本申請實施方式提供了一種半導體器件、存儲器系統(tǒng)以及半導體器件的制造方法。半導體器件包括：多個半導體柱，沿第一方向和第二方向陣列排布，在第一方向上相鄰的半導體柱分別具有彼此相對的第一側(cè)壁；導電屏蔽層，位于第一側(cè)壁的外側(cè)，并沿第二方向延伸；以及填充層，位于導電屏蔽層之間；其中，第一方向垂直于第二方向。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導體，更具體地，涉及一種半導體器件、存儲器系統(tǒng)以及半導體器件的制造方法。
技術介紹
1、近年來，為了提高半導體存儲器的存儲密度，存儲單元的尺寸不斷減小。然而，隨著存儲單元的尺寸的減小，鄰近存儲單元的耦合效應加劇，并且受限于工藝，難以提升由于耦合效應導致的電學性能。
技術實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┝艘环N可至少部分解決相關技術中存在的上述問題或本領域其他問題的半導體器件、存儲器系統(tǒng)以及半導體器件的制造方法。
2、第一方面，本申請一些實施例提供了一種半導體器件。該半導體器件包括：多個半導體柱，沿第一方向和第二方向陣列排布，在第一方向上相鄰的半導體柱分別具有彼此相對的第一側(cè)壁；導電屏蔽層，位于第一側(cè)壁的外側(cè)，并沿第二方向延伸；以及填充層，位于導電屏蔽層之間；其中，第一方向垂直于第二方向。
3、在一些實施方式中，導電屏蔽層在第一方向上的厚度基本相同。
4、在一些實施方式中，半導體器件還包括第一氧化層，位于第一側(cè)壁與導電屏蔽層之間。
5、在一些實施方式中，導電屏蔽層包括：第一粘合層，位于第一氧化層的表面，并沿第二方向延伸；以及第一金屬層，位于第一粘合層的表面，并沿第二方向延伸。
6、在一些實施方式中，半導體器件具有沿第二方向排布的第一區(qū)和第二區(qū)，第二區(qū)位于第一區(qū)兩側(cè)，導電屏蔽層在第一區(qū)和第二區(qū)內(nèi)延伸，在第三方向上，導電屏蔽層位于至少一個第二區(qū)內(nèi)的尺寸大于其位于第一區(qū)內(nèi)的尺寸，第三方向與第一方向和第二方向彼此垂直。
>7、在一些實施方式中，半導體器件還包括：第一接觸結構，位于第二區(qū)內(nèi)，并與導電屏蔽層連接。8、在一些實施方式中，半導體柱具有與第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁，半導體器件還包括：柵氧化層，位于第二側(cè)壁的表面；柵極層，位于柵氧化層的表面，并沿第二方向延伸。
9、在一些實施方式中，柵極層包括：第二粘合層，位于柵氧化層的表面，并沿第二方向延伸；以及第二金屬層，位于第二粘合層的表面，并沿第二方向延伸。
10、在一些實施方式中，沿第一方向排布的多個半導體柱的端部彼此連接。
11、第二方面，本申請一些實施例提供了一種存儲器系統(tǒng)。該存儲器系統(tǒng)包括：存儲器器件，包括如上文任意實施方式提及的半導體器件；以及控制器，與存儲器器件耦接，用于控制存儲器器件存儲數(shù)據(jù)。
12、第三方面，本申請一些實施方式提供了一種半導體器件的制造方法。半導體器件的制造方法包括：從半導體層的第一側(cè)形成沿第一方向延伸的第一溝槽，并在第一溝槽中填充絕緣材料；從第一側(cè)形成沿第二方向延伸的第二溝槽和第三溝槽，第二溝槽和第三溝槽交替排布，第一方向與第二方向垂直；在第二溝槽的內(nèi)側(cè)形成導電屏蔽層，并在導電屏蔽層的內(nèi)側(cè)形成填充層；以及在第三溝槽中形成柵氧化層和柵極層。
13、在一些實施方式中，在第一方向上，第二溝槽的尺寸小于第三溝槽的尺寸；其中，從第一側(cè)形成沿第二方向延伸的第二溝槽和第三溝槽包括：從第一側(cè)形成沿第二方向延伸的第二溝槽和初始第三溝槽，其中，在第一方向上，第二溝槽的尺寸與初始第三溝槽的尺寸相等；以及通過刻蝕工藝，增大初始第三溝槽在第一方向的尺寸以形成第三溝槽。
14、在一些實施方式中，在第三溝槽中依次形成柵氧化層和柵極層包括：在第三溝槽的底部形成阻擋層；在第三溝槽的側(cè)壁形成柵氧化層；在柵氧化層的表面和阻擋層的表面形成初始柵極層；去除初始柵極層位于阻擋層的表面的一部分，以斷開初始柵極層；去除初始柵極層靠近第一側(cè)的一部分以形成柵極層。
15、在一些實施方式中，在第二溝槽的內(nèi)側(cè)形成導電屏蔽層，并在導電屏蔽層的內(nèi)側(cè)形成填充層包括：在第二溝槽的內(nèi)側(cè)形成初始導電屏蔽層；以及去除初始導電屏蔽層靠近第一側(cè)的一部分。
16、在一些實施方式中，制造方法還包括：從半導體層的、與第一側(cè)相背的第二側(cè)，去除初始導電屏蔽層的一部分以形成導電屏蔽層。
17、在一些實施方式中，半導體層具有沿第二方向排布的第一區(qū)和第二區(qū)，第二區(qū)位于第一區(qū)兩側(cè)；其中，從半導體層的、與第一側(cè)相背的第二側(cè)，去除初始導電屏蔽層的一部分包括：從第二側(cè)，去除初始導電屏蔽層位于第一區(qū)內(nèi)的一部分以形成導電屏蔽層；以及在去除初始導電屏蔽層的一部分之后形成的空間中填充絕緣材料。
18、在一些實施方式中，制造方法還包括：在第二區(qū)內(nèi)，形成與導電屏蔽層連接的第一接觸結構。
19、在一些實施方式中，在第二溝槽的內(nèi)側(cè)形成初始導電屏蔽層之前，制造方法還包括：在第二溝槽的內(nèi)壁形成第一氧化層。
20、根據(jù)本申請的至少一個實施例，本申請?zhí)峁┑陌雽w器件、存儲器系統(tǒng)以及半導體器件的制造方法，由于導電屏蔽層為薄層結構，并且填充層位于導電屏蔽層的內(nèi)側(cè)，能夠使導電屏蔽層在d1方向上具有相對均勻的厚度，還能夠保證最終形成的導電屏蔽層與柵極層在d3方向上的尺寸匹配性。此外，填充層能夠降低對鄰近結構破壞的風險，從而有利于提升最終產(chǎn)品的良率和電學性能。另一方面，具有薄層結構的導電屏蔽層，工藝上更容易實現(xiàn)，并且迭代微縮能力更具有優(yōu)勢。
本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電屏蔽層在所述第一方向上的厚度基本相同。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，還包括第一氧化層，位于所述第一側(cè)壁與所述導電屏蔽層之間。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體器件，其中，所述導電屏蔽層包括：
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體器件具有沿所述第二方向排布的第一區(qū)和第二區(qū)，所述第二區(qū)位于所述第一區(qū)兩側(cè)，所述導電屏蔽層在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)內(nèi)延伸，在第三方向上，所述導電屏蔽層位于至少一個所述第二區(qū)內(nèi)的尺寸大于其位于所述第一區(qū)內(nèi)的尺寸，所述第三方向與所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件，其中，還包括：
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體柱具有與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁，所述半導體器件還包括：
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其中，所述柵極層包括：
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，沿所述第一方向排布的多個所述半導體柱的端部彼此連接。
10.一種存儲器系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
11.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
12.根據(jù)權利要求11所述的制造方法，其中，在所述第一方向上，所述第二溝槽的尺寸小于所述第三溝槽的尺寸；
13.根據(jù)權利要求11所述的制造方法，其中，在所述第三溝槽中依次形成柵氧化層和柵極層包括：
14.根據(jù)權利要求11或13所述的制造方法，其中，在所述第二溝槽的內(nèi)側(cè)形成導電屏蔽層，并在所述導電屏蔽層的內(nèi)側(cè)形成填充層包括：
15.根據(jù)權利要求14所述的制造方法，其中，還包括：
16.根據(jù)權利要求15所述的制造方法，其中，所述半導體層具有沿所述第二方向排布的第一區(qū)和第二區(qū)，所述第二區(qū)位于所述第一區(qū)兩側(cè)；
17.根據(jù)權利要求16所述的制造方法，其中，還包括：
18.根據(jù)權利要求14所述的制造方法，其中，在所述第二溝槽的內(nèi)側(cè)形成初始導電屏蔽層之前，所述方法還包括：
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【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電屏蔽層在所述第一方向上的厚度基本相同。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，還包括第一氧化層，位于所述第一側(cè)壁與所述導電屏蔽層之間。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體器件，其中，所述導電屏蔽層包括：
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體器件具有沿所述第二方向排布的第一區(qū)和第二區(qū)，所述第二區(qū)位于所述第一區(qū)兩側(cè)，所述導電屏蔽層在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)內(nèi)延伸，在第三方向上，所述導電屏蔽層位于至少一個所述第二區(qū)內(nèi)的尺寸大于其位于所述第一區(qū)內(nèi)的尺寸，所述第三方向與所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件，其中，還包括：
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體柱具有與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁，所述半導體器件還包括：
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其中，所述柵極層包括：
9.根據(jù)權利要求1所...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：魏丹陽，劉子琛，王言虹，劉威，
申請(專利權)人：長江存儲科技有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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