【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體制造工藝的領域，尤其是涉及一種校準組件以及包括該校準組件的半導體制程裝置。
技術介紹
1、半導體制程中，往往需要進行晶圓邊緣切割工藝，以去除晶圓邊緣的不良缺陷或瑕疵，使其邊緣更加平整和規則，從而提高晶圓的一致性和穩定性，便于后續的加工和封裝。
2、目前晶圓邊緣切割工藝是通過ccd(charge?coupled?device，電荷耦合器件)設備量測晶圓的直徑同時判斷晶圓的位置，從而調整切割器具的進刀位移。但這種定位方法不僅計算晶圓直徑的誤差較大，而且無法限定晶圓的具體放置位置，也即不能保證每次晶圓進行邊緣切割的區域是相同的。當需要分步進行多次晶圓切割時，則會導致晶圓切邊的寬度不均勻，從而影響晶圓的制成效果。
技術實現思路
1、本申請提供一種校準組件及半導體制程裝置，其中校準組件可快速定位晶圓每次進行邊緣切割時的放置位置，提高晶圓的制成效果。
2、為解決上述技術問題，本申請第一方面提供一種校準組件，用于校準調整半導體制程裝置中待加工晶圓放置于加工平臺的位置，包括：發射裝置，用于發射校準光束，所述校準光束用于限定所述加工平臺的預設晶圓位置；接收裝置，用于接收所述校準光束，并檢測所述校準光束被接收時的能量，以得到所述校準光束的實際能量損耗，將所述校準光束的所述實際能量損耗與預設能量損耗相比較，通過調整所述待加工晶圓在所述加工平臺的位置，使得所述校準光束的所述實際能量損耗小于所述預設能量損耗，從而校準所述待加工晶圓位于所述加工平臺的預設晶圓位置的范圍內
3、一些實施例中，所述校準組件還包括：至少2個反射裝置，用于改變所述校準光束的路徑，使得所述校準光束形成封閉圖形，所述封閉圖形限定出所述加工平臺的預設晶圓位置。
4、一些實施例中，所述校準光束形成的所述封閉圖形的內切圓為所述加工平臺的預設晶圓位置。
5、一些實施例中，所述校準光束形成的所述封閉圖形的所述內切圓的直徑為所述待加工晶圓直徑的最大值。
6、一些實施例中，所述校準光束形成的所述封閉圖形的所述內切圓的直徑為299.95mm-300.04mm。
7、一些實施例中，所述校準光束的所述預設能量損耗為0.3％-0.8％。
8、一些實施例中，所述反射裝置為鏡子，所述校準組件包括2個所述鏡子，所述校準光束通過所述鏡子反射后形成的圖形為三角形。
9、一些實施例中，所述校準光束通過所述鏡子反射的入射光和反射光與所述鏡子形成的夾角均為60°，所述校準光束通過所述鏡子反射后形成的圖形為等邊三角形。
10、一些實施例中，所述加工平臺的預設晶圓位置的中心與所述加工平臺的中心重合。
11、為解決上述技術問題，本申請第二方面還提供一種半導體制程裝置，包括如上所述的任一種校準組件。
12、本申請提供了一種校準組件，用于校準調整半導體制程裝置中待加工晶圓放置于加工平臺的位置，包括：發射裝置，用于發射校準光束，所述校準光束用于限定所述加工平臺的預設晶圓位置；接收裝置，用于接收所述校準光束，并檢測所述校準光束被接收時的能量，以得到所述校準光束的實際能量損耗，將所述校準光束的所述實際能量損耗與預設能量損耗相比較，通過調整所述待加工晶圓在所述加工平臺的位置，使得所述校準光束的所述實際能量損耗小于所述預設能量損耗，從而校準所述待加工晶圓位于所述加工平臺的預設晶圓位置的范圍內。由此可快速定位晶圓每次進行邊緣切割時的放置位置相同，提高晶圓的制成效果，同時提高工廠的工作效率。
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1.一種校準組件，用于校準調整半導體制程裝置中待加工晶圓放置于加工平臺的位置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的校準組件，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求2所述的校準組件，其特征在于，所述校準光束形成的所述封閉圖形的內切圓為所述加工平臺的預設晶圓位置。
4.根據權利要求3所述的校準組件，其特征在于，所述校準光束形成的所述封閉圖形的所述內切圓的直徑為所述待加工晶圓直徑的最大值。
5.根據權利要求4所述的校準組件，其特征在于，所述校準光束形成的所述封閉圖形的所述內切圓的直徑為299.95mm-300.04mm。
6.根據權利要求1所述的校準組件，其特征在于，所述校準光束的所述預設能量損耗為0.3％-0.8％。
7.根據權利要求2所述的校準組件，其特征在于，所述反射裝置為鏡子，所述校準組件包括2個所述鏡子，所述校準光束通過所述鏡子反射后形成的圖形為三角形。
8.根據權利要求7所述的校準組件，其特征在于，所述校準光束通過所述鏡子反射的入射光和反射光與所述鏡子形成的夾角均為60°，所述校準光
9.根據權利要求1所述的校準組件，其特征在于，所述加工平臺的預設晶圓位置的中心與所述加工平臺的中心重合。
10.一種半導體制程裝置，其特征在于，包括如權利要求1-9中任一項所述的校準組件。
...【技術特征摘要】
1.一種校準組件，用于校準調整半導體制程裝置中待加工晶圓放置于加工平臺的位置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的校準組件，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求2所述的校準組件，其特征在于，所述校準光束形成的所述封閉圖形的內切圓為所述加工平臺的預設晶圓位置。
4.根據權利要求3所述的校準組件，其特征在于，所述校準光束形成的所述封閉圖形的所述內切圓的直徑為所述待加工晶圓直徑的最大值。
5.根據權利要求4所述的校準組件，其特征在于，所述校準光束形成的所述封閉圖形的所述內切圓的直徑為299.95mm-300.04mm。
6.根據權利要求1所述的校準組件，其...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王聰，劉琦，曹靜，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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