【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體領域，尤其涉及一種存儲器結構及存儲器結構的形成方法。
技術介紹
1、nor型閃存(nor?flash)是基于intel公司提出的etox結構發展而來的，是一種非易失性存儲器，即芯片斷電后仍能保持所存數據不丟失。同時nor閃存是一種電壓控制型器件，采用熱電子注入方式寫入數據，基于隧道效應擦除數據，其顯著的一個特點是隨機讀取速度很快。nor閃存作為一種非揮發性存儲器具有非揮發性、高器件密度、低功耗和可電重寫性等特點，被廣泛應用到便攜式電子產品中如手機、數碼相機、智能卡等。
2、然而，現有的nor?flash器件在形成過程中仍存在諸多問題。
技術實現思路
1、本專利技術解決的技術問題是提供一種存儲器結構及存儲器結構的形成方法，以提升器件結構的性能。
2、為解決上述技術問題，本專利技術實施例提供一種存儲器結構，包括：襯底，襯底包括沿第二方向排布的若干相互分立的第一區域、以及位于相鄰第一區域之間的第二區域；位于襯底內的若干第一溝槽，若干第一溝槽沿第一方向排布且沿第二方向橫跨若干第一區域和若干第二區域；至少部分位于第一區域和第二區域之間第一溝槽內的存儲柵結構。
3、可選的，存儲柵結構包括：位于第一溝槽內的浮柵以及位于浮柵上的控制柵。
4、可選的，存儲柵結構還包括：位于浮柵和襯底之間的第一柵介質層；位于浮柵和控制柵之間的第二柵介質層。
5、可選的，存儲器結構還包括：位于第二區域的襯底表面和第一溝槽內的源線結構，源線結
6、可選的，源線結構包括：位于第二區域的襯底表面和第一溝槽內的第一結構層以及位于第一結構層表面的第二結構層。
7、可選的，漏線結構包括：位于第一區域的第一溝槽內的第三結構層以及位于第三結構層表面的第四結構層。
8、可選的，存儲器結構還包括：位于相鄰存儲柵結構之間的若干第二溝槽，若干第二溝槽沿第二方向排布且沿第一方向貫穿若干第一溝槽。
9、相應的，本專利技術技術方案還提供一種存儲器結構的形成方法，包括：提供襯底，襯底包括沿第二方向排布的若干相互分立的第一區域、以及位于相鄰第一區域之間的第二區域；在襯底內形成若干第一溝槽，若干第一溝槽沿第一方向排布且沿第二方向橫跨若干第一區域和若干第二區域；在第一區域和第二區域之間第一溝槽內形成至少部分存儲柵結構。
10、可選的，形成存儲柵結構的方法包括：在第一溝槽內形成浮柵；在浮柵上形成控制柵。
11、可選的，存儲器結構的形成方法，還包括：在第二區域的襯底表面和第一溝槽內形成源線結構，源線結構的材料為半導體材料，且源線結構內摻雜有導電離子；在第一區域第一溝槽內形成漏線結構，漏線結構的材料為半導體材料，且漏線結構內摻雜有導電離子。
12、可選的，形成源線結構的方法包括：在第二區域的襯底表面和第一溝槽內形成第一結構層；在第一結構層表面形成第二結構層；形成漏線結構的方法包括：在第一區域的第一溝槽內形成第三結構層；在第三結構層表面形成第四結構層。
13、可選的，存儲柵結構、源線結構和漏線結構同時形成。
14、可選的，形成存儲柵結構的方法還包括：在浮柵和襯底之間形成第一柵介質層；在浮柵和控制柵之間形成第二柵介質層。
15、可選的，形成存儲柵結構、源線結構和漏線結構的方法包括：在第一溝槽內形成第一柵介質層，第一柵介質層暴露出第一區域和第二區域表面；在襯底第一柵介質層表面和襯底表面形成第一柵極材料層；在第一柵極材料層表面形成第二柵介質層，第二柵介質暴露出第一區域和第二區域表面的第一柵極材料層；在第一柵極材料層表面和第二柵介質層表面形成第二柵極材料層；在第二柵極材料層表面形成圖形化層，圖形化層暴露出部分第二柵極材料層表面；以圖形化層為掩膜刻蝕部分第一柵極材料層以及第二柵極材料層，直至暴露出襯底的頂部表面為止，形成浮柵、控制柵、第一結構層、第二結構層、第三結構層以及第四結構層。
16、可選的，第一柵極材料層內摻雜有第一摻雜離子，第一摻雜離子包括p型離子或n型離子；第二柵極材料層內摻雜有第二摻雜離子，第二摻雜離子包括p型離子或n型離子。
17、可選的，在第一柵極材料層內摻雜第一摻雜離子的工藝為離子注入工藝或原位摻雜工藝；在第二柵極材料層內摻雜第二摻雜離子的工藝為離子注入工藝或原位摻雜工藝。
18、可選的，存儲器結構的形成方法還包括：在相鄰存儲柵結構之間形成第二溝槽，第二溝槽沿第二方向排布且沿第一方向貫穿若干第一溝槽。
19、可選的，第一溝槽的寬度范圍為550埃至850埃，第一溝槽的高度范圍為50納米至85納米。
20、與現有技術相比，本專利技術實施例的技術方案具有以下有益效果：
21、本專利技術技術方案的存儲器結構中，部分存儲柵結構位于第一溝槽內，減小了存儲器結構的厚度，提高了存儲器結構集成度，進而減小了存儲器結構之間溝槽的深度，降低了存儲器結構的電阻，提高了存儲器結構的性能以及制成工藝的均一性和穩定性。
22、本專利技術技術方案的存儲器結構的形成方法中，通過在襯底上形成第一溝槽，在第一溝槽上形成存儲柵結構，使得存儲柵結構的縱向尺寸減小，進而減小了存儲器結構之間溝槽的深度，降低了存儲器結構的電阻，提高了存儲器結構的性能以及制成工藝的均一性和穩定性。
23、進一步，本專利技術技術方案中，通過刻蝕第一柵極材料層和第二柵極材料層，同時形成存儲柵結構、源線結構和漏線結構，降低了存儲柵結構之間的距離對源線結構和漏線結構形成的影響，且無需額外沉積導電材料，降低了工藝成本以及工藝難度。
24、進一步，本專利技術技術方案中，通過對源線結構和漏線結構進行高濃度離子摻雜，降低了存儲器結構的阻值，進而降低存儲器結構的功耗，提高了存儲器結構的性能。
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1.一種存儲器結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述存儲柵結構包括：位于第一溝槽內的浮柵以及位于所述浮柵上的控制柵。
3.如權利要求2所述的存儲器結構，其特征在于，所述存儲柵結構還包括：位于浮柵和襯底之間的第一柵介質層；位于所述浮柵和控制柵之間的第二柵介質層。
4.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于第二區域的襯底表面和第一溝槽內的源線結構，所述源線結構的材料為半導體材料，且所述源線結構內摻雜有導電離子；位于第一區域的第一溝槽內的漏線結構，所述漏線結構的材料為半導體材料，且所述漏線結構內摻雜有導電離子。
5.如權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，所述源線結構包括：位于第二區域的襯底表面和第一溝槽內的第一結構層以及位于第一結構層表面的第二結構層。
6.如權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，所述漏線結構包括：位于第一區域的第一溝槽內的第三結構層以及位于第三結構層表面的第四結構層。
7.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于相鄰存儲柵結
8.一種存儲器結構的形成方法，其特征在于，包括：
9.如權利要求8所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述存儲柵結構的方法包括：在第一溝槽內形成浮柵；在所述浮柵上形成控制柵。
10.如權利要求9所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在第二區域的襯底表面和第一溝槽內形成源線結構，所述源線結構的材料為半導體材料，且所述源線結構內摻雜有導電離子；在第一區域第一溝槽內形成漏線結構，所述漏線結構的材料為半導體材料，且所述漏線結構內摻雜有導電離子。
11.如權利要求10所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述源線結構的方法包括：在第二區域的襯底表面和第一溝槽內形成第一結構層；在第一結構層表面形成第二結構層；形成所述漏線結構的方法包括：在第一區域的第一溝槽內形成第三結構層；在第三結構層表面形成第四結構層。
12.如權利要求11所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述存儲柵結構、源線結構和漏線結構同時形成。
13.如權利要求12所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述存儲柵結構的方法還包括：在浮柵和襯底之間形成第一柵介質層；在所述浮柵和控制柵之間形成第二柵介質層。
14.如權利要求13所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述存儲柵結構、源線結構和漏線結構的方法包括：在第一溝槽內形成第一柵介質層，所述第一柵介質層暴露出第一區域和第二區域表面；在第一柵介質層表面和襯底表面形成第一柵極材料層；在第一柵極材料層表面形成第二柵介質層，所述第二柵介質暴露出第一區域和第二區域表面的第一柵極材料層；在第一柵極材料層表面和第二柵介質層表面形成第二柵極材料層；在第二柵極材料層表面形成圖形化層，所述圖形化層暴露出部分所述第二柵極材料層表面；以所述圖形化層為掩膜刻蝕部分所述第一柵極材料層以及第二柵極材料層，直至暴露出所述襯底的頂部表面為止，形成浮柵、控制柵、第一結構層、第二結構層、第三結構層以及第四結構層。
15.如權利要求13所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述第一柵極材料層內摻雜有第一摻雜離子，所述第一摻雜離子包括P型離子或N型離子；所述第二柵極材料層內摻雜有第二摻雜離子，所述第二摻雜離子包括P型離子或N型離子。
16.如權利要求15所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，在第一柵極材料層內摻雜第一摻雜離子的工藝為離子注入工藝或原位摻雜工藝；在第二柵極材料層內摻雜第二摻雜離子的工藝為離子注入工藝或原位摻雜工藝。
17.如權利要求8所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在相鄰存儲柵結構之間形成第二溝槽，所述第二溝槽沿第二方向排布且沿第一方向貫穿若干第一溝槽。
18.如權利要求8所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述第一溝槽的寬度范圍為550埃至850埃，所述第一溝槽的高度范圍為50納米至85納米。
...【技術特征摘要】
1.一種存儲器結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述存儲柵結構包括：位于第一溝槽內的浮柵以及位于所述浮柵上的控制柵。
3.如權利要求2所述的存儲器結構，其特征在于，所述存儲柵結構還包括：位于浮柵和襯底之間的第一柵介質層；位于所述浮柵和控制柵之間的第二柵介質層。
4.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于第二區域的襯底表面和第一溝槽內的源線結構，所述源線結構的材料為半導體材料，且所述源線結構內摻雜有導電離子；位于第一區域的第一溝槽內的漏線結構，所述漏線結構的材料為半導體材料，且所述漏線結構內摻雜有導電離子。
5.如權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，所述源線結構包括：位于第二區域的襯底表面和第一溝槽內的第一結構層以及位于第一結構層表面的第二結構層。
6.如權利要求4所述的存儲器結構，其特征在于，所述漏線結構包括：位于第一區域的第一溝槽內的第三結構層以及位于第三結構層表面的第四結構層。
7.如權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：位于相鄰存儲柵結構之間的若干第二溝槽，若干第二溝槽沿第二方向排布且沿第一方向貫穿若干第一溝槽。
8.一種存儲器結構的形成方法，其特征在于，包括：
9.如權利要求8所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述存儲柵結構的方法包括：在第一溝槽內形成浮柵；在所述浮柵上形成控制柵。
10.如權利要求9所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：在第二區域的襯底表面和第一溝槽內形成源線結構，所述源線結構的材料為半導體材料，且所述源線結構內摻雜有導電離子；在第一區域第一溝槽內形成漏線結構，所述漏線結構的材料為半導體材料，且所述漏線結構內摻雜有導電離子。
11.如權利要求10所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，形成所述源線結構的方法包括：在第二區域的襯底表面和第一溝槽內形成第一結構層；在第一結構層表面形成第二結構層；形成所述漏線結構的方法包括：在第一區域...
【專利技術屬性】
技術研發人員：臺國君，趙爾聰，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造北京有限公司，
類型：發明
國別省市：
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