【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于介質材料帶電防護，涉及抑制局域帶電，具體涉及一種抑制介質材料表層局域帶電的方法。
技術介紹
1、航天器在軌運行期間，在空間等離子體的作用下介質材料表層會發生局域帶電或不等量帶電，導致同一材料不同位置以及材料之間形成電勢差，從而引起靜電放電。空間環境中大量的高能電子穿過屏蔽層后，沉積在航天器內部介質材料表層，也會產生局域帶電進而引起靜電放電。靜電放電會嚴重影響航天器在軌安全穩定運行。此外，高功率微波源的介質窗由二次電子倍增效應引起的表層局域帶電也會導致表面放電，進而損壞介質窗。
2、目前主要通過在介質材料表面制備導電涂層的方法抑制介質材料表層局域帶電或不等量帶電。常用的導電涂層的種類主要有氧化銦錫(ito)、氮化鈦(tin)和滲碳聚酰亞胺薄膜等。雖然這些涂層具有導電特性，能夠泄放沉積在介質材料表層的電荷，但是在面向微波應用環境時，這些涂層存在插入損耗過大的不足。
技術實現思路
1、針對現有技術存在的不足，本專利技術的目的在于，提供一種抑制介質材料表層局域帶電的方法，以解決現有技術中的介質材料在抑制表層局域帶電過程中，面向微波應用環境時的插入損耗有待進一步降低的技術問題。
2、為了解決上述技術問題，本專利技術采用如下技術方案予以實現：
3、一種抑制介質材料表層局域帶電的方法，該方法包括介質材料，該方法是在介質材料表面引入一層納米級厚度的半導體材料薄膜。
4、所述的半導體材料薄膜是由一種或一種以上的半導體材料薄膜的原料制備而成
5、所述的半導體材料薄膜的原料是并五苯、8-羥基喹啉鋁、酞菁銅或富勒烯。
6、所述的富勒烯是c60或c70。
7、本專利技術還具有如下技術特征：
8、優選的，所述的納米級厚度為10～40nm。
9、優選的，所述的半導體材料薄膜是采用真空蒸鍍技術將粉末狀的一種或一種以上的半導體材料薄膜的原料蒸鍍到介質材料表面成膜。
10、具體的，該方法包括以下步驟：
11、步驟一，將介質材料放置到真空蒸鍍系統中，抽真空。
12、步驟二，用擋板遮擋介質材料，分別同時打開一種或一種以上的半導體材料薄膜的原料的束源擋板，分別同時給一種或一種以上的半導體材料薄膜的原料的束源通電流，并將束源加熱。
13、步驟三，打開遮擋介質材料的擋板，在介質材料表面蒸鍍半導體材料薄膜。
14、步驟四，蒸鍍結束后，分別同時斷開一種或一種以上的半導體材料薄膜的原料的束源電流，待溫度降至室溫后，取出表面蒸鍍半導體材料薄膜的介質材料，即制得表面蒸鍍半導體材料薄膜的介質材料。
15、優選的，步驟一中，抽真空抽至真空蒸鍍系統內的壓力小于等于4×10-4pa。
16、優選的，所述的半導體材料薄膜的原料的純度均大于等于95wt.％。
17、優選的，所述的介質材料是聚酰亞胺、聚四氟乙烯、氧化鋁陶瓷或玻璃。
18、本專利技術與現有技術相比，具有如下技術效果：
19、(ⅰ)本專利技術提出的方法成本低，在抑制了介質材料表層局域帶電的同時插入損耗較小，在介質材料帶電防護
具有廣泛的應用前景。
20、(ⅱ)本專利技術從材料角度出發，通過在介質材料表面引入一層納米級厚度的半導體材料薄膜，利用半導體材料薄膜極其微弱的導電特性泄放沉積的電荷，抑制了介質材料表層局域帶電。
21、(ⅲ)本專利技術通過真空蒸鍍技術在介質材料表面制備半導體材料薄膜，有效抑制了介質材料表層局域帶電。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種抑制介質材料表層局域帶電的方法，該方法包括介質材料，其特征在于，該方法是在介質材料表面引入一層納米級厚度的半導體材料薄膜；
2.如權利要求1所述的抑制介質材料表層局域帶電的方法，其特征在于，所述的納米級厚度為10～40nm。
3.如權利要求1所述的抑制介質材料表層局域帶電的方法，其特征在于，所述的半導體材料薄膜是采用真空蒸鍍技術將粉末狀的一種或一種以上的半導體材料薄膜的原料蒸鍍到介質材料表面成膜。
4.如權利要求3所述的抑制介質材料表層局域帶電的方法，其特征在于，該方法具體包括以下步驟：
5.如權利要求4所述的抑制介質材料表層局域帶電的方法，其特征在于，步驟一中，抽真空抽至真空蒸鍍系統內的壓力小于等于4×10-4Pa。
6.如權利要求1所述的抑制介質材料表層局域帶電的方法，其特征在于，所述的半導體材料薄膜的原料的純度均大于等于95wt.％。
7.如權利要求1所述的抑制介質材料表層局域帶電的方法，其特征在于，所述的介質材料是聚酰亞胺、聚四氟乙烯、氧化鋁陶瓷或玻璃。
【技術特征摘要】
1.一種抑制介質材料表層局域帶電的方法，該方法包括介質材料，其特征在于，該方法是在介質材料表面引入一層納米級厚度的半導體材料薄膜；
2.如權利要求1所述的抑制介質材料表層局域帶電的方法，其特征在于，所述的納米級厚度為10～40nm。
3.如權利要求1所述的抑制介質材料表層局域帶電的方法，其特征在于，所述的半導體材料薄膜是采用真空蒸鍍技術將粉末狀的一種或一種以上的半導體材料薄膜的原料蒸鍍到介質材料表面成膜。
4.如權利要求3所述的抑制介質材...
【專利技術屬性】
技術研發人員：何鋆，魏煥，楊福慶，楊晶，張娜，胡天存，崔萬照，
申請(專利權)人：西安空間無線電技術研究所，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。