【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及相控陣天線，更具體地講，涉及一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線。
技術(shù)介紹
1、現(xiàn)有平面超寬帶天線技術(shù)雖然能夠?qū)崿F(xiàn)10倍頻程，但應(yīng)用到大曲率共形陣列設(shè)計(jì)時(shí)，由于結(jié)構(gòu)失配會(huì)引起阻抗失配問(wèn)題，無(wú)法實(shí)現(xiàn)寬帶化工作；
2、同時(shí)，在應(yīng)用到大曲率共形陣列設(shè)計(jì)時(shí)，結(jié)構(gòu)也無(wú)法支持大曲率的物理結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)；為實(shí)現(xiàn)超寬帶雙極化相控陣天線和曲面載體的共形，需要設(shè)計(jì)相應(yīng)的雙極化共形輻射體。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，具備超大帶寬、雙極化的優(yōu)勢(shì)；
2、本專利技術(shù)解決技術(shù)問(wèn)題所采用的解決方案是：
3、一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，包括金屬地層、電阻層、介質(zhì)基板、分別設(shè)置在金屬地層與電阻層之間和電阻層與介質(zhì)基板之間的支撐結(jié)構(gòu)、以及設(shè)置在介質(zhì)基板上的輻射結(jié)構(gòu)；
4、所述金屬地層、電阻層、介質(zhì)基板以及支撐結(jié)構(gòu)相互配合形成截面為曲面的曲面陣列共形，所述介質(zhì)基板的曲率半徑為0.1λ-2λ。
5、在一些可能的實(shí)施方式中，所述介質(zhì)基板的厚度為0.5mm-2.2mm。
6、在一些可能的實(shí)施方式中，所述輻射結(jié)構(gòu)包括若干組設(shè)置在介質(zhì)基板頂面和底面的雙極化天線單元，若干組所述雙極化天線單元呈周期排列。
7、在一些可能的實(shí)施方式中，所述雙極化天線單元包括若干組設(shè)置在介質(zhì)基板頂面的極化天線單元一、以及若干組設(shè)置在介質(zhì)基板底面上且與極化天線單元一呈正交設(shè)置的
8、相鄰的兩組極化天線單元一之間以及相鄰兩組極化天線單元二之間分別形成間隙；
9、相鄰的兩組極化天線單元一形成間隙與一組極化天線單元二對(duì)應(yīng)設(shè)置，相鄰的兩組極化天線單元二形成間隙與一組極化天線單元一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
10、在一些可能的實(shí)施方式中，所述極化天線單元一、極化天線單元二為蝶形偶極子天線單元。
11、在一些可能的實(shí)施方式中，所述介質(zhì)基板的相對(duì)介電常數(shù)為1.05～5。
12、在一些可能的實(shí)施方式中，所述電阻層的方阻為50～400ω/sq。
13、在一些可能的實(shí)施方式中，所述電阻層采用pcb電阻材料或i?to導(dǎo)電薄膜制成。
14、在一些可能的實(shí)施方式中，所述雙極化天線單元的布陣周期為15mm～75mm。
15、在一些可能的實(shí)施方式中，所述支撐結(jié)構(gòu)的厚度為1mm，相對(duì)介電常數(shù)為3。
16、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的有益效果：
17、本專利技術(shù)能夠有效的實(shí)現(xiàn)曲面共形，根據(jù)緊耦合陣列理論，引入了強(qiáng)電容耦合，拓展天線的帶寬，并在天線和金屬地板之間引入了電阻層，吸收天線短路諧振點(diǎn)，從而將天線的帶寬拓展至10:1倍頻比；
18、本專利技術(shù)通過(guò)電阻層的設(shè)置能夠有效的吸收在高頻段會(huì)出現(xiàn)的短路諧振點(diǎn)，當(dāng)輻射結(jié)構(gòu)距離金屬地板高度為半個(gè)波長(zhǎng)時(shí)，金屬地板反射的電磁波和天線本身輻射的電磁波相互抵消，出現(xiàn)短路；金屬地板可以吸收金屬地板反射的電磁波，消除短路諧振；
19、通過(guò)相鄰的極化天線單元一之間、相鄰的極化天線單元二之間所形成縫隙，用以形成相鄰單元的強(qiáng)電容耦合進(jìn)一步拓展帶寬；
20、本專利技術(shù)可實(shí)現(xiàn)十倍頻帶寬，共形曲面半徑為0.1λ-2λ，具備超大帶寬、雙極化的優(yōu)勢(shì)，具備良好的應(yīng)用前景。
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1.一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，包括金屬地層、電阻層、介質(zhì)基板、分別設(shè)置在金屬地層與電阻層之間和電阻層與介質(zhì)基板之間的支撐結(jié)構(gòu)、以及設(shè)置在介質(zhì)基板上的輻射結(jié)構(gòu)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述介質(zhì)基板的厚度為0.5mm-2.2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述輻射結(jié)構(gòu)包括若干組設(shè)置在介質(zhì)基板頂面和底面的雙極化天線單元，若干組所述雙極化天線單元呈周期排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述雙極化天線單元包括若干組設(shè)置在介質(zhì)基板頂面的極化天線單元一、以及若干組設(shè)置在介質(zhì)基板底面上且與極化天線單元一呈正交設(shè)置的極化天線單元二；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述極化天線單元一、極化天線單元二為蝶形偶極子天線單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述介質(zhì)
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述電阻層的方阻為50～400Ω/Sq。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述電阻層采用PCB電阻材料或ITO導(dǎo)電薄膜制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述雙極化天線單元的布陣周期為15mm～75mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)的厚度為1mm，相對(duì)介電常數(shù)為3。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，包括金屬地層、電阻層、介質(zhì)基板、分別設(shè)置在金屬地層與電阻層之間和電阻層與介質(zhì)基板之間的支撐結(jié)構(gòu)、以及設(shè)置在介質(zhì)基板上的輻射結(jié)構(gòu)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述介質(zhì)基板的厚度為0.5mm-2.2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述輻射結(jié)構(gòu)包括若干組設(shè)置在介質(zhì)基板頂面和底面的雙極化天線單元，若干組所述雙極化天線單元呈周期排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種超寬帶柱面共形陣列的雙極化偶極子天線，其特征在于，所述雙極化天線單元包括若干組設(shè)置在介質(zhì)基板頂面的極化天線單元一、以及若干組設(shè)置在介質(zhì)基板底面上且與極化天線單元一呈正交設(shè)置的極化天線單元二；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種超寬帶柱面...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊雪洲，李捷，黨濤，程鈺間，沈錦安，孫建旭，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：四川九洲電器集團(tuán)有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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