【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體制造，特別是涉及一種發光二極管及發光裝置。
技術介紹
1、發光二極管(light?emitting?diode，led)一種半導體器件，其基本結構包括p型半導體和n型半導體之間的pn結，當正向電壓加到led上時，電子和空穴在pn結的交界處復合釋放出能量，這些能量以光子的形式發射出來，形成光輻射。
2、現有技術中，通常在外延結構上沉積低折射率的材料作為鍵合層，例如sio2，由于外延結構與sio2的折射率相差較大，因此二者界面處有幾率發生全反射，有利于光線從led正面出射，但發光層產生的光線仍然會有部分局限在芯片內部來回反射或折射，最終被電極結構或發光層吸收，或者轉換成熱量消耗，或者經由其他角度出射，外量子效率較低，產品亮度不高。因此，需要提供一種針對上述現有技術中不足的改進技術方案，以提升反射率，進一步提高led產品發光亮度。
技術實現思路
1、鑒于以上現有技術中存在的缺陷及不足，本申請的目的在于提供一種發光二極管及發光裝置，以解決上述一個或多個問題。
2、根據本申請的一個方面，提供一種發光二極管，至少包括：
3、襯底；
4、半導體疊層，位于所述襯底之上，包括依次層疊的第一半導體層、有源層及第二半導體層；
5、鍵合層，位于所述襯底與所述半導體疊層之間，所述鍵合層為絕緣材料，所述襯底與所述半導體疊層被鍵合層電性隔離；
6、反射層，位于所述半導體疊層與所述鍵合層之間，所述反射層的折射率小于所述半導體疊
7、根據本申請的另一方面，提供一種發光裝置，所述發光裝置包括：
8、封裝基板；
9、至少一個發光二極管，設置于所述封裝基板的表面，所述封裝基板與所述發光二極管的電極結構形成電性連接；所述發光二極管為上述技術方案所述的發光二極管。
10、與現有技術相比，本申請提供的發光二極管及發光裝置至少具有以下有益效果：
11、本申請的技術方案通過對led的背面反射系統進行改進，在半導體疊層與鍵合層之間插入反射層，該反射層的折射率小于半導體疊層及鍵合層的折射率，例如低折射率的單層結構、具有不同折射率交替的疊層結構或dbr結構，從而增強反射效果，另外，絕緣的鍵合層將半導體疊層和襯底電性隔離，做到熱電分離，提高器件可靠性，同時鍵合層可以與反射層配合，進一步提高反射能力；另外，本申請提供的發光裝置包括上述技術方案提供的發光二極管，因此，該發光裝置同樣具有上述良好的技術效果。
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1.一種發光二極管，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述反射層為疊層結構，其材料為SiO2、TiO2、NbO2、Al2O3、MgF2或者SiNx中的兩種或以上。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，自所述半導體疊層至所述鍵合層的方向，所述反射層依次包括層疊的第一膜層和第二膜層，所述第一膜層的折射率小于所述第二膜層折射率，且兩個膜層的折射率均小于半導體疊層的折射率。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述第一膜層的厚度介于之間；所述第二膜層的厚度介于之間。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述反射層包括DBR結構，所述DBR結構具有1～8個由第一材料層和第二材料層組成的層對，所述第一材料層的折射率與所述第二材料層的折射率不同，且均小于所述半導體疊層的折射率。
6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述第一材料層包括SiO2，所述第二材料層包括TiO2、NbO2、ZrO2或者Ta2O5中的一種或幾種。
7.根據權利要求6所
8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，所述第三材料層與所述第一材料層具有相同或不同的材料組成。
9.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述襯底包括藍寶石、Al2O3、AlN、SiC或者SiN中的一種或幾種。
10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述半導體疊層中第一半導體層遠離襯底的表面為第一臺面，其上設置第一電極，第二半導體層暴露出半導體疊層的表面為第二臺面，其上設置第二電極。
11.一種發光裝置，其特征在于，所述發光裝置包括：
...【技術特征摘要】
1.一種發光二極管，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述反射層為疊層結構，其材料為sio2、tio2、nbo2、al2o3、mgf2或者sinx中的兩種或以上。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，自所述半導體疊層至所述鍵合層的方向，所述反射層依次包括層疊的第一膜層和第二膜層，所述第一膜層的折射率小于所述第二膜層折射率，且兩個膜層的折射率均小于半導體疊層的折射率。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述第一膜層的厚度介于之間；所述第二膜層的厚度介于之間。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述反射層包括dbr結構，所述dbr結構具有1～8個由第一材料層和第二材料層組成的層對，所述第一材料層的折射率與所述第二材料層的折射率不同，且均小于所述半導體疊層的折射率。
6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：高守帥，張東炎，金超，盧敬娟，李曉茜，楊宏偉，張君逸，王夢雪，鄭宏，田嘉琪，王果果，
申請(專利權)人：泉州三安半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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