【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體涉及一種垂直led芯片的測試方法。
技術介紹
1、垂直led芯片，具有特殊的電極分布結構，其p型電極和n型電極分別位于芯片主體的正面和背面，使得電流幾乎全部垂直流過芯片外延層，可通大電流使用，散熱性能好。
2、在垂直led芯片制程的測試環節中，由于垂直led芯片結構特性的限制，通常需要將承載晶圓片的承載膜去除，并把微切成型有垂直led芯片測試單元的晶圓片通過真空吸附在測試機的金屬平臺上進行測試；金屬平臺直接接觸晶圓片的背面形成歐姆接觸，再通過探針接觸晶圓片正面的垂直led芯片測試單元即可形成測試通路。然而，由于晶圓片經過微切，且沒有承載膜依附，使得晶圓片在真空吸附以及釋放真空的過程中容易破片，導致后續加工困難。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的不足，本專利技術提供了一種垂直led芯片的測試方法，通過使用開孔的承載膜承載晶圓片，再依次進行正面微切、測試以及換膜背切，有效降低了晶圓片破片的風險，保障了后續加工的順利進行。
2、本專利技術提供了一種垂直led芯片的測試方法，包括以下步驟：
3、s1、將第一承載膜貼合到承載環上，并在所述承載環的環內區域的第一承載膜上至少開設3個孔洞；
4、s2、將晶圓片貼合到所述承載環的環內區域的第一承載膜上，所述孔洞顯露出所述晶圓片的背面；
5、s3、切割所述晶圓片的正面，在所述晶圓片的正面形成若干垂直led芯片測試單元；
6、s4、將所
7、s5、測試機的探針逐一對所述若干垂直led芯片測試單元進行接觸測試；
8、s6、將測試后的晶圓片翻轉到第二承載膜上，顯露出所述晶圓片的背面，并從所述晶圓片的背面進行切割，獲得若干垂直led芯片顆粒。
9、具體的，在步驟s2中，所述晶圓片的中心和所述承載環的中心重合。
10、具體的，所述晶圓片的直徑范圍為75～300mm。
11、具體的，所有孔洞的中心位于同一個圓上，且所有孔洞圍繞所述承載環的中心等間距分布。
12、具體的，所述孔洞的總數量為n個，n為整數，3≤n≤5。
13、具體的，n個所述孔洞的總面積為sn，所述晶圓片的面積為sj，所述sn和所述sj的約束關系為：sn＝0.4sj。
14、具體的，任一所述孔洞的半徑為r1，所述晶圓片的半徑為r2，每個所述孔洞的中心到所述承載環的中心的距離均為l1，所述r1、所述r2和所述l1的約束關系為：
15、
16、具體的，所述晶圓片包括襯底和設置在所述襯底上的芯片結構層，所述芯片結構層的厚度為h，所述晶圓片的正面的切割深度為h，所述h和所述h的約束關系為：
17、
18、具體的，所述第一承載膜為藍膜；和/或所述第二承載膜為藍膜。
19、具體的，所述承載環為鐵環或不銹鋼環。
20、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：
21、在本專利技術的測試方法中，使用至少開設了3個孔洞的第一承載膜配合承載環進行晶圓片的承載，晶圓片后續可以通過孔洞與金屬平臺形成歐姆接觸進行測試，無需在測試前進行去膜操作，測試時也無需進行真空吸附，從而能夠有效降低晶圓片破片的風險，保障了后續加工的順利進行。
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1.一種垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，在步驟S2中，所述晶圓片的中心和所述承載環的中心重合。
3.如權利要求1所述的垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，所述晶圓片的直徑范圍為75～300mm。
4.如權利要求1所述的垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，所有孔洞的中心位于同一個圓上，且所有孔洞圍繞所述承載環的中心等間距分布。
5.如權利要求4所述的垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，所述孔洞的總數量為N個，N為整數，3≤N≤5。
6.如權利要求5所述的垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，N個所述孔洞的總面積為SN，所述晶圓片的面積為SJ，所述SN和所述SJ的約束關系為：SN＝0.4SJ。
7.如權利要求6所述的垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，任一所述孔洞的半徑為R1，所述晶圓片的半徑為R2，每個所述孔洞的中心到所述承載環的中心的距離均為L1，所述R1、所述R2和所述L1的約束關系為：
8.如權利要求1所
9.如權利要求1所述的垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，所述第一承載膜為藍膜；和/或所述第二承載膜為藍膜。
10.如權利要求1所述的垂直LED芯片的測試方法，其特征在于，所述承載環為鐵環或不銹鋼環。
...【技術特征摘要】
1.一種垂直led芯片的測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的垂直led芯片的測試方法，其特征在于，在步驟s2中，所述晶圓片的中心和所述承載環的中心重合。
3.如權利要求1所述的垂直led芯片的測試方法，其特征在于，所述晶圓片的直徑范圍為75～300mm。
4.如權利要求1所述的垂直led芯片的測試方法，其特征在于，所有孔洞的中心位于同一個圓上，且所有孔洞圍繞所述承載環的中心等間距分布。
5.如權利要求4所述的垂直led芯片的測試方法，其特征在于，所述孔洞的總數量為n個，n為整數，3≤n≤5。
6.如權利要求5所述的垂直led芯片的測試方法，其特征在于，n個所述孔洞的總面積為sn，所述晶圓片的面積為sj，所述s...
【專利技術屬性】
技術研發人員：馮飛明，劉佑芝，范敏聰，
申請(專利權)人：佛山市國星半導體技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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