【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，特別涉及一種半導體結構及其制備方法。
技術介紹
1、傳統ims(鋁基板)模塊封裝結構中，一般合封場效應管和控制芯片。且場效應管和控制芯片采用同層間隔的方式設置在ims之上。場效應管共有三個極，分別為柵極、源極、漏極，漏極通過粘合劑與ims(鋁基板)相連，柵極與源極分別通過打金屬線的方式與ims(鋁基板)相應引腳相連；控制芯片與柵極相連，信號端通過打線與ims(鋁基板)連接，從而實現線路導通。
2、這類封裝結構因產品尺寸固定，在有限封裝結構尺寸內，不能排布大電流大電壓功率芯片和器件(大電流大電壓功率芯片面積較大)，影響產品的功率及功能輸出。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了一種半導體結構，其包括：
2、基板，具有相互背離的第一表面和第二表面，所述第一表面設有電路及與所述電路連接的芯片焊接區及多個電極焊接區；
3、第一芯片，具有正面和背面，所述第一芯片的正面設有第一極和第二極，所述第一芯片的背面設有第三極，所述第一芯片的背面朝向所述基板，所述第三極焊接于芯片焊接區之上；
4、至少兩個片狀電連接件，用于分別將所述第一芯片正面的第一極和第二極連接至所述基板上不同的電極焊接區上；
5、第二芯片，具有正面和背面，所述第二芯片的正面設有多個電極，所述第二芯片背面朝向所述片狀電連接件設于一個所述片狀電連接件之上。
6、在一些實施例中，所述半導體結構還包括：
7、第三芯片，具有正面和背面，所述第
8、在一些實施例中，所述半導體結構還包括多條引線，多條所述引線中一部分用于連接所述第二芯片正面的電極與所述基板第一表面上的電路，多條所述引線中另一部分用于連接所述第三芯片正面的電極與所述基板第一表面上的電路。
9、在一些實施例中，所述第一表面設有位于所述芯片焊接區至少一側的多個引腳焊接區，多個所述引腳焊接區與所述電路連接；所述半導體結構還包括多個外出引腳；多個所述外出引腳分別焊接于多個所述引腳焊接區。
10、在一些實施例中，所述芯片焊接區、多個電極焊接區、多個引腳焊接區以及第一芯片的第一極和第二極之上均設置有導電焊料，所述第一芯片通過所述導電焊料焊接于所述芯片焊接區，所述多個外出引腳分別通過導電焊料焊接于多個所述引腳焊接區，至少一個片狀電連接件通過導電焊料焊接于所述第一極和對應的電極焊接區，至少一個片狀電連接件通過導電焊料焊接于所述第二極和對應的電極焊接區；
11、所述片狀電連接件包括橫向延伸并用于連接所述第一芯片的第一極或第三極的第一連接部，以及位于所述第一芯片側方并呈縱向延伸的第二連接部；設置有所述第二芯片及第三芯片的片狀電連接件中，所述片狀電連接件的第一連接部之上設置有粘結膠，所述第二芯片、第三芯片分別通過所述粘結膠固定于所述片狀電連接件之上；所述粘結膠為絕緣膠或導電膠。
12、在一些實施例中，所述半導體結構包括塑封體，所述塑封體包覆設于所述基板第一表面一側的第一芯片、第二芯片、第三芯片、所述至少兩個片狀電連接件以及所述基板第一表面露出的部分；和/或
13、所述第一芯片為mos芯片，所述第二芯片為ic芯片，所述第三芯片為mcu芯片。
14、本申請實施例還提供了一種半導體結構的制備方法，其包括：
15、將第一芯片設于基板之上；基板具有相互背離的第一表面和第二表面，所述第一表面設有電路及與所述電路連接的芯片焊接區及多個電極焊接區；所述第一芯片具有正面和背面，所述第一芯片的正面設有第一極和第二極，所述第一芯片的背面設有第三極，所述第一芯片的背面朝向所述基板，所述第三極焊接于芯片焊接區之上；
16、設置至少兩個片狀電連接件；所述至少兩個片狀電連接件分別將所述第一芯片正面的第一極和第二極連接至所述基板上不同的電極焊接區上；
17、設置第二芯片；所述第二芯片具有正面和背面，所述第二芯片的正面設有多個電極，所述第二芯片背面朝向所述片狀電連接件設于一個所述片狀電連接件之上。
18、在一些實施例中，所述半導體結構的制備方法還包括：
19、設置第三芯片；所述第三芯片具有正面和背面，所述第三芯片的正面設有多個電極，所述第三芯片背面朝向所述片狀電連接件設于一個所述片狀電連接件之上；其中，所述第三芯片和所述第二芯片設于不同的片狀電連接件之上。
20、在一些實施例中，在設置第二芯片之前，所述方法包括：
21、設置多個外出引腳；所述第一表面設有位于所述芯片焊接區至少一側的多個引腳焊接區，多個所述引腳焊接區與所述電路連接；多個所述外出引腳分別焊接于多個所述引腳焊接區；
22、在將第一芯片設于基板之上之前，所述方法包括：在芯片焊接區、多個電極焊接區及多個引腳焊接區設置導電焊料；
23、在設置多個外出引腳之后，所述方法包括：
24、對所述導電焊料進行回流固化。
25、在一些實施例中，在設置至少兩個片狀電連接件之后，所述方法包括：
26、在設置所述第二芯片及第三芯片的片狀電連接件的第一連接部之上設置粘結膠；所述片狀電連接件包括橫向延伸并用于連接所述第一芯片的第一極或第三極的第一連接部，以及位于所述第一芯片側方并呈縱向延伸的第二連接部；所述粘結膠為絕緣膠或導電膠；
27、在設置第二芯片及設置第三芯片之后，所述方法包括：
28、固化粘結膠，所述第二芯片、第三芯片分別通過所述粘結膠固定于所述片狀電連接件之上。
29、在一些實施例中，在設置第二芯片和第三芯片之后，所述方法包括：
30、設置多條引線，多條所述引線中一部分用于連接所述第二芯片正面的電極與所述基板第一表面上的電路，多條所述引線中另一部分用于連接所述第三芯片正面的電極與所述基板第一表面上的電路。
31、在一些實施例中，在設置多條引線之后，所述方法包括：
32、形成塑封體；所述塑封體包覆設于所述基板第一表面一側的第一芯片、第二芯片、第三芯片、所述至少兩個片狀電連接件以及所述基板第一表面露出的部分。
33、本申請實施例所達到的主要技術效果是：
34、本申請實施例提供的半導體結構及其制造方法，通過將第二芯片設于用于第一芯片電氣引出的片狀電連接件之上，以與第一芯片層疊設置，在有限的封裝空間內，能夠排布更大的芯片尺寸，從而實現大電流大電壓功率芯片的有效封裝；同時由于封裝結構的優化，便于在有限的封裝空間內，封入更多的芯片和器件，從而實現更多的功能輸出。
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1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：
3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括多條引線，多條所述引線中一部分用于連接所述第二芯片正面的電極與所述基板第一表面上的電路，多條所述引線中另一部分用于連接所述第三芯片正面的電極與所述基板第一表面上的電路。
4.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第一表面設有位于所述芯片焊接區至少一側的多個引腳焊接區，多個所述引腳焊接區與所述電路連接；所述半導體結構還包括多個外出引腳；多個所述外出引腳分別焊接于多個所述引腳焊接區。
5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述芯片焊接區、多個電極焊接區、多個引腳焊接區以及第一芯片的第一極和第二極之上均設置有導電焊料，所述第一芯片通過所述導電焊料焊接于所述芯片焊接區，所述多個外出引腳分別通過導電焊料焊接于多個所述引腳焊接區，至少一個片狀電連接件通過導電焊料焊接于所述第一極和對應的電極焊接區，至少一個片狀電連接件通過導電焊料焊接于所述第二極和對應的電極
6.如權利要求2至5中任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括塑封體，所述塑封體包覆設于所述基板第一表面一側的第一芯片、第二芯片、第三芯片、所述至少兩個片狀電連接件以及所述基板第一表面露出的部分；和/或
7.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：
8.如權利要求7所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述半導體結構的制備方法還包括：
9.如權利要求8所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，在設置第二芯片之前，所述方法包括：
10.如權利要求9所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，在設置至少兩個片狀電連接件之后，所述方法包括：
11.如權利要求10所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，在設置第二芯片和第三芯片之后，所述方法包括：
12.如權利要求11中所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，在設置多條引線之后，所述方法包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：
3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括多條引線，多條所述引線中一部分用于連接所述第二芯片正面的電極與所述基板第一表面上的電路，多條所述引線中另一部分用于連接所述第三芯片正面的電極與所述基板第一表面上的電路。
4.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第一表面設有位于所述芯片焊接區至少一側的多個引腳焊接區，多個所述引腳焊接區與所述電路連接；所述半導體結構還包括多個外出引腳；多個所述外出引腳分別焊接于多個所述引腳焊接區。
5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述芯片焊接區、多個電極焊接區、多個引腳焊接區以及第一芯片的第一極和第二極之上均設置有導電焊料，所述第一芯片通過所述導電焊料焊接于所述芯片焊接區，所述多個外出引腳分別通過導電焊料焊接于多個所述引腳焊接區，至少一個片狀電連接件通過導電焊料焊接于所述第一極和對應的電...
【專利技術屬性】
技術研發人員：顧振宇，潘效飛，龔平，沈堂芹，
申請(專利權)人：無錫華潤安盛科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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