【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體功率器件，尤其涉及一種超結mosfet器件。
技術介紹
1、超結mosfet，又稱為超結金屬氧化物半導體場效應晶體管（super?juction?metaloxidesemiconductor?field?effect?transistor，sj-mosfet），是一種發展迅速、應用廣泛的新型功率半導體器件，已廣泛應用于面向個人電腦、筆記本電腦、上網本、手機、高壓氣體放電燈產品、液晶電視、等離子電視機以及游戲機等消費電子產品的電源或適配器。
2、目前，超結mosfet器件由于開關速度非?？?，器件的電流變化率非常高，這也導致超結mosfet器件在使用過程中會產生過大的應力，可能會損壞功率元件。
技術實現思路
1、本申請提供了一種超結mosfet器件，能夠改善mosfet器件使用過程中產生的應力和震蕩。
2、為達到上述目的，本申請采用如下技術方案：
3、本申請實施例提供了一種超結mosfet器件，所述器件包括：
4、襯底、位于所述襯底上的柱結構、位于所述柱結構上的柵極結構、以及形成于所述柱結構中的源極區；
5、所述柵極結構包括：柵極引線和柵極區，所述柵極區包括：多晶硅層以及位于所述多晶硅層之上的金屬層，所述多晶硅層包括：間隔設置的第一多晶硅單元和第二多晶硅單元，所述第一多晶硅單元的電阻小于所述第二多晶硅單元的電阻；
6、所述第一多晶硅單元和所述第二多晶硅單元的第一端均與所述柵極引線連接，所述第一多晶
7、所述第一多晶硅單元中包括第一二極管，所述第一二極管的負極靠近所述源極結構，所述第二多晶硅單元中包括第二二極管，所述第二二極管的正極靠近所述源極區。
8、作為一種可能的實現方式，所述第一多晶硅單元的體積大于所述第二多晶硅單元的體積。
9、作為一種可能的實現方式，所述第一二極管和所述第二二極管均為多個串聯的pn結形成。
10、作為一種可能的實現方式，所述柱結構上包括氧化層，所述多晶硅層設置于所述氧化層上。
11、作為一種可能的實現方式，所述多晶硅層和所述金屬層之間包括介質層，用于隔離所述多晶硅層和所述金屬層。
12、作為一種可能的實現方式，所述襯底具有第一導電類型，所述襯底具有相對的第一表面和第二表面；
13、所述器件還包括漏極，所述漏極形成于所述襯底的第一表面。
14、作為一種可能的實現方式，所述柱結構設置于所述襯底的第二表面上，所述柱結構包括具有第一導電類型的第一柱和具有第二導電類型的第二柱，所述第一柱和所述第二柱交替排列。
15、作為一種可能的實現方式，所述第二柱上包括第一導電類型的重摻雜區，所述源極區形成于所述重摻雜區中。
16、作為一種可能的實現方式，所述器件還包括：源極金屬，所述源極區通過接觸孔與所述源極金屬連接。
17、作為一種可能的實現方式，所述第一導電類型為n型，所述第二導電類型為p型，或者，所述第一導電類型為p型，所述第二導電類型為n型。
18、本申請實施例提供的技術方案帶來的有益效果至少包括：
19、本申請實施例提供的超結mosfet器件，該器件包括：襯底、位于襯底上的柱結構、位于柱結構上的柵極結構、以及形成于柱結構中的源極區；其中，柵極結構包括：柵極引線和柵極區，柵極區包括：多晶硅層以及位于多晶硅層之上的金屬層，多晶硅層包括：間隔設置的第一多晶硅單元和第二多晶硅單元，第一多晶硅單元的電阻小于第二多晶硅單元的電阻；第一多晶硅單元和第二多晶硅單元的第一端均與柵極引線連接，第一多晶硅單元和第二多晶硅單元的第二端均與金屬層連接；第一多晶硅單元中包括第一二極管，第一二極管的負極靠近源極區，第二多晶硅單元中包括第二二極管，第二二極管的正極靠近源極區。本申請實施例提供的超結mosfet器件，通過將多晶硅層分為電阻較小的第一多晶硅單元和電阻較大的第二多晶硅單元，并將第一多晶硅單元和第二多晶硅單元的第一端均與柵極引線連接，第一多晶硅單元和第二多晶硅單元的第二端均與金屬層連接，以及在第一多晶硅單元中設置第一二極管，在第二多晶硅單元中設置第二二極管，且第一二極管的負極靠近源極區，第二二極管的正極靠近源極區，這樣超結mosfet器件開通時驅動電流可以走電阻較大的第二多晶硅單元，器件關斷時驅動電流可以走電阻較小的多晶硅單元，這樣可以有效降低sj?mosfet在開通時的電流變化率，可以降低器件的開通速度，但不降低器件的關斷速度，同時可以改善器件在使用過程中產生的應力和震蕩。
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1.一種超結MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括：
2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一多晶硅單元的體積大于所述第二多晶硅單元的體積。
3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一二極管和所述第二二極管均為多個串聯的PN結形成。
4.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述柱結構上包括氧化層，所述多晶硅層設置于所述氧化層上。
5.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述多晶硅層和所述金屬層之間包括介質層，用于隔離所述多晶硅層和所述金屬層。
6.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述襯底具有第一導電類型，所述襯底具有相對的第一表面和第二表面；
7.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，所述柱結構設置于所述襯底的第二表面上，所述柱結構包括具有第一導電類型的第一柱和具有第二導電類型的第二柱，所述第一柱和所述第二柱交替排列。
8.根據權利要求7所述的器件，其特征在于，所述第二柱上包括第一導電類型的重摻雜區，所述源極區形成于所述重摻雜區中。
9.根據權利要求1所
10.根據權利要求7所述的器件，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型，或者，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。
...【技術特征摘要】
1.一種超結mosfet器件，其特征在于，所述器件包括：
2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一多晶硅單元的體積大于所述第二多晶硅單元的體積。
3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一二極管和所述第二二極管均為多個串聯的pn結形成。
4.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述柱結構上包括氧化層，所述多晶硅層設置于所述氧化層上。
5.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述多晶硅層和所述金屬層之間包括介質層，用于隔離所述多晶硅層和所述金屬層。
6.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述襯底具有第一導電類型，所述襯底具有相對的第...
【專利技術屬性】
技術研發人員：栗終盛，柴展，羅杰馨，
申請(專利權)人：上海功成半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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