【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光伏，尤其涉及一種太陽電池的制備方法以及太陽電池。
技術介紹
1、背接觸太陽電池指的是將正極和負極均設置于背面的太陽電池。背接觸電池概念于1975年提出后，經過不斷的研發和技術改進現已成為太陽能光伏行業公認的具有高轉換效率的技術路線之一。其外觀正面不僅無柵線遮擋可以最大化受光面積而且顏值更高，且此結構可作為一種平臺型技術與多種電池路線相結合凸顯背接觸類電池的獨特性。
2、傳統的背接觸太陽電池的制備過程中通常都需要采用圖形化處理的方式以形成隔離槽，隔離槽位于摻雜類型不同的兩個區域之間，以避免由于短接而導致的載流子大量復合的問題。該過程仍然存在制備工藝復雜程度較高的問題，并且隔離槽的存在也影響了摻雜層所能夠占據的面積，導致太陽電池導出的載流子數量降低。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對上述
技術介紹
中的問題，提供一種太陽電池的制備方法，該制備方法能夠使得太陽電池的制備工藝得到簡化，且有利于增加太陽電池所能導出的載流子數量。
2、根據本公開的一些實施例，提供了一種太陽電池的制備方法，其包括如下步驟：
3、提供半導體襯底；
4、在所述半導體襯底的背面形成第一鈍化結構，所述第一鈍化結構包括依次層疊設置的第一隧穿層和第一本征硅層；
5、對所述第一鈍化結構進行圖形化處理，形成露出所述半導體襯底的凹槽；
6、在從所述凹槽露出的所述半導體襯底上形成第二鈍化結構，所述第二鈍化結構包括依次層疊設置的第二隧穿層和第二摻
7、在所述第一本征硅層上形成摻雜源漿料，并通過激光照射所述第一本征硅層以進行摻雜，形成具有摻雜區域和非摻雜區域的第一摻雜硅層，所述非摻雜區域設置于所述摻雜區域的兩側，所述摻雜區域與所述第二摻雜硅層之間以所述非摻雜區域相間隔。
8、在本公開的一些實施例中，對所述第一鈍化結構進行圖形化處理的步驟包括：
9、在所述第一鈍化結構表面形成保護層；
10、采用激光刻蝕的方式對所述保護層進行圖形化處理；以及，
11、采用含有堿的第一刻蝕液去除從所述保護層中露出的所述第一鈍化結構，形成所述凹槽。
12、在本公開的一些實施例中，形成第二鈍化結構的步驟包括：
13、將所述半導體襯底置于化學氣相沉積設備的沉積腔室中，在所述半導體襯底的背面依次沉積第二隧穿層和第二本征硅層，所述第二隧穿層延伸沉積于所述第一本征硅層的側壁和頂壁上；
14、將所述半導體襯底置于擴散腔室中，向所述擴散腔室中通入含有摻雜源的反應氣體，在所述第二本征硅層的表面沉積摻雜前體材料；以及，
15、退火處理以使得所述摻雜前體材料中的摻雜元素擴散入所述第二本征硅層中，形成所述第二摻雜硅層和位于所述第二摻雜硅層上的摻雜氧化層。
16、在本公開的一些實施例中，所述第二鈍化結構和所述摻雜氧化層還延伸形成于所述保護層上；在所述第一本征硅層上形成摻雜源漿料之前，還包括如下步驟：
17、采用激光刻蝕的方式選擇性去除位于所述保護層上的摻雜氧化層；
18、采用含有堿的第二刻蝕液選擇性去除位于所述保護層上的第二鈍化結構；以及，
19、對所述半導體襯底的正面進行制絨處理。
20、在本公開的一些實施例中，形成所述第一鈍化結構的步驟包括：
21、將所述半導體襯底置于化學氣相沉積設備的沉積腔室中，在所述半導體襯底的背面依次沉積第一隧穿層和第一本征硅層。
22、在本公開的一些實施例中，所述半導體襯底的摻雜類型與所述第二摻雜硅層的摻雜類型相同，且所述半導體襯底的摻雜類型與所述第一摻雜硅層的摻雜類型不同。
23、在本公開的一些實施例中，所述摻雜源漿料包括含硼化合物，所述摻雜源漿料的固含量為20%~55%；和/或，
24、所述摻雜源漿料的粘度為20pa·s~50pa·s。
25、在本公開的一些實施例中，在形成摻雜源漿料的步驟中，所述摻雜源漿料所處區域與所述第一本征硅層的邊緣間隔設置；和/或，
26、所述摻雜源漿料所處區域的線寬為400μm~500μm。
27、在本公開的一些實施例中，在通過激光照射所述第一本征硅層以進行摻雜的步驟中，所用激光的功率為30w~60w，所用激光的掃描寬度為300μm~600μm。
28、進一步地，本公開還提供了一種太陽電池，所述太陽電池包括半導體襯底、第一隧穿層、第二隧穿層、第一摻雜硅層和第二摻雜硅層；
29、所述第一隧穿層和所述第一摻雜硅層依次層疊設置于半導體襯底的背面，所述第二隧穿層和所述第二摻雜硅層依次層疊設置于半導體襯底的背面；所述第一摻雜硅層包括摻雜區域和非摻雜區域，所述非摻雜區域設置于所述摻雜區域的兩側，所述摻雜區域與所述第二摻雜硅層之間以所述非摻雜區域相間隔。
30、在本公開的太陽電池的制備方法中，先形成圖形化的第一鈍化結構，而后在從凹槽露出的半導體襯底上形成第二鈍化結構，再于第一本征硅層上形成摻雜源漿料，通過激光照射的方式形成第一摻雜硅層。第二鈍化結構中的第二隧穿層能夠用于間隔第一本征硅層和第二摻雜硅層，并且激光照射具有很強的定域性，在對第一本征硅層進行摻雜時，摻雜元素難以或不會橫向擴散至第二摻雜硅層中，從而能夠使得第一摻雜硅層具有摻雜區域和非摻雜區域，摻雜區域與所述第二摻雜硅層之間以所述非摻雜區域相間隔。該制備方法能夠保證第一摻雜硅層與第二摻雜硅層之間的絕緣間隔，避免載流子的大量復合，因此無需額外制備隔離槽，能夠使得太陽電池的制備工藝得到簡化。此外，由于該制備方法無需額外制備隔離槽，半導體襯底背面上可供第一摻雜硅層和第二摻雜硅層占據的區域增大，還有利于增加該太陽電池所能導出的載流子數量。
31、上述說明僅是本專利技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本專利技術的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本專利技術的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，對所述第一鈍化結構進行圖形化處理的步驟包括：
3.根據權利要求2所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，形成第二鈍化結構的步驟包括：
4.根據權利要求3所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述第二鈍化結構和所述摻雜氧化層還延伸形成于所述保護層上；在所述第一本征硅層上形成摻雜源漿料之前，還包括如下步驟：
5.根據權利要求1~4任意一項所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，形成所述第一鈍化結構的步驟包括：
6.根據權利要求1~4任意一項所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述半導體襯底的摻雜類型與所述第二摻雜硅層的摻雜類型相同，且所述半導體襯底的摻雜類型與所述第一摻雜硅層的摻雜類型不同。
7.根據權利要求6所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述摻雜源漿料包括含硼化合物，所述摻雜源漿料的固含量為20%~55%；和/或，
8.根據權利要求1~4及7任意一項所述的太陽電池的制備方法，其特征在
9.根據權利要求1~4及7任意一項所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，在通過激光照射所述第一本征硅層以進行摻雜的步驟中，所用激光的功率為30W~60W，所用激光的掃描寬度為300μm~600μm。
10.一種太陽電池，其特征在于，所述太陽電池包括半導體襯底、第一隧穿層、第二隧穿層、第一摻雜硅層和第二摻雜硅層；
...【技術特征摘要】
1.一種太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，對所述第一鈍化結構進行圖形化處理的步驟包括：
3.根據權利要求2所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，形成第二鈍化結構的步驟包括：
4.根據權利要求3所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述第二鈍化結構和所述摻雜氧化層還延伸形成于所述保護層上；在所述第一本征硅層上形成摻雜源漿料之前，還包括如下步驟：
5.根據權利要求1~4任意一項所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，形成所述第一鈍化結構的步驟包括：
6.根據權利要求1~4任意一項所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述半導體襯底的摻雜類型與所述第二摻雜硅層的摻雜類型相同，且所述半導...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張鵬，歐文凱，張東威，張麟，
申請(專利權)人：江門普樂開瑞太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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