【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及沉積制膜，尤其涉及微晶硅薄膜制備裝置。
技術(shù)介紹
1、相關(guān)技術(shù)中微晶硅薄膜制備設(shè)備復(fù)雜、成本高，或者存在復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和控制邏輯，提高了生產(chǎn)成本制約了生產(chǎn)效率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專(zhuān)利技術(shù)旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。
2、為此，本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例提出一種微晶硅薄膜制備裝置，該微晶硅薄膜制備裝置具有微晶硅薄膜均勻應(yīng)力小、成膜效率高的優(yōu)點(diǎn)。
3、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的微晶硅薄膜制備裝置，微晶硅薄膜制備裝置包括工藝腔體和傳輸機(jī)構(gòu)，所述工藝腔體包括依次相連通的預(yù)熱腔體、鍍膜腔體和冷卻腔體，所述預(yù)熱腔體內(nèi)布置加熱機(jī)構(gòu)，所述鍍膜腔體的兩端設(shè)置封閉件用以封閉所述鍍膜腔體，所述鍍膜腔體內(nèi)設(shè)置熱絲陣列、送氣件，所述熱絲陣列位于所述鍍膜腔體的頂部，所述送氣件位于所述熱絲陣列之間，所述鍍膜腔體的底部設(shè)置第一排氣口，所述冷卻腔體的頂部設(shè)置多個(gè)送冷件，所述冷卻腔體的底部設(shè)置第二排氣口，所述傳輸機(jī)構(gòu)包括多個(gè)水平傳送件，所述水平傳送件位于所述預(yù)熱腔體、鍍膜腔體和冷卻腔體內(nèi)用以帶動(dòng)載板移動(dòng)，待鍍基底位于所述載板上，所述工藝腔體與相鄰所述工藝腔體之間通過(guò)緩沖腔相連，翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)位于所述緩沖腔內(nèi)用以翻轉(zhuǎn)所述載板。
4、根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的微晶硅薄膜制備裝置具有的微晶硅薄膜均勻應(yīng)力小、成膜效率高的優(yōu)點(diǎn)。
5、在一些實(shí)施例中，所述封閉件包括轉(zhuǎn)軸和封閉板，所述封閉板的橫截面大于所述鍍膜腔體端部的孔用以封閉所述鍍膜腔體，所述封閉板與所述轉(zhuǎn)軸相
6、在一些實(shí)施例中，所述封閉板包括第一封閉件和第二封閉件，所述轉(zhuǎn)軸分別布置在所述第一封閉件和所述第二封閉件上，所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述第一封閉件和所述第二封閉件相向或者背離。
7、在一些實(shí)施例中，所述載板包括環(huán)形載體和彈性限位件，所述環(huán)形載體的內(nèi)邊緣形狀與基板的外輪廓相適應(yīng)，所述彈性限位件位于所述環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)所述基板的兩側(cè)用以約束所述基板。
8、在一些實(shí)施例中，所述環(huán)形載體的外邊緣上設(shè)置六角定位孔，所述翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括橫截面為六角形的轉(zhuǎn)動(dòng)桿，至少部分所述轉(zhuǎn)動(dòng)桿進(jìn)入所述六角定位孔用以帶動(dòng)所述環(huán)形載體轉(zhuǎn)動(dòng)。
9、在一些實(shí)施例中，所述送氣件與工藝氣源相連通用以向所述鍍膜腔體內(nèi)送入工藝氣體，所述第一排氣口通過(guò)管路與真空裝置相連通用以對(duì)所述鍍膜腔體抽真空。
10、在一些實(shí)施例中，還包括轉(zhuǎn)動(dòng)盤(pán)，多個(gè)所述送冷件布置在所述轉(zhuǎn)動(dòng)盤(pán)上，所述轉(zhuǎn)動(dòng)盤(pán)與所述冷卻腔體可樞轉(zhuǎn)地相連。
11、在一些實(shí)施例中，所述緩沖腔的兩側(cè)設(shè)置封閉板，所述封閉板與所述緩沖腔可滑動(dòng)地相連，電動(dòng)執(zhí)行器與所述封閉板的一端相連用以封閉和開(kāi)啟所述緩沖腔。
12、在一些實(shí)施例中，所述第一排氣口位于所述鍍膜腔體的底部中央，所述水平傳送件和所述載板位于所述第一排氣口和所述熱絲陣列之間。
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1.一種微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述封閉件包括轉(zhuǎn)軸和封閉板，所述封閉板的橫截面大于所述鍍膜腔體端部的孔用以封閉所述鍍膜腔體，所述封閉板與所述轉(zhuǎn)軸相連，所述轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜腔體可樞轉(zhuǎn)地相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述封閉板包括第一封閉件和第二封閉件，所述轉(zhuǎn)軸分別布置在所述第一封閉件和所述第二封閉件上，所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述第一封閉件和所述第二封閉件相向或者背離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述載板包括環(huán)形載體和彈性限位件，所述環(huán)形載體的內(nèi)邊緣形狀與基板的外輪廓相適應(yīng)，所述彈性限位件位于所述環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)所述基板的兩側(cè)用以約束所述基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述環(huán)形載體的外邊緣上設(shè)置六角定位孔，所述翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)包括橫截面為六角形的轉(zhuǎn)動(dòng)桿，至少部分所述轉(zhuǎn)動(dòng)桿進(jìn)入所述六角定位孔用以帶動(dòng)所述環(huán)形載體轉(zhuǎn)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述送氣件與工
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，還包括轉(zhuǎn)動(dòng)盤(pán)，多個(gè)所述送冷件布置在所述轉(zhuǎn)動(dòng)盤(pán)上，所述轉(zhuǎn)動(dòng)盤(pán)與所述冷卻腔體可樞轉(zhuǎn)地相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述緩沖腔的兩側(cè)設(shè)置封閉板，所述封閉板與所述緩沖腔可滑動(dòng)地相連，電動(dòng)執(zhí)行器與所述封閉板的一端相連用以封閉和開(kāi)啟所述緩沖腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述第一排氣口位于所述鍍膜腔體的底部中央，所述水平傳送件和所述載板位于所述第一排氣口和所述熱絲陣列之間。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述封閉件包括轉(zhuǎn)軸和封閉板，所述封閉板的橫截面大于所述鍍膜腔體端部的孔用以封閉所述鍍膜腔體，所述封閉板與所述轉(zhuǎn)軸相連，所述轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜腔體可樞轉(zhuǎn)地相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述封閉板包括第一封閉件和第二封閉件，所述轉(zhuǎn)軸分別布置在所述第一封閉件和所述第二封閉件上，所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述第一封閉件和所述第二封閉件相向或者背離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述載板包括環(huán)形載體和彈性限位件，所述環(huán)形載體的內(nèi)邊緣形狀與基板的外輪廓相適應(yīng)，所述彈性限位件位于所述環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)所述基板的兩側(cè)用以約束所述基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微晶硅薄膜制備裝置，其特征在于，所述環(huán)形載體的外邊緣上設(shè)置六角定位孔，所述翻...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周穎，趙東明，李孟蕾，肖平，陳國(guó)軍，王瑋，劉杰，楊斌，汪海軍，陳雄飛，王立闖，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：華能嘉峪關(guān)新能源有限公司，
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