；
13、位于所述存儲(chǔ)區(qū)的襯底上的柵極結(jié)構(gòu)為第一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述外圍區(qū)的襯底上的柵極結(jié)構(gòu)為第二柵極結(jié)構(gòu)，所述基底還包括位于所述存儲(chǔ)區(qū)和外圍區(qū)的襯底內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)；
14、形成所述隔離結(jié)構(gòu)、所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括：在所述襯底上形成襯墊層；圖形化所述襯墊層和部分厚度的所述襯底，形成第一溝槽；在所述第一溝槽內(nèi)填充隔離材料層；去除所述襯墊層，使相鄰隔離材料層與相鄰隔離材料層之間露出的襯底圍成第二溝槽；在所述第二溝槽的底部上形成第一柵絕緣膜，并在所述第一柵絕緣膜上形成填充所述第二溝槽的浮柵材料層；去除部分厚度的所述隔離材料層，使所述隔離材料層形成隔離結(jié)構(gòu)；在所述存儲(chǔ)區(qū)的襯底上形成保形覆蓋浮柵材料層和隔離結(jié)構(gòu)的柵間介質(zhì)材料層；在所述存儲(chǔ)區(qū)的襯底上形成保形覆蓋所述浮柵材料層和所述浮柵材料層兩側(cè)的隔離結(jié)構(gòu)的柵間介質(zhì)層；去除位于外圍區(qū)的襯底上的第一柵絕緣膜和浮柵材料層，僅保留位于存儲(chǔ)區(qū)的襯底上的第一柵絕緣膜和浮柵材料層，分別作為第一柵絕緣層和浮置柵層；形成覆蓋所述外圍區(qū)的襯底和隔離結(jié)構(gòu)的第二柵絕緣膜；形成覆蓋所述第二柵絕緣膜和柵間介質(zhì)材料層的控制柵材料層；圖形化所述控制柵材料層、所述第二柵絕緣膜和所述柵間介質(zhì)材料層，在所述存儲(chǔ)區(qū)的襯底上形成柵間介質(zhì)層、位于柵間介質(zhì)層上且橫跨所述浮置柵層的第一控制柵層，并在所述外圍區(qū)的襯底上形成第二柵絕緣層和位于第二柵絕緣層上的第二控制柵層。
15、相應(yīng)地，本專利技術(shù)實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
16、基底，所述基底包括襯底；
17、柵極結(jié)構(gòu)，凸出于所述襯底；
18、離子注入?yún)^(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)，且所述離子注入?yún)^(qū)的注入離子包括碳離子；
19、源漏摻雜區(qū)，位于所述離子注入?yún)^(qū)內(nèi)。
20、可選地，所述離子注入?yún)^(qū)的碳離子的注入劑量為1e14atoms/cm2至9e15atoms/cm2。
21、可選地，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：側(cè)墻結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。
22、可選地，所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)為ono結(jié)構(gòu)。
23、可選地，所述基底包括存儲(chǔ)區(qū)和外圍區(qū)；
24、位于所述存儲(chǔ)區(qū)的襯底上的柵極結(jié)構(gòu)為第一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述外圍區(qū)的襯底上的柵極結(jié)構(gòu)為第二柵極結(jié)構(gòu)，所述基底還包括位于所述存儲(chǔ)區(qū)和外圍區(qū)的襯底內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)；
25、所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵絕緣層、位于第一柵絕緣層上的浮置柵層、位于所述浮置柵層上的柵間介質(zhì)層和位于所述柵間介質(zhì)層上的第一控制柵層，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括第二柵絕緣層和位于所述第二柵絕緣層上的第二控制柵層。
26、可選地，所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層的材料包括氧化硅。
27、可選地，所述浮置柵層的材料包括多晶硅。
28、可選地，所述柵間介質(zhì)層為ono結(jié)構(gòu)。
29、可選地，所述第一控制柵層和所述第二控制柵層的材料為多晶硅。
30、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：
31、本專利技術(shù)實(shí)施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，先對(duì)柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底執(zhí)行離子注入工藝，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成離子注入?yún)^(qū)，再對(duì)所述離子注入?yún)^(qū)執(zhí)行源漏注入工藝，形成位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的離子注入?yún)^(qū)內(nèi)的源漏摻雜區(qū)，所述離子注入?yún)^(qū)包括碳離子，能夠在執(zhí)行源漏注入工藝的過程中防止源漏摻雜區(qū)內(nèi)所形成的缺陷點(diǎn)的聚集，且能夠降低離子注入?yún)^(qū)的襯底的應(yīng)力，避免后續(xù)形成的源區(qū)與漏區(qū)之間的漏電的產(chǎn)生，從而能夠避免晶格位錯(cuò)(dislocation)情形的產(chǎn)生，相應(yīng)有助于提高所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品良率和性能。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的工藝參數(shù)包括：注入劑量為1E14atoms/cm2至9E15?atoms/cm2，注入能量為5KeV至50KeV。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底執(zhí)行離子注入工藝之前，還包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯底包括存儲(chǔ)區(qū)和外圍區(qū)；
5.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)的碳離子的注入劑量為1E14atoms/cm2至9E15?atoms/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：側(cè)墻結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)為ONO結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底包括存儲(chǔ)區(qū)
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層的材料包括氧化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述浮置柵層的材料包括多晶硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵間介質(zhì)層為ONO結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一控制柵層和所述第二控制柵層的材料為多晶硅。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的工藝參數(shù)包括：注入劑量為1e14atoms/cm2至9e15?atoms/cm2，注入能量為5kev至50kev。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底執(zhí)行離子注入工藝之前，還包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯底包括存儲(chǔ)區(qū)和外圍區(qū)；
5.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)的碳離子的注入劑量為1e14atoms/cm2至9e15?atoms...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃興凱，時(shí)杰，鄭樂凱，賈惠玲，張迪，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中芯國際集成電路制造北京有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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