【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及涉及gis設備局部放電，尤其涉及一種gis特高頻內置傳感器的校驗方法及系統。
技術介紹
1、特高頻傳感器因其準確度好、靈敏度高及不易受干擾等優勢，在檢測氣體絕緣組合電器(gas-insulated-switchgear，gis)的局部放電時受到了廣泛應用。然而，盡管特高頻傳感器本體的標定技術已較為成熟，國內乃至國際至今尚無統一高效的gis特高頻傳感器校驗方法。
2、等效高度h(f)是天線輸出的頻域電壓u(f)與接收到的頻域電場e(f)的比值，可以反應傳感器的耦合特性，已成為評價特高頻傳感器的一項重要指標。測量時，把待測傳感器和參考傳感器一同放置在gtem小室上表面后三分之一場強較均勻處。由于參考傳感器的等效高度已知，根據待測傳感器與參考傳感器輸出的頻域電壓的比值即可間接計算出待測傳感器的等效高度。
3、gis用于局部放電檢測的特高頻傳感器有內置式、開放盆子式和澆筑孔式三種。內置傳感器預先安裝在手孔處，gis投運后便無法帶電取出，不能拆卸下來放入gtem電磁兼容小室內校驗，這使得內置傳感器的校驗最為困難。根據在gtem的間接計算原理，可利用已測量出的外置傳感器的等效高度與電磁波在gis中的衰減特性間接計算出內置傳感器的等效高度，并將計算得到的等效高度值作為gis特高頻傳感器校驗的一項重要評價依據。
技術實現思路
1、本專利技術所要解決的技術問題在于如何校驗局部放電特高頻內置傳感器。
2、本專利技術通過以下技術手段實現解決上述技術問題的
3、基于計算等效高度的gis特高頻內置傳感器的校驗方法，包括以下步驟：
4、第一步，測量一標準外置傳感器的頻域等效高度href(f)；
5、第二步，測量該gis的內徑a和盆式絕緣子半徑r，由此計算特高頻電磁波從盆式絕緣子處泄露的頻域衰減量；
6、第三步，測量gis手孔處特高頻傳感器距離gis殼體的距離d，計算特高頻電磁波在經過內置手孔的圓波導時的頻域衰減量；
7、第四步，完成實驗裝置的連接與接線，包括將標準外置傳感器緊貼于與待校核傳感器最近的盆式絕緣子處、脈沖發生器的接入以及傳感器與示波器之間接口的連接；
8、第五步，向待校核內置傳感器相鄰的外置傳感器注入一定幅值、一定頻率的標準雙指數電壓脈沖，測量內置傳感器輸出電壓un(f)和標準外置傳感器輸出電壓uw(f)；
9、第六步，計算內置傳感器的頻域等效高度h(f)；
10、第七步，計算內置傳感器頻域等效高度的均值和最小值hmin(f)；根據均值和最小值hmin(f)判斷特高頻傳感器的靈敏度。
11、進一步的，所述第一步包括如下具體操作：
12、s101：將該標準外置傳感器放在gtem小室上表面后三分之一場強較集中的開口處；
13、s102：向gtem小室中注入雙指數的特高頻脈沖信號；
14、s103：后臺測量得出該標準外置傳感器的頻域等效高度href(f)。
15、進一步的，所述第二步包括如下具體操作：
16、s201：測量該gis的內徑a和任意位置盆式絕緣子的半徑r；
17、s202：代入公式，計算特高頻電磁波在經過盆式絕緣子時泄露的頻域量：
18、
19、進一步的，所述第三步包括如下操作：
20、s301：測量待校核傳感器引出線距離gis外壁的水平距離d；
21、s302：代入公式，計算特高頻電磁波在經過手孔圓波導時衰減的頻域量：
22、
23、進一步的，所述第四步包括如下操作：
24、s401：將經gtem小室標定的標準特高頻外置傳感器緊貼于與待校核傳感器徑向距離最近的盆式絕緣子處；
25、s402：將待校核傳感器相鄰的傳感器作為注入傳感器，并將手持脈沖發生器接入該注入傳感器的饋電端口；
26、s403：將待校核內置傳感器和標準外置傳感器的接口分別與高速示波器的ch1與ch2連接；
27、s404：注入傳感器包裹錫箔紙，避免信號經過外部空氣傳播，影響測試結果。
28、進一步的，所述第五步包括如下操：
29、s501：打開手持脈沖信號發生器開關，向待校核內置傳感器相鄰的外置傳感器注入一定幅值、一定頻率的標準雙指數電壓脈沖；反復調節，確保注入的電壓脈沖能夠模擬局部放電激發的特高頻電磁波信號；
30、s502：測量內置傳感器頻域的響應電壓un(f)和標準外置傳感器頻域的響應電壓uw(f)。
31、進一步的，第六步中計算內置傳感器的頻域等效高度的公式如下：
32、
33、本專利技術還提供一種基于計算等效高度的gis特高頻內置傳感器的校驗系統，包括：
34、第一測量模塊，用于測量一標準外置傳感器的頻域等效高度href(f)；
35、第二測量模塊，用于測量該gis的內徑a和盆式絕緣子半徑r，由此計算特高頻電磁波從盆式絕緣子處泄露的頻域衰減量；
36、第三測量模塊，用于測量gis手孔處特高頻傳感器距離gis殼體的距離d，計算特高頻電磁波在經過內置手孔的圓波導時的頻域衰減量；
37、實驗模塊，完成實驗裝置的連接與接線，包括將標準外置傳感器緊貼于與待校核傳感器最近的盆式絕緣子處、脈沖發生器的接入以及傳感器與示波器之間接口的連接；
38、第四測量模塊，用于向待校核內置傳感器相鄰的外置傳感器注入一定幅值、一定頻率的標準雙指數電壓脈沖，測量內置傳感器輸出電壓un(f)和標準外置傳感器輸出電壓uw(f)；
39、第一計算模塊，計算內置傳感器的頻域等效高度h(f)；
40、第二計算模塊，計算內置傳感器頻域等效高度的均值和最小值hmin(f)；根據均值和最小值hmin(f)判斷特高頻傳感器的靈敏度。
41、進一步的，所述第四測量模塊包括如下操：
42、s501：打開手持脈沖信號發生器開關，向待校核內置傳感器相鄰的外置傳感器注入一定幅值、一定頻率的標準雙指數電壓脈沖；反復調節，確保注入的電壓脈沖能夠模擬局部放電激發的特高頻電磁波信號；
43、s502：測量內置傳感器頻域的響應電壓un(f)和標準外置傳感器頻域的響應電壓uw(f)。
44、進一步的，所述第一計算模塊中計算內置傳感器的頻域等效高度的公式如下：
45、
46、本專利技術的優點在于：
47、本專利技術創新性地提出了一種根據計算出的傳感器頻域等效高度校驗特高頻內置傳感器的方案。預安裝內置傳感器在已投運的gis中無法拆卸，因此無法取出放入gtem小室計算其等效高度，需利用經gtem小室標定后的外置傳感器間接計算內置傳感器的等效高度。在待校核內置傳感器相鄰的盆式絕緣子處緊貼一個標準的外置傳感器，向該待校核的內置傳感器相鄰的外置傳感器注入一等效人工脈本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第一步包括如下具體操作：
3.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第二步包括如下具體操作：
4.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第三步包括如下操作：
5.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第四步包括如下操作：
6.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第五步包括如下操：
7.根據權利要求6所述的基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，第六步中計算內置傳感器的頻域等效高度的公式如下：
8.基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗系統，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的
10.根據權利要求9所述的基于計算等效高度的GIS特高頻內置傳感器的校驗系統，其特征在于，所述第一計算模塊中計算內置傳感器的頻域等效高度的公式如下：
...【技術特征摘要】
1.基于計算等效高度的gis特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的gis特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第一步包括如下具體操作：
3.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的gis特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第二步包括如下具體操作：
4.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的gis特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第三步包括如下操作：
5.根據權利要求1所述的基于計算等效高度的gis特高頻內置傳感器的校驗方法，其特征在于，所述第四步包括如下操作：
6.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊海濤，謝一鳴，丁國成，吳興旺，吳杰，胡嘯宇，劉威，李堅林，黃偉民，謝佳，
申請(專利權)人：國網安徽省電力有限公司電力科學研究院，
類型：發明
國別省市：
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