【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及致密氣藏技術(shù)開發(fā)，尤其涉及一種氣藏剩余氣定量描述方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序。
技術(shù)介紹
1、致密氣藏的特點是邊底水沒有明確的存在，儲層非均質(zhì)性強，滲流機理復(fù)雜，因此，開發(fā)致密氣藏需要采取不同于常規(guī)氣藏的開發(fā)特征。在開發(fā)過程中的后期階段，剩余氣的分布受到多種因素的影響，包括儲層物性、含水飽和度、井網(wǎng)布局、井型選擇、開發(fā)時間和工藝措施等。準(zhǔn)確了解剩余氣的分布對于調(diào)整井部署、進行補孔轉(zhuǎn)層等挖潛措施非常重要。因此，需要建立一種能夠準(zhǔn)確描述剩余氣分布的方法，以確定氣藏中剩余氣的分布情況，以滿足后續(xù)挖潛工作的需求，從而提高儲量的動用率和采收率。
2、目前，針對致密氣藏剩余氣分布的研究方法主要包括含氣飽和度法、壓力法和儲量豐度法。然而，每種方法在應(yīng)用中都存在一定的局限性，其中，含氣飽和度法無法有效反映剩余氣的變化和地層能量情況；壓力法通過使用壓力來描述氣田開發(fā)到某個階段的儲量或剩余氣的情況，然而，在致密氣藏中，儲層的非均質(zhì)性較強，在含氣飽和度低(含水飽和度高)和物性較低的區(qū)域，由于井網(wǎng)控制程度低、氣井產(chǎn)能低，導(dǎo)致采出量較低，但壓力反而較高；儲量豐度法雖然避免了含氣飽和度參數(shù)的影響，但它沒有考慮物性對于后期調(diào)整井產(chǎn)能的影響，因此，當(dāng)前針對致密氣藏剩余氣分布描述的方法仍然存在一些局限性，如何提升氣藏剩余氣定量描述的準(zhǔn)確性，成了亟待解決的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對上述問題，本專利技術(shù)的實施例提供了一種氣藏剩余氣定量描述方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序。
3、根據(jù)預(yù)設(shè)的產(chǎn)能方程生成致密氣藏的產(chǎn)能參量；
4、根據(jù)所述產(chǎn)能參量和預(yù)先獲取的儲能參量構(gòu)建所述致密氣藏的初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式；
5、對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式；
6、獲取所述致密氣藏的物性參數(shù)，根據(jù)所述物性參數(shù)和所述目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式生成所述致密氣藏的產(chǎn)儲系數(shù)分布圖。
7、根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述根據(jù)預(yù)設(shè)的產(chǎn)能方程生成致密氣藏的產(chǎn)能參量，包括：
8、對預(yù)設(shè)的產(chǎn)能方程進行近似處理，得到所述產(chǎn)能方程的近似方程，其中，所述預(yù)設(shè)的產(chǎn)能方程為：
9、
10、其中，pr是所述致密氣藏的平均壓力，pwf是所述致密氣藏的井底流壓，是所述致密氣藏中氣體的平均粘度，是所述致密氣藏中氣體的平均壓縮系數(shù)，t是所述致密氣藏的的儲層溫度，psc是所述致密氣藏中氣體在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的壓力，qg是所述致密氣藏的產(chǎn)量，k是所述致密氣藏的儲層滲透率，h是所述致密氣藏的儲層厚度，tsc是所述致密氣藏中氣體在標(biāo)準(zhǔn)狀況下溫度，t是時間，是所述致密氣藏的儲層孔隙度，是所述致密氣藏的綜合壓縮系數(shù)，rw是所述致密氣藏的井折算半徑，s是所述致密氣藏的表皮系數(shù)，d是非達西流系數(shù)，lg(*)是對數(shù)函數(shù)，c1、c2、c3、c4是某一量綱下的常系數(shù)；
11、對所述近似方程進行系數(shù)修正，得到所述近似方程的修正方程，利用所述修正方程生成所述致密氣藏的產(chǎn)能參量。
12、根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述根據(jù)所述產(chǎn)能參量和預(yù)先獲取的儲能參量構(gòu)建所述致密氣藏的初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式，包括：
13、根據(jù)預(yù)先獲取的儲能因素生成所述致密氣藏的儲能參量，根據(jù)所述產(chǎn)能參量和所述儲能參量生成所述致密氣藏的初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式，其中，所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式為：
14、
15、其中，ζ是所述致密氣藏的產(chǎn)儲系數(shù)，pr是所述致密氣藏的平均壓力，k是所述致密氣藏的儲層滲透率，h是所述致密氣藏的儲層厚度，是所述致密氣藏的儲層孔隙度，sg是所述致密氣藏的含氣飽和度。
16、根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式，包括：
17、對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行壓力參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的一級轉(zhuǎn)化定義式；
18、對所述一級轉(zhuǎn)化定義式進行儲量參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述一級轉(zhuǎn)化定義式的二級轉(zhuǎn)化定義式；
19、對所述二級轉(zhuǎn)化定義式進行豐度參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述二級轉(zhuǎn)化定義式的三級轉(zhuǎn)化定義式；
20、對所述三級轉(zhuǎn)化定義式進行壓縮參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述三級轉(zhuǎn)化定義式的四級轉(zhuǎn)化定義式，確定所述四級轉(zhuǎn)化定義式為所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式。
21、根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行壓力參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的一級轉(zhuǎn)化定義式，包括：
22、確定所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式中壓力參數(shù)的壓力參數(shù)定義式，其中，所述壓力參數(shù)定義式為：
23、
24、其中，pr是所述致密氣藏的平均壓力，t是所述致密氣藏的儲層溫度，psc是所述致密氣藏中氣體在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的壓力，z是所述致密氣藏中氣體在平均壓力下的壓縮系數(shù)，zsc是所述致密氣藏中氣體在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的壓縮系數(shù)，tsc是所述致密氣藏中氣體在標(biāo)準(zhǔn)狀況下溫度，bg是所述致密氣藏的體積壓縮系數(shù)；
25、將所述壓力參數(shù)定義式代入所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的一級轉(zhuǎn)化定義式。
26、根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，所述對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式，包括：
27、獲取所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)參數(shù)，對所述目標(biāo)參數(shù)中的壓力系數(shù)參數(shù)進行無量綱化處理，得到所述壓力系數(shù)參數(shù)的無量綱壓力系數(shù)；
28、對所述目標(biāo)參數(shù)中的飽和度系數(shù)參數(shù)進行無量綱化處理，得到所述飽和度系數(shù)參數(shù)的無量綱飽和度系數(shù)；
29、根據(jù)所述無量綱壓力系數(shù)和所述無量綱飽和度系數(shù)對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式。
30、第二方面，本專利技術(shù)實施例提供了一種氣藏剩余氣定量描述裝置，其特征在于，包括：
31、產(chǎn)能參量生成模塊，用于根據(jù)預(yù)設(shè)的產(chǎn)能方程生成致密氣藏的產(chǎn)能參量；
32、初始產(chǎn)儲系數(shù)定義模塊，用于根據(jù)所述產(chǎn)能參量和預(yù)先獲取的儲能參量構(gòu)建所述致密氣藏的初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式；
33、目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化模塊，用于對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式；
34、系數(shù)分布圖生成模塊，用于獲取所述致密氣藏的物性參數(shù)，根據(jù)所述物性參數(shù)和所述目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式生成所述致密氣藏的產(chǎn)儲系數(shù)分布圖。
35、第三方面，本專利技術(shù)實施例提供了一種電子設(shè)備，其包括：
36、處理器；
37、用于存儲所述處理器可執(zhí)行指令的存儲器；
38、其中，所述處理器被配置為執(zhí)行所述指令，以實現(xiàn)如前第一方面所述的一種氣藏剩余氣定量描述方法。
39、第四方面，本專利技術(shù)實施例提供了一種介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，該程序本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權(quán)利要求1所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述根據(jù)預(yù)設(shè)的產(chǎn)能方程生成致密氣藏的產(chǎn)能參量，包括：
3.如權(quán)利要求1所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述根據(jù)所述產(chǎn)能參量和預(yù)先獲取的儲能參量構(gòu)建所述致密氣藏的初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式，包括：
4.如權(quán)利要求1所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式，包括：
5.如權(quán)利要求4所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行壓力參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的一級轉(zhuǎn)化定義式，包括：
6.如權(quán)利要求1所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式，包括：
7.一種氣藏剩余氣定量描述裝置，其特征在于，所述裝置包括：
8.一種電子設(shè)備，其包括：
9.一種計算機可讀
10.一種計算機程序，其特征在于，該程序被處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項所述的氣藏剩余氣定量描述方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權(quán)利要求1所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述根據(jù)預(yù)設(shè)的產(chǎn)能方程生成致密氣藏的產(chǎn)能參量，包括：
3.如權(quán)利要求1所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述根據(jù)所述產(chǎn)能參量和預(yù)先獲取的儲能參量構(gòu)建所述致密氣藏的初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式，包括：
4.如權(quán)利要求1所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行目標(biāo)參數(shù)轉(zhuǎn)化，得到所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式的目標(biāo)產(chǎn)儲系數(shù)定義式，包括：
5.如權(quán)利要求4所述的氣藏剩余氣定量描述方法，其特征在于，所述對所述初始產(chǎn)儲系數(shù)定義式進行壓力參數(shù)轉(zhuǎn)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄭榮臣，賈英，嚴(yán)謹(jǐn)，王樹平，劉建黨，賈超，
申請(專利權(quán))人：中國石油化工股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。