【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及薄膜制造，特別涉及一種低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備及薄膜生產工藝。
技術介紹
1、因bopet(雙向拉伸聚酯薄膜)具有優良的綜合性能，故其應用領域十分廣泛，最為普遍是在印刷、復合、真空鍍鋁等方面。但是為了進一步提高印刷油墨或真空鍍鋁層與bopet薄膜表面之間的結合力，增加附著牢度，往往還需要對bopet薄膜進行表面處理，加大bopet薄膜的潤濕張力，從而增強bopet薄膜的印刷和鍍鋁效果。塑料薄膜表面處理的方法有：電暈處理法、化學處理法、機械打毛法、涂層法、火焰法等，其中最常采用的是電暈處理法。電暈處理法的基本原理是：通過在金屬電極與電暈處理輥(一般為耐高溫、耐臭氧、高絕緣的硅橡膠輥)之間施加高頻、高壓電源，使之產生放電，于是使空氣電離并形成大量臭氧。同時，高能量電火花沖擊薄膜表面。在它們的共同作用下，使塑料薄膜表面產生活化、表面能增加。通過電暈處理可使bopet薄膜的潤濕張力達到52-56mn/m以上，甚至更高。
2、目前在生產mlcc等低粗糙高透低霧度的產品時，由于膜的表面粗糙度非常低，在產品收卷時膜的層與層之間會發生側向滑移現象。為解決產品上述的滑移現象，行業內多會使用在線涂布的方法，增加產品抗側滑能力，但該方法會增加生產的成本；或者增加產品的表面的防滑粒子(二氧化硅、碳酸鈣、硫酸鋇等無機粒子)數量或者粒徑(2nm以上)，但這些粒子的添加就會造成產品高霧度，高粗糙度。所以，現在有必要對現有技術進行改進，以提供更可靠的方案。
技術實現思路
1、本專
2、為解決上述技術問題，本專利技術采用的技術方案是：本專利技術的第一方面，提供一種低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，包括電暈裝置和電暈輥，所述電暈輥輥筒表面包覆硅膠層，所述硅膠層表面設置有若干繞輥筒圓周軌跡的環狀凹槽，若干環狀凹槽沿電暈輥輥筒的橫向均勻間隔布置，該橫向方向即電暈輥輥筒的軸向。
3、優選的是，環狀凹槽的寬度為1～2mm，深度為0.5～1mm。
4、優選的是，相鄰環狀凹槽之間的間距為3-10mm。
5、優選的是，該設備還包括壓輥，其用于將薄膜壓貼在電暈輥上。
6、優選的是，所述電暈裝置上設置有用于對薄膜進行電暈處理的電極，薄膜被置于電極和電暈輥之間。
7、本專利技術的第二方面，提供一種低霧低粗糙度防側滑薄膜的生產工藝，其采用如上所述的電暈設備對制備的薄膜進行電暈處理，使得薄膜表面形成與電暈輥輥筒表面的環狀凹槽向匹配的凸出于薄膜表面的若干電暈條道，該電暈條道沿薄膜縱向延伸，若干電暈條道沿薄膜橫向均勻間隔分布。
8、優選的是，所述的低霧低粗糙度防側滑薄膜的生產工藝包括以下步驟：
9、s1、制備薄膜基材；
10、s2、采用如上所述的電暈設備對制備的薄膜進行電暈處理；
11、其中，電暈裝置電暈功率控制在≥6wmin/㎡。
12、優選的是，壓輥的面壓力值控制在0.4～1.4kgf/cm2。
13、優選的是，所述薄膜基材為aba三層結構，b層為芯層，a層為表層應用層；
14、其中，a層的制備原料包括聚酯粒子和防滑無機粒子，b層的制備原料為聚酯粒子；
15、其中，防滑無機粒子選自二氧化硅、碳酸鈣、硫酸鋇中的至少一種。
16、優選的是，步驟s1具體為：
17、s1-1、采用聚酯粒子和粒徑0.2～1.5nm防滑無機粒子作為a層原料，防滑無機粒子的添加濃度為600～1500ppm；采用聚酯粒子作為b層原料；
18、s1-2、熔融擠出：將a層原料、b層原料經過各自的擠出機進行aba三層結構熔融擠出，擠出溫度275～285℃；
19、s1-3、鑄片成型：將步驟s1-2所得產品在冷鼓上鑄片成型，冷鼓溫度20～30℃；
20、s1-4、縱向拉伸：將步驟s1-3所得鑄片在62～80℃下進行預熱，然后在75～82℃下進行縱向拉伸，拉伸倍率1.8～3.5，然后在20～30℃下冷卻，得到縱向拉伸拉伸片；
21、s1-5、橫向拉伸：將縱向拉伸拉伸片在95～112℃下進行預熱，然后在110～230℃下進行橫向拉伸，拉伸倍率3～4.5，然后在120～50℃下冷卻，冷卻區薄膜橫向收縮率為1％～3％，最終得到薄膜基材。
22、本專利技術的有益效果是：
23、本專利技術提供了一種低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備以及基于該設備的薄膜生產工藝，本專利技術通過在電暈輥輥筒表面設置具有環狀凹槽的硅膠層，配合對電暈輥與薄膜之間的壓力控制，能夠達到特殊的電暈效果，能增大膜面的防側滑能力；具體而言，本專利技術通過控制壓輥的面壓力，讓薄膜和表明具有環狀凹槽的電暈輥接觸的地方產生橫向上有均勻分布的縱向間隙，這些間隙的存在會讓薄膜經過電暈電極的時候產生電子團聚現象；就會造成有孔隙的地方的電暈效果和無間隙的地方的電暈效果不同從而產生不同的電暈效果，從而使膜在延薄膜運行方向也就是縱向上產生電暈條道，這些電暈條道能夠顯著增強薄膜的抗側滑能力；相較于表面無環狀凹槽的常規電暈輥制備的產品，本專利技術制備的產品在橫向(md方向)上靜摩擦系數較大，是不同產品的1.2-1.5倍，能有效解決低霧度、低粗糙度產品的收卷側滑串邊的問題，具有很好的市場應用前景。
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1.一種低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，包括電暈裝置和電暈輥，所述電暈輥輥筒表面包覆硅膠層，所述硅膠層表面設置有若干繞輥筒圓周軌跡的環狀凹槽，若干環狀凹槽沿電暈輥輥筒的橫向均勻間隔布置，該橫向方向即電暈輥輥筒的軸向。
2.根據權利要求1所述的低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，環狀凹槽的寬度為1～2mm，深度為0.5～1mm。
3.根據權利要求2所述的低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，相鄰環狀凹槽之間的間距為3-10mm。
4.根據權利要求1所述的低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，該設備還包括壓輥，其用于將薄膜壓貼在電暈輥上。
5.根據權利要求4所述的低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，所述電暈裝置上設置有用于對薄膜進行電暈處理的電極，薄膜被置于電極和電暈輥之間。
6.一種低霧低粗糙度防側滑薄膜的生產工藝，其特征在于，其采用如權利要求1-5中任意一項所述的電暈設備對制備的薄膜進行電暈處理，使得薄膜表面形成與電暈輥輥筒表面的環狀凹槽向匹配的凸出于薄膜表面的若干電暈條
7.根據權利要求6所述的低霧低粗糙度防側滑薄膜的生產工藝，其特征在于，該工藝包括以下步驟：
8.根據權利要求7所述的低霧低粗糙度防側滑薄膜的生產工藝，其特征在于，壓輥的面壓力值控制在0.4～1.4kgf/cm2。
9.根據權利要求6所述的低霧低粗糙度防側滑薄膜的生產工藝，其特征在于，所述薄膜基材為ABA三層結構，B層為芯層，A層為表層應用層；
10.根據權利要求6所述的低霧低粗糙度防側滑薄膜的生產工藝，其特征在于，步驟S1具體為：
...【技術特征摘要】
1.一種低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，包括電暈裝置和電暈輥，所述電暈輥輥筒表面包覆硅膠層，所述硅膠層表面設置有若干繞輥筒圓周軌跡的環狀凹槽，若干環狀凹槽沿電暈輥輥筒的橫向均勻間隔布置，該橫向方向即電暈輥輥筒的軸向。
2.根據權利要求1所述的低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，環狀凹槽的寬度為1～2mm，深度為0.5～1mm。
3.根據權利要求2所述的低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，相鄰環狀凹槽之間的間距為3-10mm。
4.根據權利要求1所述的低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，該設備還包括壓輥，其用于將薄膜壓貼在電暈輥上。
5.根據權利要求4所述的低霧低粗糙度防側滑的薄膜電暈設備，其特征在于，所述電暈裝置上設置有用于對薄膜進行電暈處理的電極，薄膜被置于電極和電暈輥...
【專利技術屬性】
技術研發人員：金闖，龐澤濤，潘恩超，蔣曉明，
申請(專利權)人：江蘇斯迪克新材料科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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