【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及聲表面波，尤其涉及一種聲表面波器件結(jié)構(gòu)及裝置。
技術(shù)介紹
1、聲表面波(surface?acoustic?wave,saw)器件的基本結(jié)構(gòu)是在壓電基片材料上制作聲電換能器，具有小體積、大帶寬、低插損、低成本、大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在移動(dòng)通信設(shè)備中。隨著通信協(xié)議的發(fā)展，對濾波器，雙工器等射頻器件的要求越來越高，聲電換能器的優(yōu)化設(shè)計(jì)對于獲得高性能的saw器件來說尤為重要。
2、近些年，聲表面波器件因其出色的品質(zhì)因子(q值)、低溫漂系數(shù)、大帶寬、高功率等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。然而，現(xiàn)有的聲表面波器件使用過程中會被激發(fā)而產(chǎn)生不必要的橫向模態(tài)雜散(或橫向諧振模、橫模等)，這些橫模產(chǎn)生的雜散響應(yīng)會引起通帶內(nèi)波動(dòng)，會增加聲表面波裝置的能量損耗，使聲表面波器件q值降低，影響性能。
3、因此，如何提供一種具有橫向模態(tài)抑制效果的聲表面波器件結(jié)構(gòu)及裝置，能夠抑制橫模對聲表面波裝置性能的影響，提高q值，已成為本領(lǐng)域人員亟需解決的技術(shù)問題之一。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。
2、為此，本申請的第一個(gè)目的在于提出一種橫向模態(tài)抑制效果的聲表面波裝置，能夠抑制橫模對器件性能的影響，減小橫模對器件的q值的影響，提高器件性能，降低生產(chǎn)難度。
3、為達(dá)上述目的，本申請第一方面實(shí)施例提出了一種聲表面波器件結(jié)構(gòu)，包括：
4、襯底；
5、idt電極，包括位于所述襯底上相對設(shè)置的兩個(gè)叉指電極；每個(gè)所
6、其中，每個(gè)所述電極指上還設(shè)有至少一個(gè)沿所述第二方向延伸的凹槽，且所述凹槽在第三方向上的豎直投影位于所述電極指的豎直投影面內(nèi)；所述第二方向與所述第一方向正交，所述第三方向與所述第一方向和所述第二方向的正交平面垂直。
7、可選地，所述電極指包括在所述第三方向上相對的第一表面和第二表面，所述第二表面與所述襯底相接觸，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸預(yù)設(shè)深度。
8、可選地，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸的預(yù)設(shè)深度不大于所述電極指的厚度。
9、可選地，不同所述電極指上對應(yīng)設(shè)置的所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸的預(yù)設(shè)深度不盡相同。
10、可選地，所述凹槽沿所述第二方向延伸，直至與所述電極指沿所述第二方向延伸的末端之間保持預(yù)設(shè)間距。
11、可選地，所述電極指上設(shè)有多個(gè)凹槽時(shí)，多個(gè)所述凹槽沿所述第二方向依次間隔設(shè)置。
12、可選地，每個(gè)所述電極指沿所述第二方向的中軸線與對應(yīng)設(shè)置的所述凹槽沿所述第二方向的中軸線相互重疊。
13、可選地，每個(gè)所述叉指電極還包括多個(gè)假指，所述假指自所述匯流條的一側(cè)沿第二方向所述延伸，并在所述第一方向與所述電極指之間依次交替間隔設(shè)置，且在所述第二方向上，每個(gè)所述假指的末端與一個(gè)所述電極指的末端相互間隔且一一對應(yīng)。
14、可選地，所述聲表面波器件結(jié)構(gòu)還包括反射柵電極，所述反射柵電極形成于所述襯底上，并沿所述第一方向間隔形成于所述idt電極的兩側(cè)。
15、可選地，每個(gè)所述反射柵電極包括多個(gè)沿第二方向延伸的連接指條，每個(gè)所述連接指條上設(shè)有至少一個(gè)沿所述第二方向延伸的第一凹槽，且所述第一凹槽在第三方向上的豎直投影位于對應(yīng)所述連接指條的豎直投影面內(nèi)。
16、為達(dá)上述目的，本申請第二方面實(shí)施例提出了一種聲表面波裝置，所述聲表面波裝置包括上述任意一項(xiàng)所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)。
17、本申請?zhí)峁┑穆暠砻娌ㄆ骷Y(jié)構(gòu)及裝置至少包括如下有益效果：
18、本申請?zhí)峁┝艘环N聲表面波器件結(jié)構(gòu)及裝置，包括襯底和idt電極，idt電極形成于襯底上，包括相對設(shè)置的兩個(gè)叉指電極，每個(gè)叉指電極均包括一個(gè)匯流條和多個(gè)電極，不同叉指電極的電極指之間交錯(cuò)間隔排列。本申請通過在電極指上形成至少一個(gè)凹槽，且凹槽的豎直投影位于電極指的豎直投影面內(nèi)，使得idt電極激發(fā)形成的聲表面波能夠受到凹槽的影響而在電極指范圍內(nèi)形成多個(gè)不同的聲速區(qū)，且聲表面波在電極指靠近端部位置的傳播速度小于電極指的凹槽對應(yīng)位置的傳播速度，在效果上就相當(dāng)于在電極指的指條末端增加抑制負(fù)載，不僅能夠起到抑制橫向模態(tài)的效果，提高聲表面波器件q值，還大大降低了聲表面波器件結(jié)構(gòu)的加工工藝要求，降低了工藝成本。
19、本申請附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本申請的實(shí)踐了解到。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極指包括在所述第三方向上相對的第一表面和第二表面，所述第二表面與所述襯底相接觸，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸預(yù)設(shè)深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸的預(yù)設(shè)深度不大于所述電極指的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，不同所述電極指上對應(yīng)設(shè)置的所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸的預(yù)設(shè)深度不盡相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽沿所述第二方向延伸，直至與所述電極指沿所述第二方向延伸的末端之間保持預(yù)設(shè)間距。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極指上設(shè)有多個(gè)凹槽時(shí)，多個(gè)所述凹槽沿所述第二方向依次間隔設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述電極指沿所述第二方向的中軸線與對應(yīng)設(shè)置的所述凹槽沿所述第二方向的中
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述叉指電極還包括多個(gè)假指，所述假指自所述匯流條的一側(cè)沿第二方向所述延伸，并在所述第一方向與所述電極指之間依次交替間隔設(shè)置，且在所述第二方向上，每個(gè)所述假指的末端與一個(gè)所述電極指的末端相互間隔且一一對應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述聲表面波器件結(jié)構(gòu)還包括反射柵電極，所述反射柵電極形成于所述襯底上，并沿所述第一方向間隔形成于所述IDT電極的兩側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述反射柵電極包括多個(gè)沿第二方向延伸的連接指條，每個(gè)所述連接指條上設(shè)有至少一個(gè)沿所述第二方向延伸的第一凹槽，且所述第一凹槽在第三方向上的豎直投影位于對應(yīng)所述連接指條的豎直投影面內(nèi)。
11.一種聲表面波裝置，其特征在于，所述聲表面波裝置包括權(quán)利要求1～10任意一項(xiàng)所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極指包括在所述第三方向上相對的第一表面和第二表面，所述第二表面與所述襯底相接觸，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸預(yù)設(shè)深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸的預(yù)設(shè)深度不大于所述電極指的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，不同所述電極指上對應(yīng)設(shè)置的所述凹槽自所述第一表面向所述第二表面的一側(cè)延伸的預(yù)設(shè)深度不盡相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽沿所述第二方向延伸，直至與所述電極指沿所述第二方向延伸的末端之間保持預(yù)設(shè)間距。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極指上設(shè)有多個(gè)凹槽時(shí)，多個(gè)所述凹槽沿所述第二方向依次間隔設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，每...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王園園，汪泉，張樹民，
申請(專利權(quán))人：左藍(lán)微江蘇電子技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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