【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、常見的半導(dǎo)體封裝工藝中，例如電氣元件的封裝工藝可包含下述過程：首先在硅襯底上制備再布線層；之后將電氣元件貼裝在再布線層上，電氣元件的電極朝向再布線層；之后將電氣元件的電極與再布線層相連；之后形成包封再布線層及電氣元件的塑封層；最后采用研磨工藝去除硅襯底。
2、上述半導(dǎo)體封裝技術(shù)中硅襯底被消耗，無法重復(fù)利用，導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝工藝的成本較高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
2、本申請實施例的第一方面提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，所述制造方法包括：
3、形成支撐層，并形成貫穿所述支撐層的多個通孔；
4、在各所述通孔內(nèi)形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的相對兩個表面分別露出所述通孔；
5、在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件，所述電氣元件的電極與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接；
6、形成至少包封所述電氣元件的側(cè)面的塑封層；
7、在所述支撐層背離所述塑封層的一側(cè)形成第一跡線層，所述第一跡線層與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。
8、在一個實施例中，所述形成貫穿所述支撐層的多個通孔之前，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置金屬層；
9、所述在各所述通孔內(nèi)形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括：以所述金屬層作為陰極，采用電鍍工藝在所述通孔內(nèi)形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；
10、所述在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件
11、在一個實施例中，所述在所述支撐層背離所述塑封層的一側(cè)形成第一跡線層，包括：
12、對所述金屬層進行刻蝕，形成第一跡線層；
13、或者，
14、去除所述金屬層；
15、對所述支撐層及所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)背離所述支撐層的一側(cè)進行減薄處理；
16、在所述支撐層背離所述塑封層的一側(cè)制備第一跡線層。
17、在一個實施例中，所述形成支撐層，包括：在載板上形成支撐層；
18、所述在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件，所述電氣元件的電極與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接，包括：
19、去除所述載板，
20、利用所述支撐層提供支撐，在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件，采用回流焊工藝將所述電氣元件的電極與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)焊接；
21、或者，
22、在所述支撐層的一側(cè)形成與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接的第二跡線層；
23、去除所述載板，
24、利用所述支撐層提供支撐，在所述第二跡線層背離所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件，采用回流焊工藝將所述電氣元件的電極與所述第二跡線層焊接。
25、在一個實施例中，所述在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件，所述電氣元件的電極與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接之后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：
26、在所述電氣元件朝向所述支撐層的表面與和所述電氣元件相鄰且未接觸的膜層之間填充填充劑形成填充部。
27、在一個實施例中，所述形成支撐層后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：形成貫穿所述支撐層的對位孔，在所述對位孔內(nèi)形成對位結(jié)構(gòu)，所述對位結(jié)構(gòu)的相對兩個表面分別露出所述對位孔；
28、所述在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件，包括：根據(jù)所述對位結(jié)構(gòu)在所述支撐層的一側(cè)確定所述電氣元件的第一位置，并將所述電氣元件設(shè)置在所述第一位置；和/或，
29、所述在所述支撐層背離所述塑封層的一側(cè)形成第一跡線層，包括：根據(jù)所述對位結(jié)構(gòu)在所述支撐層背離所述塑封層的一側(cè)確定所述第一跡線層的第二位置，并在所述第二位置形成所述第一跡線層。
30、在一個實施例中，所述形成貫穿支撐層的對位孔的步驟與所述形成貫穿所述支撐層的多個通孔的步驟同步進行；和/或，
31、所述在所述對位孔內(nèi)形成對位結(jié)構(gòu)的步驟與所述在各所述通孔內(nèi)形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟同步進行。
32、在一個實施例中，所述支撐層的材料為塑封料。
33、在一個實施例中，所述電氣元件包括芯片、電感、電阻、電容中的至少一種。
34、本申請實施例的第二方面提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：
35、支撐層，設(shè)有貫穿所述支撐層的多個通孔；所述支撐層的材料為塑封料；
36、多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，各所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別位于所述通孔內(nèi)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的相對兩個表面分別露出所述通孔；
37、電氣元件，位于所述支撐層的一側(cè)，所述電氣元件的電極與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接；
38、塑封層，至少包封所述電氣元件的側(cè)面；
39、第一跡線層，位于所述支撐層背離所述塑封層的一側(cè)，所述第一跡線層與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。
40、本申請實施例所達到的主要技術(shù)效果是：
41、本申請實施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，通過形成支撐層，支撐層可為后續(xù)設(shè)置電氣元件提供支撐，以及作為形成第一跡線層的載體，并且支撐層無需去除，第一跡線層通過支撐層的通孔內(nèi)設(shè)置的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與電氣元件的電極電連接；相對于先在硅襯底上形成再布線層，之后在再布線層上貼裝電氣元件最后將硅襯底研磨去除的方案來說，無需犧牲硅襯底，有助于降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造成本，簡化制造工藝。
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1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成貫穿所述支撐層的多個通孔之前，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置金屬層；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述在所述支撐層背離所述塑封層的一側(cè)形成第一跡線層，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成支撐層，包括：在載板上形成支撐層；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件，所述電氣元件的電極與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接之后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成支撐層后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：形成貫穿所述支撐層的對位孔，在所述對位孔內(nèi)形成對位結(jié)構(gòu)，所述對位結(jié)構(gòu)的相對兩個表面分別露出所述對位孔；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成貫穿支撐層的對位孔的步驟與所述
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述支撐層的材料為塑封料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述電氣元件包括芯片、電感、電阻、電容中的至少一種。
10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成貫穿所述支撐層的多個通孔之前，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置金屬層；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述在所述支撐層背離所述塑封層的一側(cè)形成第一跡線層，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述形成支撐層，包括：在載板上形成支撐層；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述在所述支撐層的一側(cè)設(shè)置電氣元件，所述電氣元件的電極與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接之后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周文武，霍炎，
申請(專利權(quán))人：矽磐微電子重慶有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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