【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，特別是涉及半導體器件及半導體器件的制程方法。
技術介紹
1、現有技術中，在半導體結構的制作工藝中，例如在平面mos結構中，電容通常為平面結構moscap(金屬-氧化物-半導體電容器)或varactor(可變電容器)，而moscap和varactor通常會占用較大面積的aa(主動區(qū)域，activearea)結構的區(qū)域。
2、現有技術的缺陷在于，由于moscap和varactor通常會占用較大面積的aa結構的區(qū)域，使得電容需要在半導體結構中占據不少面積，從而容易使得半導體結構需要占用更多空間，進而容易增大半導體結構的成本或造成其它負面影響，綜上，現有的半導體結構中的電容體積較大。
技術實現思路
1、本申請主要解決的技術問題是如何減小半導體結構中的電容體積。
2、為了解決上述技術問題，本申請采用的第一個技術方案是：一種半導體器件，包括：襯底；至少一個第一金屬柵結構，第一金屬柵結構設置在襯底上，第一金屬柵結構為類pmos金屬柵結構或類nmos金屬柵結構；金屬結構，金屬結構設置在襯底上；第一金屬柵結構與金屬結構貼合設置，第一金屬柵結構的絕緣層被夾設于第一金屬柵結構的金屬柵極和金屬結構之間；第一金屬柵結構的金屬柵極和金屬結構作為一對相對極板構成電容。
3、其中，金屬結構為第二金屬柵結構；第一金屬柵結構的絕緣層和第二金屬柵結構的絕緣層，均被夾設于第一金屬柵結構的金屬柵極和第二金屬柵結構的金屬柵極之間；第一金屬柵結構的金屬柵極和第二金屬柵結構的
4、其中，第一金屬柵結構為類pmos金屬柵結構，第二金屬柵結構為類nmos金屬柵結構，或者，第一金屬柵結構為類nmos金屬柵結構，第二金屬柵結構為類pmos金屬柵結構。
5、其中，襯底為半導體基板中的主動區(qū)域的部分，或者，襯底為淺溝槽隔結構的頂部。
6、其中，絕緣層為高k介質層，高k介質層設置在金屬柵極的底部與襯底之間，并覆蓋金屬柵極的側壁。
7、其中，第一金屬柵結構還具有間隔層，間隔層位于絕緣層與襯底之間，并覆蓋金屬柵極的側壁上的絕緣層。
8、其中，各第一金屬柵結構分別通過相應的接觸窗金屬引出，并連接至第一互連件；金屬結構通過相應的接觸窗金屬引出，并連接至第二互連件；第一互連件作為電容的一極板，第二互連件作為電容的另一極板，構成電容。
9、其中，半導體器件還包括：柵極側墻，柵極側墻設置在襯底上，柵極側墻在襯底上圍設出電容區(qū)域，第一金屬柵結構和金屬結構均位于電容區(qū)域內。
10、為了解決上述技術問題，本申請采用的第二個技術方案是：一種半導體器件的制程方法，包括：提供襯底，在襯底上形成柵極側墻圍設出的電容區(qū)域；在電容區(qū)域中形成多晶硅層；對多晶硅層進行蝕刻處理，以形成至少一個第一容置腔；在第一容置腔中形成第一金屬柵結構；其中，第一金屬柵結構為類pmos金屬柵結構或類nmos金屬柵結構；對電容區(qū)域中剩余的至少鄰接第一金屬柵結構的多晶硅層進行蝕刻處理，以形成第二容置腔；在第二容置腔中形成金屬結構，以使得第一金屬柵結構與金屬結構貼合設置，第一金屬柵結構的絕緣層被夾設于第一金屬柵結構的金屬柵極和金屬結構之間；其中，第一金屬柵結構的金屬柵極和金屬結構作為一對相對極板構成電容。
11、其中，對電容區(qū)域中剩余的至少鄰接第一金屬柵結構的多晶硅層進行蝕刻處理，以形成第二容置腔，包括：對電容區(qū)域中剩余的全部多晶硅層進行蝕刻處理，以形成第二容置腔。
12、其中，在第一容置腔中形成第一金屬柵結構，包括：在相應晶體管制程中的金屬柵結構的形成過程中，同步在第一容置腔中形成第一金屬柵結構。
13、其中，在第二容置腔中形成金屬結構，包括：在第二容置腔中形成第二金屬柵結構，以使得第一金屬柵結構的絕緣層和第二金屬柵結構的絕緣層，均被夾設于第一金屬柵結構的金屬柵極和第二金屬柵結構的金屬柵極之間；第一金屬柵結構的金屬柵極和第二金屬柵結構的金屬柵極作為一對相對極板構成電容。
14、其中，在第二容置腔中形成第二金屬柵結構，包括：在相應晶體管制程中的金屬柵結構的形成過程中，同步在第二容置腔中形成第二金屬柵結構。
15、其中，在第一容置腔中形成第一金屬柵結構，包括：在相應第一晶體管制程中的金屬柵結構的形成過程中，同步在第一容置腔中形成第一金屬柵結構；在第二容置腔中形成第二金屬柵結構，包括：在相應第二晶體管制程中的金屬柵結構的形成過程中，同步在第二容置腔中形成第二金屬柵結構；第一晶體管制程和第二晶體管制程所分別制備的晶體管的金屬柵機構中，金屬柵極的材質不同。
16、區(qū)別于現有技術，本申請的技術方案中，在襯底上分別形成至少一個第一金屬柵結構和金屬結構，第一金屬柵結構為類pmos金屬柵結構或類nmos金屬柵結構，且金屬結構與第一金屬柵結構貼合設置，使得第一金屬柵結構上的絕緣層被夾設于第一金屬柵結構的金屬柵極和金屬結構之間，以第一金屬柵結構的金屬柵極和金屬結構作為一堆相對極板，形成電容。基于上述方式，由于金屬柵結構中的絕緣層通常較薄且具有高介電常數的特性，因此，通過使得第一金屬柵結構與金屬結構貼合設置以使得絕緣層被夾設在金屬柵極和金屬結構這兩個金屬結構之間，能夠使得絕緣層以較小體積具備較強的存儲電荷的能力，進而使得由金屬柵極和金屬結構作為相對極板，夾設絕緣層所形成的電容在具備較高電容值的同時整體較小，減小了半導體結構中的電容體積。
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1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬結構為第二金屬柵結構；
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬柵結構為類PMOS金屬柵結構，所述第二金屬柵結構為類NMOS金屬柵結構，
4.根據權利要求1至3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述襯底為半導體基板中的主動區(qū)域的部分，或者，所述襯底為淺溝槽隔結構的頂部。
5.根據權利要求1至3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣層為高K介質層，所述高K介質層設置在所述金屬柵極的底部與所述襯底之間，并覆蓋所述金屬柵極的側壁。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬柵結構還具有間隔層，所述間隔層位于所述絕緣層與所述襯底之間，并覆蓋所述金屬柵極的側壁上的所述絕緣層。
7.根據權利要求1至3任一項所述的半導體器件，其特征在于，各所述第一金屬柵結構分別通過相應的接觸窗金屬引出，并連接至第一互連件；
8.根據權利要求1至3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半
9.一種半導體器件的制程方法，其特征在于，包括：
10.根據權利要求9所述的制程方法，其特征在于，所述對所述電容區(qū)域中剩余的至少鄰接所述第一金屬柵結構的多晶硅層進行蝕刻處理，以形成第二容置腔，包括：
11.根據權利要求9或10所述的制程方法，其特征在于，所述在所述第一容置腔中形成第一金屬柵結構，包括：
12.根據權利要求9或10所述的制程方法，其特征在于，所述在所述第二容置腔中形成金屬結構，包括：
13.根據權利要求12所述的制程方法，其特征在于，所述在所述第二容置腔中形成第二金屬柵結構，包括：
14.根據權利要求12所述的制程方法，其特征在于，所述在所述第一容置腔中形成第一金屬柵結構，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬結構為第二金屬柵結構；
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬柵結構為類pmos金屬柵結構，所述第二金屬柵結構為類nmos金屬柵結構，
4.根據權利要求1至3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述襯底為半導體基板中的主動區(qū)域的部分，或者，所述襯底為淺溝槽隔結構的頂部。
5.根據權利要求1至3任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣層為高k介質層，所述高k介質層設置在所述金屬柵極的底部與所述襯底之間，并覆蓋所述金屬柵極的側壁。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一金屬柵結構還具有間隔層，所述間隔層位于所述絕緣層與所述襯底之間，并覆蓋所述金屬柵極的側壁上的所述絕緣層。
7.根據權利要求1至3任一項所述的半導體器件，其特征在...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：耿武千，薛廣杰，王敏，石博，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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