【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體結構的形成方法。
技術介紹
1、在集成電路制程中，深硅刻蝕扮演著至關重要的角色，如微電子機械系統(micro-electro-mechanical?system，mems)器件加速度計、陀螺儀和壓力傳感器等，都依賴于高精度的深硅刻蝕來形成高深寬比和垂直側壁，以保證器件的性能和可靠性。
2、而在深硅刻蝕過程中，光刻膠的角度對最終刻蝕結構的質量有著重要的影響，光刻膠側壁角度直接影響著刻蝕側壁形貌，理想情況下光刻膠側壁應該接近90°，直立側壁可以提供一個精確的掩膜輪廓，減少刻蝕過程中橫向刻蝕。然而，在實際工藝中，受限于光刻膠特性、曝光顯影工藝等其他因素，光刻膠往往不能達到理想狀態，從而影響最終的刻蝕質量。面對光刻膠角度不理想的問題，必須探索其他方法彌補和優化刻蝕過程，以保證高質量的刻蝕結構。
技術實現思路
1、本專利技術實施例解決的問題是提供一種半導體結構的形成方法，有利于提高半導體結構的可靠性。
2、為解決上述問題，本專利技術實施例提供了一種半導體結構，包括：提供襯底，襯底上形成有掩膜層，掩膜層中形成有露出襯底表面的掩膜開口；沿掩膜開口圖形化襯底表面，形成延伸至掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口；沿凹口圖形化襯底，形成位于襯底中的凹槽。
3、可選的，采用第一刻蝕工藝沿掩膜開口圖形化襯底表面，形成延伸至掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口；采用第二刻蝕工藝沿凹口圖形化襯底，形成位于襯底中的凹槽；其中，第一刻蝕
4、可選的，第一刻蝕工藝為各向異性的干法刻蝕工藝；第二刻蝕工藝為各向異性的干法刻蝕工藝。
5、可選的，采用第一刻蝕工藝沿掩膜開口圖形化襯底表面的步驟中，第一刻蝕工藝對襯底與掩膜層的刻蝕選擇比大于或等于20。
6、可選的，采用第一刻蝕工藝沿掩膜開口圖形化襯底表面，形成延伸至掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口的步驟包括：進行多次交替循環的第一保護步驟和第一刻蝕步驟，第一保護步驟用于形成覆蓋凹口表面的第一保護層，第一刻蝕步驟用于刻蝕第一保護層和襯底。
7、可選的，第一保護步驟包括：通入第一保護氣體；采用第一保護氣體在凹口表面形成第一保護層。
8、可選的，第一刻蝕步驟包括：通入第一刻蝕氣體；采用第一刻蝕氣體刻蝕第一保護層和襯底。
9、可選的，采用第二刻蝕工藝沿凹口圖形化襯底，形成位于襯底中的凹槽的步驟包括：進行多次交替循環的第二保護步驟和第二刻蝕步驟，第二保護步驟用于形成覆蓋凹槽表面的第二保護層，第二刻蝕步驟用于刻蝕第二保護層和襯底。
10、可選的，第二保護步驟包括：通入第二保護氣體；采用第二保護氣體在凹槽表面形成第二保護層。
11、可選的，第二刻蝕步驟包括：通入第二刻蝕氣體；采用第二刻蝕氣體刻蝕第二保護層和襯底。
12、可選的，提供襯底的步驟中，襯底的材料包括硅。
13、可選的，提供襯底的步驟中，掩膜層的材料包括光刻膠或氧化硅。
14、可選的，沿凹口圖形化襯底，形成位于襯底中的凹槽之后，形成方法還包括：去除掩膜層。
15、與現有技術相比，本專利技術實施例的技術方案具有以下優點：
16、本專利技術實施例提供的形成方法中，沿掩膜開口圖形化襯底表面，形成延伸至掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口，沿凹口圖形化襯底，形成位于襯底中的凹槽；在半導體制程中，由于工藝影響，掩膜開口的側壁通常具有斜度，也即由掩膜開口側壁至掩膜層中的掩膜層厚度逐漸增大，本專利技術實施例中，在圖形化襯底形成凹槽之前，預先在襯底表面形成延伸至掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口，則提前將凹槽的開口外擴至掩膜開口兩側的掩膜層底部，使得凹口邊界處上方的掩膜層較厚，且掩膜層凸于凹口的邊界處，相應在沿凹口圖形化襯底的過程中，凹槽開口邊界處上方的掩膜層較厚、凹槽開口邊界處還具有凸出的掩膜層保護，使得掩膜層對凹槽開口頂部的保護較好，從而在沿凹口圖形化襯底的過程中，有利于減小對凹槽開口側部的損傷，提高凹槽的側壁垂直度，進而有利于提高半導體結構的可靠性。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用第一刻蝕工藝沿所述掩膜開口圖形化所述襯底表面，形成延伸至所述掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口；
3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝為各向異性的干法刻蝕工藝；
4.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用第一刻蝕工藝沿所述掩膜開口圖形化所述襯底表面的步驟中，所述第一刻蝕工藝對所述襯底與所述掩膜層的刻蝕選擇比大于或等于20。
5.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用第一刻蝕工藝沿所述掩膜開口圖形化所述襯底表面，形成延伸至所述掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口的步驟包括：進行多次交替循環的第一保護步驟和第一刻蝕步驟，所述第一保護步驟用于形成覆蓋所述凹口表面的第一保護層，所述第一刻蝕步驟用于刻蝕所述第一保護層和襯底。
6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一保護步驟包括：通入第一保護氣體；
7.如權利要求5所述的半導體
8.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用第二刻蝕工藝沿所述凹口圖形化所述襯底，形成位于所述襯底中的凹槽的步驟包括：進行多次交替循環的第二保護步驟和第二刻蝕步驟，所述第二保護步驟用于形成覆蓋所述凹槽表面的第二保護層，所述第二刻蝕步驟用于刻蝕所述第二保護層和襯底。
9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二保護步驟包括：通入第二保護氣體；
10.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕步驟包括：通入第二刻蝕氣體；
11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，提供所述襯底的步驟中，所述襯底的材料包括硅。
12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，提供所述襯底的步驟中，所述掩膜層的材料包括光刻膠或氧化硅。
13.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沿所述凹口圖形化所述襯底，形成位于所述襯底中的凹槽之后，所述形成方法還包括：去除所述掩膜層。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用第一刻蝕工藝沿所述掩膜開口圖形化所述襯底表面，形成延伸至所述掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口；
3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝為各向異性的干法刻蝕工藝；
4.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用第一刻蝕工藝沿所述掩膜開口圖形化所述襯底表面的步驟中，所述第一刻蝕工藝對所述襯底與所述掩膜層的刻蝕選擇比大于或等于20。
5.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用第一刻蝕工藝沿所述掩膜開口圖形化所述襯底表面，形成延伸至所述掩膜開口兩側的掩膜層底部的凹口的步驟包括：進行多次交替循環的第一保護步驟和第一刻蝕步驟，所述第一保護步驟用于形成覆蓋所述凹口表面的第一保護層，所述第一刻蝕步驟用于刻蝕所述第一保護層和襯底。
6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一保護步驟包括：通入第一保護氣體；
7.如權利要求5所述的半導體...
【專利技術屬性】
技術研發人員：賀家偉，祝志陽，徐冬冬，
申請(專利權)人：中芯集成電路寧波有限公司，
類型：發明
國別省市：
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